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 17件中 1~17件目  /   
研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ICD 2018-04-20
13:00
東京 機械振興会館 [招待講演]情報セキュリティのためのランダム回路
篠原尋史早大
 [more] ICD2018-11
p.45
SDM, ICD
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2017-08-01
09:45
北海道 北海道大学情報教育館 不揮発情報一括書き込み・読み出し可能な初期値確定SRAM
水谷朋子竹内 潔更屋拓哉東大)・篠原尋史早大)・小林正治平本俊郎東大
通常のSRAMアレイを利用した一括書き込み・読み出し可能な不揮発性メモリを提案する.記憶させたい情報を反転してからセルに... [more] SDM2017-38 ICD2017-26
pp.49-54
ICD 2013-04-12
14:45
茨城 産業技術総合研究所 つくばセンター [依頼講演]非選択カラムのビット線電荷を有効利用するためのチャージコレクタ回路を搭載した13.8pJ/Access/Mbit SRAM
森脇真一山本安衛鈴 木 利 一半導体理工学研究センター)・川澄 篤東芝)・宮野信治篠原尋史半導体理工学研究センター)・桜井貴康東大
本論文は、非選択カラムの電荷を有効利用のためのチャージコレクタ回路を有する1Mb SRAMを40nmテクノロジで製作した... [more] ICD2013-20
pp.103-108
ICD, SDM
(共催)
2012-08-02
11:25
北海道 札幌市男女共同参画センター [招待講演]0.5V動作低エネルギー回路と応用
篠原尋史半導体理工学研究センター
電源電圧を0.5Vあるいはそれ以下の極低電圧で動作させることが、根本的なLSI消費エネルギー低減策として期待が集まってい... [more] SDM2012-67 ICD2012-35
pp.23-28
ICD 2012-04-24
13:50
岩手 つなぎ温泉清温荘(岩手県) [依頼講演]ビット線振幅量を抑えるチャージシェア階層ビット線方式を用いた0.4V動作SRAM
森脇真一川澄 篤半導体理工学研究センター)・鈴木利一パナソニック)・山本安衛宮野信治篠原尋史半導体理工学研究センター)・桜井貴康東大
 [more] ICD2012-13
pp.67-71
SDM, ICD
(共催)
2011-08-26
12:55
富山 富山県民会館 [招待講演]エナジーハーベストを用いた無線センサノードに適用可能な0.5V極低電力回路技術
高宮 真石田光一更田裕司東大)・野村昌弘篠原尋史半導体理工学研究センター)・桜井貴康東大
エナジーハーベストを用いた無線センサノードに適用可能な0.5V極低電力回路技術について示す。ロジック回路の最低可動電圧(... [more] SDM2011-88 ICD2011-56
pp.87-92
SDM, ICD
(共催)
2011-08-26
16:30
富山 富山県民会館 低電圧動作可能なコンテンションレス・フリップフロップと2種の電源電圧による整数演算回路のエネルギー効率向上の実証
更田裕司東大)・平入孝二半導体理工学研究センター)・安福 正高宮 真東大)・野村昌弘篠原尋史半導体理工学研究センター)・桜井貴康東大
 [more] SDM2011-95 ICD2011-63
pp.127-132
ICD 2011-04-19
11:20
兵庫 神戸大学 瀧川記念館 [依頼講演]サスペンディッド・ビットライン読出し方式を用いた0.5V 5.5nsecアクセスタイムバルクCMOS 8T SRAM
鈴木利一森脇真一川澄 篤宮野信治篠原尋史半導体理工学研究センター
低電圧(0.5V)で高速(アクセスタイム5.5nsec)のバルクCMOS 8T SRAMについて報告する。相補読出し型の... [more] ICD2011-12
pp.65-70
ICD 2010-04-22
10:50
神奈川 湘南工大 [依頼講演] 負バイアス回路で動作マージンを改善したクロスポイント8T-SRAM
薮内 誠新居浩二塚本康正中瀬泰伸篠原尋史ルネサス エレクトロニクス
低電圧低電力動作可能な新しいクロスポイント8T-SRAMを開発した。
読み込み時、メモリセルのVSSを負電位にすること... [more]
ICD2010-3
pp.13-16
ICD 2008-12-12
16:35
東京 東工大(大岡山)国際交流会館 [依頼講演] 45nm CMOSにおけるばらつき低減を目的とした基板バイアス制御技術の提案
