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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM 2008-10-10
13:00
宮城 東北大学 B18H22注入のミリ秒アニールに対する適用性
川崎洋司遠藤誠一北澤雅志丸山祥輝山下朋弘黒井 隆吉村秀文米田昌弘ルネサステクノロジ
B18H22注入のミリ秒アニールに対する適用性を調べた。ミリ秒アニールとスパイクアニールのフローを持つPMOSFETにお... [more] SDM2008-161
pp.37-40
SDM 2006-06-21
15:20
広島 広島大学, 学士会館 フェルミピニングによるpoly-Si電極の仕事関数制御と低電力用CMOSFET特性の向上
嶋本泰洋日立)・由上二郎井上真雄水谷斉治林 岳米田昌弘ルネサステクノロジ
 [more] SDM2006-47
pp.31-35
ICD, SDM
(共催)
2005-08-19
11:35
北海道 函館国際ホテル poly-Si電極における仕事関数変調とそのデバイスインパクト ~ SiON/poly-Si界面の微量Hfの効果 ~
由上二郎ルネサステクノロジ)・嶋本泰洋日立)・井上真雄水谷斉治林 岳志賀克哉藤田文子土本淳一大野吉和米田昌弘ルネサステクノロジ
SiON/poly-Si界面に微量Hfを添加することにより、poly-Si電極の仕事関数変調が可能になる。我々は、本技術... [more] SDM2005-149 ICD2005-88
pp.37-42
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