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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
LQE 2015-12-18
14:45
東京 機械振興会館 [招待講演]Realization and Applications of Mass-Productive Quantum Dot Lasers
Kenichi NishiUniv.Tokyo)・Keizo TakemasaMitsuru SugawaraQDLaser)・Yasuhiko ArakawaUniv.TokyoLQE2015-130
The improvements in self-assembled InAs quantum dots (QDs) h... [more] LQE2015-130
pp.31-35
LQE, OPE
(共催)
2015-06-19
15:15
東京 機械振興会館 スポットサイズ変換器集積GaAs基板上量子ドットレーザ
植竹理人高林和雅木村徳治山本剛之富士通研)・山口正臣高田 幹武政敬三菅原 充QDレーザ)・荒川泰彦東大OPE2015-17 LQE2015-27
シリコン(Si)基板上への高密度な光集積を可能にするSiフォトニクス技術は、小型・大容量な光送受信器を実現する上で有望な... [more] OPE2015-17 LQE2015-27
pp.35-38
WIT 2015-03-14
14:10
茨城 筑波技術大学 春日キャンパス レーザ網膜作像による弱視支援 ~ 補視器の開発を目指して ~
村井保之日本薬科大)・鈴木 誠菅原 充QDレーザ)・巽 久行宮川正弘筑波技大WIT2014-114
レーザ網膜作像技術は,弱視者の網膜の活性領域に明瞭な像を作成することができ,その人の固有の視力を使うことにより,多くの場... [more] WIT2014-114
pp.165-170
LQE 2011-12-16
11:20
東京 機械振興会館 高温(220℃)における1300 nm帯量子ドットレーザの連続発振
影山健生QDレーザ)・西 研一QDレーザ/東大)・山口正臣富士通研)・持田励雄QDレーザ/東大)・前多泰成武政敬三QDレーザ)・田中 有富士通研)・山本剛之QDレーザ/富士通研/東大)・菅原 充QDレーザ/東大)・荒川泰彦東大LQE2011-126
高温環境下での半導体レーザ発振動作は,厳しい条件下(宇宙,地中)でのセンシング等実現のために重要であり、特に波長が長波長... [more] LQE2011-126
pp.17-20
CPM, OPE, LQE, EMD
(共催)
2011-08-26
13:30
北海道 北海道大学 創成科学研究棟 5階 大会議室 波長1.27μm帯高密度量子ドットDFBレーザの研究開発
高田 幹東大)・田中 有富士通研/QDレーザ)・松本 武富士通研)・近藤勇人持田励雄前多泰成山口正臣影山健生武政敬三西 研一QDレーザ)・中田義昭山本剛之富士通研/QDレーザ)・菅原 充QDレーザ)・荒川泰彦東大EMD2011-53 CPM2011-97 OPE2011-88 LQE2011-51
光アクセス系で導入が進められている10G-EPONなどの次世代10ギガビット級PON (Passive Optical ... [more] EMD2011-53 CPM2011-97 OPE2011-88 LQE2011-51
pp.109-112
EMD, OPE, LQE, CPM
(共催)
2010-08-27
17:20
北海道 千歳アルカディアプラザ 高密度化による波長1.3um帯InAs/GaAs量子ドットレーザの特性向上
田中 有富士通研/富士通/QDレーザ/光電子融合基盤技研)・高田 幹石田 充東大)・松本 武宋 海智江川 満富士通研)・中田義昭富士通研/QDレーザ)・山本剛之富士通研/富士通/光電子融合基盤技研)・山口正臣西 研一菅原 充QDレーザ)・荒川泰彦東大EMD2010-60 CPM2010-76 OPE2010-85 LQE2010-58
 [more] EMD2010-60 CPM2010-76 OPE2010-85 LQE2010-58
pp.157-162
LQE, OPE
(共催)
2009-06-19
17:10
東京 機械振興会館6階66号室 波長1.3um帯InAs/GaAs量子ドットレーザ ~ 単一モード化、高速化の検討 ~
田中 有富士通研/富士通/QDレーザ/光協会)・高田 幹石田 充東大)・前多泰成QDレーザ)・松本 武江川 満宋 海智富士通研)・山口正臣QDレーザ)・中田義昭富士通研/QDレーザ)・西 研一QDレーザ)・山本剛之富士通研/富士通/光協会)・菅原 充富士通研/富士通/QDレーザ/光協会)・荒川泰彦東大OPE2009-29 LQE2009-32
 [more] OPE2009-29 LQE2009-32
pp.67-72
OPE, LQE
(共催)
2006-06-30
11:00
東京 機械振興会館 1.3ミクロン帯pドープ量子ドットレーザ ~ 20℃~90℃での温度安定な低駆動電流10Gb/s直接変調動作 ~
石田 充羽鳥伸明東大)・大坪孝二山本剛之光協会/富士通/富士通研)・中田義昭江部広治東大)・菅原 充光協会/富士通/富士通研/QDレーザ)・荒川泰彦東大
量子ドットレーザの様々な優れた特性が近年実証されつつある.我々は新たに提案してきた量子ドットレーザの動作モデルをもとに,... [more] OPE2006-18 LQE2006-22
pp.15-20
LQE, PN, OPE, OFT, EMT
(共催)
2006-02-02
13:10
兵庫 神戸大学 InAs/GaAsコラムナ量子ドットの光学利得偏波特性 ~ 半導体光増幅器の実現に向けて ~
田村暢啓Zhang Yuanchang喜多 隆和田 修神戸大)・江部広治中田義昭荒川泰彦東大)・菅原 充富士通研
コラムナ量子ドットの光学利得をVSL(Variable Stripe Length)法を用いて測定した。コラムナ量子ドッ... [more] PN2005-91 OFT2005-78 OPE2005-139 LQE2005-154
pp.35-38
LQE 2004-12-03
15:15
東京 機械振興会館 MOCVD法によるGaAs基板上InAs量子ドットレーザの1.3μm帯室温連続発振
館林 潤羽鳥伸明石田 充江部広治東大)・須藤久男倉又朗人富士通研)・菅原 充荒川泰彦東大
量子ドットは近年その大きな歪効果・量子効果を利用することによるバンド構造エンジニアリング的観点からGaAs基板上で光通信... [more] LQE2004-126
pp.45-50
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