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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ED, THz (共催) |
2018-12-17 16:35 |
宮城 | 東北大・通研 | SiC表面分解により生成したグラフェンの層間結合力測定 ○田邉匡生・唐 超・布施吉貴・菅原健太・込山貴大・佐藤陽平・吹留博一・尾辻泰一・小山 裕（東北大）  ED2018-59 |
ファンデルワールス力は1937年にロンドンにより説明されているが、80年が経過した現在でも測定されていない。本研究は2次... [more] | ED2018-59 pp.25-26 |
| ED, THz (共催) |
2017-12-19 15:10 |
宮城 | 東北大通研ナノ・スピン棟 | デュアルゲートグラフェンFETの相互コンダクタンスの温度依存性 ○菅原健太・渡辺隆之・ヤダフ ディピカ・込山貴大・布施吉貴（東北大）・リジー マキシム（会津大）・リジー ヴィクトール・吹留博一・末光眞希・尾辻泰一（東北大） ED2017-91 |
デュアルゲートグラフェンFET(DG-GFET)の相互コンダクタンスの温度特性に関する実験結果を報告する．SiC基板の熱... [more] | ED2017-91 pp.73-76 |
| ED | 2016-12-20 09:50 |
宮城 | 東北大通研ナノ・スピン棟 | ナノカーボン材料のテラヘルツ応答特性 ○宮島卓也（北大）・杉目恒志（早大）・菅原健太・渡辺隆之・尾辻泰一（東北大）・佐野栄一（北大） ED2016-89 |
テラヘルツ(THz)半導体デバイス実現のためには新素材や新構造の研究が重要であり、その中でもナノカーボン材料は近年注目を... [more] | ED2016-89 pp.49-54 |
| CS, OCS (併催) |
2016-01-22 09:50 |
鹿児島 | 鹿児島大学 稲盛アカデミー（郡元キャンパス） | 次世代フルコヒーレントアクセスネットワークに向けたグラフェンチャネルFET及びInP系HEMTによるサブテラヘルツ帯光電子融合周波数変換 ○菅原健太・玉虫 元・アドリアン ドブロユ・吉田智洋・末光哲也・吹留博一・末光眞希・リズィー ビクトール・岩月勝美（東北大）・桑野 茂・可児淳一・寺田 純（NTT）・尾辻泰一（東北大） OCS2015-95 |
グラフェンチャネルFET(G-FET)，及びInP系高電子移動度トランジスタ(HEMT)を試作し，それらトランジスタを用... [more] | OCS2015-95 pp.41-46 |
| ED | 2015-12-21 15:00 |
宮城 | 東北大通研ナノ・スピン棟 | グラフェンチャネルFETにおける真性パラメータの抽出 ○玉虫 元・菅原健太・佐藤 昭・田島圭一郎・吹留博一・末光眞希・尾辻泰一（東北大） ED2015-95 |
半絶縁性4H-SiC(0001 ̅)面基板の熱分解法により得られたエピタキシャルグラフェン(EG)を用いてグラ... [more] | ED2015-95 pp.25-30 |
| ED | 2014-12-22 14:10 |
宮城 | 東北大学電気通信研究所 片平北キャンパス ナノ・スピン総合研究棟 | InGaAsチャネルHEMT及びグラフェンチャネルFETを用いたミリ波帯フォトミキシング ○川崎鉄哉・吉田智洋・菅原健太・Adrian Dobroiu・渡辺隆之・杉山弘樹・若生洋由希（東北大）・可児淳一・寺田 純・桑野 茂（NTT）・吾郷浩樹・河原憲治（九大）・岩月勝美・末光哲也・尾辻泰一（東北大） ED2014-100 |
InGaAsチャネル高電子移動度トランジスタ(HEMT)、及びグラフェンチャネルFETを用いて、差周波12.5～37.5... [more] | ED2014-100 pp.9-13 |
| SDM, ED (共催) |
2007-02-01 13:50 |
北海道 | 北海道大学 百年記念会館 | 共鳴トンネル4RTD論理回路の動作解析 ○奥山太樹・菅原健太郎・江幡友彦・和保孝夫（上智大） |
[more] | ED2006-241 SDM2006-229 pp.7-12 |
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