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 15件中 1~15件目  /   
研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM 2019-11-08
13:30
東京 機械振興会館 [招待講演]トレンチゲート型Si-IGBTの3次元精密TCADシミュレーション
渡辺正裕執行直之星井拓也古川和由角嶋邦之東工大)・佐藤克己三菱電機)・末代知子東芝デバイス&ストレージ)・更屋拓哉高倉俊彦伊藤一夫福井宗利鈴木慎一竹内 潔東大)・宗田伊里也若林 整東工大)・中島 昭産総研)・西澤伸一九大)・筒井一生東工大)・平本俊郎東大)・大橋弘通岩井 洋東工大
 [more]
SDM, ICD
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2019-08-08
10:25
北海道 北海道大学 情報科学院 3F A31 [依頼講演]5Vゲート駆動による3300VスケーリングIGBTのスイッチング動作
平本俊郎更屋拓哉伊藤一夫高倉俊彦福井宗利鈴木慎一竹内 潔東大)・附田正則北九州市環境エレクトロニクス研)・沼沢陽一郎明大)・佐藤克己三菱電機)・末代知子東芝デバイス&ストレージ)・齋藤 渉九大)・角嶋邦之星井拓也古川和由渡辺正裕執行直之若林 整筒井一生岩井 洋東工大)・小椋厚志明大)・西澤伸一九大)・大村一郎九工大)・大橋弘通東工大
 [more] SDM2019-42 ICD2019-7
pp.31-34
SDM 2019-06-21
14:30
愛知 名古屋大学 VBL3F [依頼講演]光電子ホログラフィー法によるシリコン中に高濃度ドープされた活性および不活性な不純物原子の三次元原子配列構造の観測
筒井一生東工大)・松下智裕高輝度光科学研究センター)・名取鼓太郞小川達博東工大)・室 隆桂之高輝度光科学研究センター)・森川良忠阪大)・星井拓也角嶋邦之若林 整東工大)・林 好一名工大)・松井文彦分子科学研)・木下豊彦高輝度光科学研究センター
光電子ホログラフィー法と第一原理計算を組み合わせて、Si中にドープしたAsの三次元原子配列構造を明らかにした。Asは、S... [more] SDM2019-30
pp.23-27
SDM 2019-01-29
15:40
東京 機械振興会館 [招待講演]5Vゲート駆動1200V級スケーリングIGBTの動作実証とスイッチング損失の低減
更屋拓哉伊藤一夫高倉俊彦福井宗利鈴木慎一竹内 潔東大)・附田正則北九州市環境エレクトロニクス研)・沼沢陽一郎明大)・佐藤克己三菱電機)・末代知子齋藤 渉東芝)・角嶋邦之星井拓也古川和由渡辺正裕執行直之筒井一生岩井 洋東工大)・小椋厚志明大)・西澤伸一九大)・大村一郎九工大)・大橋弘通東工大)・平本俊郎東大
スケーリング原理に基づく5Vゲート駆動1200V耐圧を有するSi-IGBT (Insulated Gate Bipola... [more] SDM2018-90
pp.39-44
SDM 2017-06-20
15:15
東京 キャンパス・イノベーションセンター東京 508(AB) 分極接合基板上pチャネルGaN MOS構造の容量特性についての検討
高山留美星井拓也東工大)・中島 昭産総研)・西澤伸一九大)・大橋弘通角嶋邦之若林 整筒井一生東工大
 [more] SDM2017-27
pp.31-34
SDM 2017-06-20
16:10
東京 キャンパス・イノベーションセンター東京 508(AB) 硫黄雰囲気硫化プロセスによるスパッタMoS2薄膜の低キャリア密度化
松浦賢太朗大橋 匠宗田伊理也東工大)・石原聖也明大)・角嶋邦之筒井一生東工大)・小椋厚志明大)・若林 整東工大
 [more]
SDM 2016-06-29
13:30
東京 キャンパス・イノベーションセンター東京 SiO2の絶縁破壊と局所陽極酸化を用いた抵抗変化デバイス
角嶋邦之若林 整筒井一生岩井 洋東工大
高い抵抗比が得られる抵抗変化メモリとしてCeOx膜と界面SiO2層をSi基板に積層した構造を提案する。上部電極への正の電... [more] SDM2016-38
pp.33-36
SDM 2016-06-29
16:40
東京 キャンパス・イノベーションセンター東京 TFT応用に向けたRFマグネトロンスパッタリング法によるMoS2膜の形成