鹿嶋一生鈴木弘明栗本昌憲ルネサステクノロジ)・山中唯生ルネサスデザイン)・高田英裕ルネサステクノロジ)・牧野博之阪工大)・篠原尋史ルネサステクノロジ
微細化プロセスにおけるばらつき抑制を目的としたポストシリコンプログラミング型基板バイアス技術を提案する。提案手法では、ウ... [more] ICD2008-128
pp.137-142
SDM [詳細] 2008-11-14
13:50
東京 機械振興会館 [招待講演][招待講演]ディープサブミクロン世代におけるSRAMのロバスト設計
新居浩二薮内 誠塚本康正大林茂樹篠原尋史ルネサステクノロジ
微細化によるトランジスタ特性のばらつき増大によって、オンチップSRAMの読み出し・書き込み動作マージンが減少している。こ... [more] SDM2008-178
pp.55-60
VLD 2008-09-29
13:30
石川 金沢商工会議所会館 [招待講演]エラー検出FFを用いたDVSにおけるShort Path PenaltyとOR-Tree Latencyの低減手法
栗本昌憲鈴木弘明ルネサステクノロジ)・秋山 励山中唯生大熊晴之ルネサスデザイン)・高田英裕篠原尋史ルネサステクノロジ
 [more] VLD2008-47
pp.1-6
ICD, SDM
(共催)
2007-08-24
16:05
北海道 北見工業大学 同時R/W課題への耐性を有する階層型レプリカビット線技術を用いた45nm2ポート8T-SRAM
石倉 聡車田総希寺野登志夫山上由展粉谷直樹里見勝治松下電器)・新居浩二薮内 誠塚本康正大林茂樹大芦敏行牧野博之篠原尋史ルネサステクノロジ)・赤松寛範松下電器
45nm世代のシステムLSIをターゲットとしたシングルビット線の8T型メモリセルを用いた新規2ポートSRAMを提案する。... [more] SDM2007-168 ICD2007-96
pp.145-148
ICD 2007-04-13
09:40
大分 大分県・湯布院・七色の風 [招待講演]A 65 nm Embedded SRAM with Wafer Level Burn-In Mode, Leak-Bit Redundancy and E-trim Fuse for Known Good Die
Shigeki OhbayashiMakoto YabuuchiKazushi KonoRenesas Technology)・Yuji OdaShikino High-Tech)・Susumu ImaokaRenesas Design)・Keiichi UsuiDaioh Electric)・Toshiaki YonezuTakeshi IwamotoKoji NiiYasumasa TsukamotoMasashi ArakawaTakahiro UchidaHiroshi MakinoKoichiro IshibashiHirofumi ShinoharaRenesas Technology
 [more] ICD2007-11
pp.59-64
ICD, SDM
(共催)
2006-08-18
12:05
北海道 北海道大学 超高集積を実現した65nmテクノロジのSoC向けデュアルポートSRAMの開発
今岡 進ルネサスデザイン)・新居浩二ルネサステクノロジ)・増田康浩ルネサスデザイン)・薮内 誠塚本康正大林茂樹五十嵐元繁冨田和朗坪井信生牧野博之石橋孝一郎篠原尋史ルネサステクノロジ
65nmテクノロジを適用した高密度の8T-dual-port(DP)-SRAMを開発した。プライオリティー行デコーダとビ... [more] SDM2006-148 ICD2006-102
pp.133-136
ICD, SDM
(共催)
2006-08-18
14:35
北海道 北海道大学 65nm混載SRAMでの動作マージン改善回路
薮内 誠大林茂樹新居浩二塚本康正ルネサステクノロジ)・今岡 進ルネサスデザイン)・五十嵐元繁竹内雅彦川島 光牧野博之山口泰男塚本和宏犬石昌秀石橋孝一郎篠原尋史ルネサステクノロジ
 [more] SDM2006-151 ICD2006-105
pp.149-153
ICD 2006-04-14
13:50
大分 大分大学 局所的な閾値電圧ばらつきに対するSRAM安定動作解析手法について
塚本康正新居浩二ルネサステクノロジ)・今岡 進ルネサスデザイン)・小田祐士シキノハイテック)・大林茂樹薮内 誠牧野博之石橋孝一郎篠原尋史ルネサステクノロジ
 [more] ICD2006-18
pp.97-102
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