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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
MW, ED
(共催)
2017-01-27
09:30
東京 機械振興会館地下2階1号室 ゼロバイアスGaAsSbバックワードダイオード検波器の雑音特性改善
高橋 剛佐藤 優芝 祥一中舍安宏原 直紀岩井大介岡本直哉渡部慶二富士通研
ミリ波およびテラヘルツ波の高感度検波器として、p+-GaAsSb/i-InAlAs/n-InGaAsヘテロ接合バックワー... [more] ED2016-102 MW2016-178
pp.29-33
ED 2016-12-19
14:40
宮城 東北大通研ナノ・スピン棟 InP HEMTの低温DC・RF特性に関するドレイン側リセス長の影響
遠藤 聡渡邊一世笠松章史NICT)・高橋 剛芝 祥一中舍安宏岩井大介富士通研)・三村高志富士通研/NICT
InP系75-nmゲートIn0.52Al0.48As/In0.63Ga0.37As HEMTの温度300及び16 Kにお... [more] ED2016-81
pp.7-12
ED 2016-01-20
15:05
東京 機械振興会館 [依頼講演]テラヘルツIC用InP HEMTの高fmax化
高橋 剛川野陽一牧山剛三芝 祥一中舍安宏原 直紀富士通研
300GHz帯の大容量高速無線通信を実現するために、高感度のテラヘルツ受信器が要求される。高速特性に優れたInP HEM... [more] ED2015-118
pp.37-41
ED 2015-12-21
13:45
宮城 東北大通研ナノ・スピン棟 InP HEMTの低温DC・RF特性に関する温度依存性
遠藤 聡NICT/富士通研)・渡邊一世笠松章史NICT)・高橋 剛芝 祥一中舍安宏岩井大介富士通研)・三村高志富士通研/NICT
75 nmゲートInP系In0.52Al0.48As/In0.63Ga0.37As HEMTのDC・RF特性を,温度30... [more] ED2015-92
pp.7-11
ED 2015-12-21
14:35
宮城 東北大通研ナノ・スピン棟 InP HEMTと集積化した300GHz受信用GaAsSbバックワードダイオードの検波特性
高橋 剛佐藤 優芝 祥一牧山剛三中舍安宏原 直紀富士通研
テラヘルツ波の高感度検出のために、InP HEMT低雑音増幅器とGaAaSb系バックワード高感度検波器を集積化したMMI... [more] ED2015-94
pp.19-23
MW, ED
(共催)
2015-01-16
13:00
東京 機械振興会館 電流再利用型広帯域ゲート接地増幅器MMICとその応用
佐藤 優芝 祥一川野陽一松村宏志高橋 剛鈴木俊秀中舍安宏原 直紀富士通
 [more] ED2014-130 MW2014-194
pp.77-81
ED 2014-12-23
09:40
宮城 東北大学電気通信研究所 片平北キャンパス ナノ・スピン総合研究棟 GaAsSbトンネルダイオードのドーピング制御による170GHzミリ波感度の向上
高橋 剛佐藤 優中舎安宏芝 祥一原 直紀岩井大介富士通研
高感度のミリ波受信用デバイスとして、GaAsSbを用いたヘテロ接合型トンネルダイオードの一種であるバックワードダイオード... [more] ED2014-108
pp.57-61
ED 2014-08-01
10:30
東京 機械振興会館B3-1室 [招待講演]高感度ミリ波受信用GaAsSbバックワードダイオード技術
高橋 剛佐藤 優中舍安宏芝 祥一原 直紀岩井大介富士通研
従来のショットキーダイオードに代わる高感度のミリ波受信用デバイスとして、ゼロバイアスで動作するバックワードダイオードを開... [more] ED2014-53
pp.1-6
ED 2013-12-16
13:15
宮城 東北大通研 [招待講演]超100GHz帯増幅器技術の進展とその通信への応用
佐藤 優川野陽一芝 祥一松村宏志高橋 剛鈴木俊秀中舍安宏原 直紀富士通
電子デバイス技術の進展に伴い100 GHzを超える高周波を用いたセンサ・通信システムの実現の見通しがついてきた.いずれの... [more] ED2013-91
pp.7-11
ED 2013-12-16
14:20
宮城 東北大通研 高精度スペクトル計測に向けたF帯InP HEMT基本波ミキサの開発
芝 祥一佐藤 優松村宏志高橋 剛鈴木俊秀中舍安宏原 直紀富士通
110 GHzを超える周波数での高精度スペクトル計測を目的として,InP HEMT技術を用いた広帯域基本波ミキサを開発し... [more] ED2013-93
pp.19-23
ED 2012-12-17
13:50
宮城 東北大学電通研 片平北キャンパス ナノ・スピン総合研究棟4階 カンファレンスルーム 75-nm InP HEMTを用いたF帯双方向増幅器
芝 祥一佐藤 優鈴木俊秀中舍安宏高橋 剛牧山剛三原 直紀富士通
短距離大容量通信システムへの適用に向け,75 nm InP HEMTを用いてF帯(90-140 GHz)で動作する電流再... [more] ED2012-95
pp.11-15
ED 2010-12-16
15:35
宮城 東北大学 電気通信研究所 局部発振器用THz-QCLの開発
入交芳久NICT)・芝 祥一東大)・関根徳彦寶迫 巌NICT)・小山知記前澤裕之名大)・山本 智東大
 [more] ED2010-161
pp.19-24
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