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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
LQE, CPM, ED
(共催)
2020-11-26
11:55
ONLINE オンライン開催 エレクトロルミネッセンス・フォトルミネッセンス法によるAlN基板上265nm帯AlGaN LEDの評価
石井良太京大)・吉川 陽永瀬和宏旭化成)・船戸 充川上養一京大ED2020-6 CPM2020-27 LQE2020-57
 [more] ED2020-6 CPM2020-27 LQE2020-57
pp.21-24
LQE, CPM, ED
(共催)
2020-11-27
15:40
ONLINE オンライン開催 プラズモニックナノ共振器による高効率発光と量子デバイスへの応用
岡本晃一垣内晴也島ノ江考平村尾文弥松山哲也和田健司阪府大)・船戸 充川上養一京大ED2020-25 CPM2020-46 LQE2020-76
金属ナノ構造によるプラズモニックナノ共振器と共鳴することで,励起子の自然放出速度が増加し高効率発光が得られる.表面プラズ... [more] ED2020-25 CPM2020-46 LQE2020-76
pp.95-98
CPM, LQE, ED
(共催)
2019-11-22
13:05
静岡 静岡大学(浜松) 微傾斜AlN(0001)面上へのGaN極薄膜量子井戸の作製と光学特性
船戸 充小林敬嗣川上養一京大ED2019-54 CPM2019-73 LQE2019-97
有機金属気相成長法により,[1bar{mathrm{1}}00]方向に3傾斜したAlN(0001)基板上に,分子層(M... [more] ED2019-54 CPM2019-73 LQE2019-97
pp.89-92
ED, LQE, CPM
(共催)
2018-11-29
13:00
愛知 名古屋工業大学 GaN/AlN極薄膜量子井戸の作製と偏光特性
船戸 充市川修平川上養一京大ED2018-32 CPM2018-66 LQE2018-86
 [more] ED2018-32 CPM2018-66 LQE2018-86
pp.1-4
LQE 2017-12-15
10:35
東京 機械振興会館 [奨励講演]Polar-plane-free faceted InGaN microstructures for highly efficient polychromatic emitters
Yoshinobu MatsudaMitsuru FunatoYoichi KawakamiKyoto Univ.LQE2017-86
InGaNマルチファセット量子井戸構造は,蛍光体フリーな高効率白色合成が期待できることから,近年注目を集めている.しかし... [more] LQE2017-86
pp.5-8
LQE, CPM, ED
(共催)
2017-11-30
14:50
愛知 名古屋工業大学 マクロステップ上AlGaN量子細線の光学特性
早川峰洋林 佑樹長瀬勇樹市川修平熊本恭介柴岡真美船戸 充川上養一京大ED2017-52 CPM2017-95 LQE2017-65
近年,AlGaN/Al(Ga)N量子井戸を用いた深紫外LEDの研究が進展をみせており,メーカーによる市販化も始まった.し... [more] ED2017-52 CPM2017-95 LQE2017-65
pp.15-18
CPM, LQE, ED
(共催)
2016-12-13
10:05
京都 京大桂キャンパス 極性面フリーなInGaNマルチファセット構造を用いた多波長発光の実現
松田祥伸船戸 充川上養一京大ED2016-70 CPM2016-103 LQE2016-86
三次元GaN上に作製したInGaN量子井戸は,蛍光体フリーな新規白色LEDとして有望である.しかし,これまで報告されてき... [more] ED2016-70 CPM2016-103 LQE2016-86
pp.67-70
CPM, LQE, ED
(共催)
2016-12-13
10:30
京都 京大桂キャンパス クリーンプロセスによるAlNバルク結晶の成長
岸元克浩呉 珮岑船戸 充川上養一京大ED2016-71 CPM2016-104 LQE2016-87
本研究では,新たなAlNバルク成長法として,AlとN2を原料としたシンプルかつクリーンな方法であるElementary ... [more] ED2016-71 CPM2016-104 LQE2016-87
pp.71-74
ED, LQE, CPM
(共催)
2015-11-26
16:30
大阪 大阪市立大学・学術情報センター会議室 多波長励起発光分離法を用いたInGaN薄膜のラマン散乱分光
石戸亮祐石井良太船戸 充川上養一京大ED2015-79 CPM2015-114 LQE2015-111
共鳴ラマン散乱分光法は,発光素子の活性層の評価法として高いポテンシャルを有している.しかし,ラマン信号に発光スペクトルが... [more] ED2015-79 CPM2015-114 LQE2015-111
pp.59-62
ED, LQE, CPM
(共催)
2015-11-26
16:55
大阪 大阪市立大学・学術情報センター会議室 アルミニウムを用いたプラズモニクスの発光増強応用
岡本晃一立石和隆川元 駿西田知句玉田 薫九大)・船戸 充川上養一京大ED2015-80 CPM2015-115 LQE2015-112
プラズモニクスの利用は,高効率発光ダイオード(LED)の発光効率を改善する有効な方法のひとつである.我々は2004年に,... [more] ED2015-80 CPM2015-115 LQE2015-112
pp.63-68
LQE, ED, CPM
(共催)
2014-11-27
11:00
大阪 大阪大学 吹田キャンパス 理工学図書館 格子整合系ScAlMgO4基板上でのGaN系窒化物半導体の結晶成長
尾崎拓也船戸 充川上養一京大ED2014-74 CPM2014-131 LQE2014-102
ScAlMgO4 (SCAM)基板上のGaN系窒化物半導体の有機金属気相成長に関して述べる.SCAMは斜方晶の結晶で,六... [more] ED2014-74 CPM2014-131 LQE2014-102
pp.5-8
CPM, LQE, ED
