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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2009-12-04 13:00 |
奈良 | 奈良先端大 物質創成科学研究科 | ［招待講演］High-k/メタルゲートMOSFETのしきい値電圧の温度依存性 西田征男（ルネサステクノロジ/広島大）・永久克己・清水昭博・山下朋弘・尾田秀一・井上靖朗（ルネサステクノロジ）・○芝原健太郎（広島大/ルネサステクノロジ）  SDM2009-159 |
(事前公開アブストラクト) High-k/metal gate MOSFETについて昨年のIEDMでpoly-Si ga... [more] | SDM2009-159 pp.43-47 |
| SDM | 2008-12-05 15:50 |
京都 | 京都大学桂キャンパスA1-001 | 極淺接合形成のためのイオン注入によるGeアモルファス化プロセス 長田光生・○芝原健太郎（広島大） SDM2008-194 |
Siの微細MOSFET製作に欠かすことができない工程の一つである、極浅接合形成ではプレアモルファス化イオン注入がしばしば... [more] | SDM2008-194 pp.55-58 |
| SDM | 2007-12-14 14:30 |
奈良 | 奈良先端科学技術大学院大学 | Xe＋プレアモルファス化注入を用いたGe n+/p接合形成 ○福永哲也・芝原健太郎（広島大） |
[more] | |
| SDM | 2007-06-07 16:20 |
広島 | 広島大学（学士会館） | B添加Pd2Siフルシリサイドゲートの仕事関数変調 ○白石博之・細井卓治・大田晃生・宮崎誠一・芝原健太郎（広島大） SDM2007-37 |
[more] | SDM2007-37 pp.33-36 |
| SDM | 2006-06-21 16:25 |
広島 | 広島大学, 学士会館 | NiSi/SiO2界面近傍の化学結合状態およびNiSi 層の実効仕事関数評価 ○吉永博路・東 大介・村上秀樹・大田晃生・宗高勇気・東 清一郎・宮崎誠一（広島大）・青山敬幸・保坂公彦（富士通研）・芝原健太郎（広島大） |
不純物(Sb、As 、PおよびB)添加したNi-silicideを熱酸化シリコン酸化膜（SiO2）上に形成し、Si基板を... [more] | SDM2006-49 pp.43-48 |
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