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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
CPM, LQE, ED
(共催)
2016-12-13
10:55
京都 京大桂キャンパス 紫外透明p型AlGaNコンタクト層を用いた高効率深紫外LEDの開発
美濃卓哉パナソニック)・平山秀樹理研)・高野隆好後藤浩嗣植田充彦椿 健治パナソニックED2016-72 CPM2016-105 LQE2016-88
現在市販されている波長270~280nm帯のAlGaN系深紫外LEDの外部量子効率(EQE)は1~4%と低いため,市場へ... [more] ED2016-72 CPM2016-105 LQE2016-88
pp.75-78
CPM, LQE, ED
(共催)
2013-11-29
13:30
大阪 大阪大学 吹田キャンパス 270nm帯深紫外LEDの大面積形成
美濃卓哉理研/パナソニック)・平山秀樹理研)・野口憲路高野隆好椿 健治理研/パナソニックED2013-82 CPM2013-141 LQE2013-117
AlGaN系深紫外LEDの低コスト化を狙い,2インチ×3枚サイズのサセプタを用いた大面積形成技術を開発した.アンモニアパ... [more] ED2013-82 CPM2013-141 LQE2013-117
pp.83-86
LQE, ED, CPM
(共催)
2011-11-18
12:45
京都 京都大学桂キャンパス 桂ホール 2インチ×3枚対応MOCVDを用いた260nm帯AlGaN系UV-LEDの開発
美濃卓哉理研/パナソニック電工)・平山秀樹理研)・高野隆好野口憲路椿 健治理研/パナソニック電工ED2011-93 CPM2011-142 LQE2011-116
深紫外発光ダイオード(深紫外LED)市場の拡大が予想されていることから,我々は,深紫外LEDの低コスト化を目指し,2イン... [more] ED2011-93 CPM2011-142 LQE2011-116
pp.103-106
LQE, ED, CPM
(共催)
2011-11-18
13:35
京都 京都大学桂キャンパス 桂ホール ELO-AlNテンプレートを用いたSi基板上AlGaN系UV-LEDの256nm発光
美濃卓哉理研/パナソニック電工)・平山秀樹理研)・高野隆好椿 健治理研/パナソニック電工)・杉山正和東大ED2011-95 CPM2011-144 LQE2011-118
我々は,横方向成長法(ELO)により形成したAlNテンプレートを用いて,Si基板上に256-278nm帯で発光する深紫外... [more] ED2011-95 CPM2011-144 LQE2011-118
pp.113-116
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