(共催)
2013-11-28
16:40
大阪 大阪大学 吹田キャンパス A novel method for crystallizations of aluminum nitride
PeiTsen WuMitsuru FunatoYoichi KawakamiKyoto Univ.ED2013-75 CPM2013-134 LQE2013-110
In this work, a new method of AlN crystal growth is proposed... [more] ED2013-75 CPM2013-134 LQE2013-110
pp.51-55
ED, LQE, CPM
(共催)
2012-11-30
11:25
大阪 大阪市立大学 Effects of internal fields and potential inhomogeneity on the lasing properties of InGaN-based green laser diodes fabricated on (0001) polar substrates
Yoon Seok KimKyout Univ.)・Akio KanetaMitsuru FunatoYoichi KawakamiKyoto Univ.)・Takashi MiyoshiShin-ichi NagahamaNichiaED2012-81 CPM2012-138 LQE2012-109
緑色領域でのレーザの開発がInGaNをベースとした材料系で進められている.とくに,従来用いられている(0001)極性面と... [more] ED2012-81 CPM2012-138 LQE2012-109
pp.71-74
LQE, ED, CPM
(共催)
2011-11-18
09:30
京都 京都大学桂キャンパス 桂ホール 窒化アルミニウムの電子状態に対する歪みの効果
石井良太金田昭男ライアン バナル船戸 充川上養一京大ED2011-88 CPM2011-137 LQE2011-111
sp3 価電子軌道を構成しているウルツ鉱構造の半導体の価電子帯頂上は,結晶場相互作用によって既約
表現がΓ1 とΓ5 ... [more]
ED2011-88 CPM2011-137 LQE2011-111
pp.77-80
LQE, ED, CPM
(共催)
2011-11-18
11:10
京都 京都大学桂キャンパス 桂ホール Optical gain spectra in semipolar {20-21} oriented green InGaN LDs in comparison with (0001) LDs
Yoon Seok KimAkio KanetaMitsuru FunatoYoichi KawakamiKyoto Univ.)・Takashi KyonoMasaki UenoTakao NakamuraSumitomo ElectricED2011-92 CPM2011-141 LQE2011-115
 [more] ED2011-92 CPM2011-141 LQE2011-115
pp.99-102
CPM, LQE, ED
(共催)
2010-11-11
14:55
大阪 阪大 中ノ島センター 空間時間分解PLによるInGaN/GaN単一量子井戸のキャリア拡散ダイナミクスの評価 ~ SNOMによるEfficiency droop機構の解明 ~
橋谷 享金田昭男船戸 充川上養一京大ED2010-149 CPM2010-115 LQE2010-105
InGaN 単一量子井戸構造(SQW)のefficiency droop 現象を解明するために, 本研究では, 内部量子... [more] ED2010-149 CPM2010-115 LQE2010-105
pp.33-36
CPM, LQE, ED
(共催)
2010-11-11
15:20
大阪 阪大 中ノ島センター 電子線励起したAlGaN/AlN量子井戸からの100 mW深紫外発光
大音隆男Ryan G. Banal京大)・片岡 研ウシオ電機)・船戸 充川上養一京大ED2010-150 CPM2010-116 LQE2010-106
AlGaNを用いた深紫外発光ダイオードの外部量子効率は5%以下と非常に低いのが現状である.その物理的原因として,p型のホ... [more] ED2010-150 CPM2010-116 LQE2010-106
pp.37-40
ED, LQE, CPM
(共催)
2009-11-19
13:05
徳島 徳島大学(常三島キャンパス・工業会館) 半極性{11-22}InGaN量子井戸構造の近接場発光マッピング測定
金田昭男上田雅也船戸 充川上養一京大ED2009-135 CPM2009-109 LQE2009-114
ELO-GaN テンプレート上のc面InGaN量子井戸(QW)および{11-22}バルクGaN基板上のInGaN QWの... [more] ED2009-135 CPM2009-109 LQE2009-114
pp.35-38
ED, LQE, CPM
(共催)
2009-11-19
13:30
徳島 徳島大学(常三島キャンパス・工業会館) 近接場光学顕微鏡によるInGaN/GaN単一量子井戸構造の発光強度飽和マッピング
橋谷 享金田昭男船戸 充川上養一京大ED2009-136 CPM2009-110 LQE2009-115
InGaN 発光ダイオードにおける, 注入キャリア数の増加に対して, 光出力が線形に増加しない原因を解明するために, 本... [more] ED2009-136 CPM2009-110 LQE2009-115
pp.39-42
LQE, ED, CPM
(共催)
2008-11-27
15:50
愛知 名古屋工業大学 マルチファセットを利用したInGaN/GaN波長可変発光ダイオード
船戸 充林 敬太上田雅也川上養一京大)・成川幸男向井孝志日亜化学ED2008-164 CPM2008-113 LQE2008-108
GaN微細構造を利用したマルチファセットInGaN/GaN発光ダイオード(LED)を作製した.各ファセット面における量子... [more] ED2008-164 CPM2008-113 LQE2008-108
pp.57-60
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