大橋 匠松浦賢太朗東工大)・石原聖也日比野祐介澤本直美明大)・角嶋邦之筒井一生東工大)・小椋厚志明大)・若林 整東工大
層状構造を有するMoS2は薄膜領域において高移動度を有することから,柔軟性や光透過性などを併せ持つ次世代の極微細Comp... [more] SDM2016-46
pp.75-78
SDM 2012-06-21
15:05
愛知 名古屋大学(ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー) 極浅接合における異なる化学結合状態を持つ不純物の検出とその深さ方向プロファイル評価
筒井一生金原 潤宮田陽平東工大)・野平博司東京都市大)・泉 雄大室 隆桂之木下豊彦高輝度光科学研究センター)・パールハット アヘメト角嶋邦之服部健雄岩井 洋東工大
Si基板表面にBドープおよびAsドープにより形成された極浅接合中に存在する複数の化学結合状態を持つ不純物の深さ方向濃度プ... [more] SDM2012-56
pp.69-74
SDM 2012-06-21
16:35
愛知 名古屋大学(ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー) 微細3次元デバイスに向けたシリサイドショットキーS/Dの界面制御方法の提案
田村雄太吉原 亮角嶋邦之パールハット アヘメト片岡好則西山 彰杉井信之筒井一生名取研二服部健雄岩井 洋東工大
本研究ではシリサイド形成時の界面制御方法としてNi/Si積層構造を提案する。Ni/Si積層構造によって形成した積層$Ni... [more] SDM2012-59
pp.87-92
SDM 2011-07-04
09:00
愛知 名古屋大学(ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー) 高温熱処理とMIPS構造によるLa-silicate/Si界面特性の改善と低EOTの実現
川那子高暢角嶋邦之Parhat Ahmet筒井一生西山 彰杉井信之名取研二服部健雄岩井 洋東工大
本論文では、低EOTと良好な界面特性の両立に向けた直接接合La-silicate/Si構造の界面制御について報告する。8... [more] SDM2011-50
pp.1-5
SDM 2011-07-04
10:00
愛知 名古屋大学(ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー) コンダクタンス法を用いたHfO2/In0.53Ga0.47Asの界面解析
ザデ ダリューシュ細井隆司アヘメト パルハット角嶋邦之筒井一生西山 彰杉井信之名取研二服部健雄岩井 洋東工大
 [more] SDM2011-53
pp.17-22
SDM 2010-06-22
10:45
東京 東京大学(生産研An棟) SiナノワイヤへのNiシリサイド形成と過剰な侵入とその抑制に関する検討
茂森直登佐藤創志角嶋邦之パールハット アヘメト筒井一生西山 彰杉井信之名取研二服部健雄岩井 洋東工大
SiナノワイヤにおけるNiシリサイドはワイヤ形状や周囲の酸化膜の影響から、バルク基板との反応と異なった反応を示す。ワイヤ... [more] SDM2010-36
pp.17-22
SDM 2010-06-22
13:45
東京 東京大学(生産研An棟) EOT=0.5nmに向けた希土類MOSデバイスの高温短時間熱処理の検討
来山大祐小柳友常角嶋邦之Parhat Ahmet筒井一生西山 彰杉井信之名取研二服部健雄岩井 洋東工大
EOT=0.5 nmを達成するにはSi基板との界面においてSiO<sub>2</sub>界面層が形成されないhigh-k... [more] SDM2010-41
pp.43-48
SDM 2007-06-08
11:20
広島 広島大学(学士会館) ラジカル窒化によるLa2O3ゲート絶縁膜への窒素導入効果 ~ 堆積時窒化によるEOT増加抑制効果 ~
佐藤創志舘 喜一宋 在烈角嶋邦之パールハット アヘメト筒井一生杉井信之服部健雄岩井 洋東工大
窒素ラジカルの照射下においてEB蒸着によりLa2O3膜を堆積することにより、La2O3膜への窒素導入を行った。La2O3... [more] SDM2007-44
pp.71-74
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