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講演検索結果
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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM 2021-11-11
13:00
ONLINE オンライン開催 [招待講演]極低消費電力メモリ・ロジック・AI応用に向けたHfZrO2系FeFETへの期待
高木信一トープラサートポン カシディット羅 璇名幸瑛心王 澤宇李 宗恩田原建人竹中 充中根了昌東大
 [more]
SDM, ICD
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2021-08-18
11:00
ONLINE オンライン開催 [招待講演]低電圧動作・低温プロセス・高エンデュランスの極薄膜HfO2系強誘電体の実証 ~ 微細技術ノードの混載メモリへの展開 ~
トープラサートポン カシディット田原建人東大)・彦坂幸信中村 亘齋藤 仁富士通セミコンダクターメモリソリューション)・竹中 充高木信一東大SDM2021-38 ICD2021-9
本研究は、厚さ2.8~9.5 nmをもつHf0.5Zr0.5O2の強誘電体キャパシタの作製プロセス、強誘電特性、およびメ... [more] SDM2021-38 ICD2021-9
pp.42-47
SDM 2021-06-22
13:50
ONLINE オンライン開催 [記念講演]Si/HZO強誘電体FETの動作機構 ~ MOS(MFS)界面で起こる現象 ~
トープラサートポン カシディット李 宗恩林 早阳田原建人渡辺耕坪竹中 充高木信一東大SDM2021-23
本講演はSi/HfO2系強誘電体FETのメモリ特性を決定するMFIS界面での現象について解説する。HfO2系強誘電体とS... [more] SDM2021-23
pp.7-12
SDM 2021-01-28
16:05
ONLINE オンライン開催 [招待講演]チャネル薄膜化と(111)面方位の組み合わせによるInAs-On-Insulator nMOSFETのサブバンド制御
隅田 圭トープラサートポン カシディット竹中 充高木信一東大SDM2020-54
III-V nMOSFETの本質的な3つの課題である, 低半導体容量, 強い膜厚揺らぎ散乱, 多量の界面準位の問題を克服... [more] SDM2020-54
pp.21-24
ICD, SDM
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2020-08-06
10:15
ONLINE オンライン開催 [招待講演]Si強誘電体FETにおける分極・電荷のカップリングとメモリ特性への影響
トープラサートポン カシディット林 早阳李 宗恩竹中 充高木信一東大SDM2020-2 ICD2020-2
強誘電体をMOSFETのゲート絶縁膜とした強誘電体FETは従来のMOSFETとは異なり,強誘電体/半導体界面における強誘... [more] SDM2020-2 ICD2020-2
pp.3-7
ICD, SDM
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2020-08-07
10:15
ONLINE オンライン開催 [招待講演]ニューロモルフィック応用に向けたHf0.5Zr0.5O2/Si FeFETを用いたリザバーコンピューティング
名幸瑛心トープラサートポン カシディット中根了昌王 澤宇宮武悠人竹中 充高木信一東大SDM2020-7 ICD2020-7
 [more] SDM2020-7 ICD2020-7
pp.31-36
LQE, OPE, CPM, EMD, R
(共催)
2019-08-23
09:25
宮城 東北大学 電気通信研究 本館オープンセミナールーム(M153) [招待講演]III-V族半導体薄膜を用いたハイブリッド光変調器の展望
竹中 充李 強関根尚希高木信一東大R2019-28 EMD2019-26 CPM2019-27 OPE2019-55 LQE2019-33
我々はSi導波路とIII-V族半導体薄膜をゲート絶縁膜となるAl2O3で貼り合わせたハイブリッドMOS構造に蓄積した電子... [more] R2019-28 EMD2019-26 CPM2019-27 OPE2019-55 LQE2019-33
pp.43-46
SDM, ICD
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2019-08-09
10:15
北海道 北海道大学 情報科学院 3F A31 アモルファスZnSnO/Si積層型トンネルFETの作製と電気特性評価
加藤公彦東大/産総研)・松井裕章田畑 仁竹中 充高木信一東大SDM2019-46 ICD2019-11
酸化物半導体/IV族半導体積層型トンネルFETのサブスレショルド特性向上に向け,膜厚均一性の高いアモルファスZnSnOチ... [more] SDM2019-46 ICD2019-11
pp.63-66
SDM 2018-11-08
11:20
東京 機械振興会館 [招待講演]酸化物半導体/IV族半導体を用いた超低消費電力トンネルトランジスタの提案と素子設計
加藤公彦松井裕章田畑 仁竹中 充高木信一東大SDM2018-66
本研究では,超低消費電力な集積回路実現に向け,酸化物半導体と IV 族半導体を組み合わせた Type-II エネルギーバ... [more] SDM2018-66
pp.11-16
LQE 2018-07-13
10:00
北海道 北海道大学 [招待講演]高性能Si/SiGe変調器と光集積回路への応用
藤方潤一野口将高高橋重樹蔵田和彦光電子融合基盤技研)・竹中 充東大)・中村隆宏光電子融合基盤技研LQE2018-30
高効率で広帯域化が可能なMOS (metal-oxide-semiconductor)型Si光変調器,歪SiGe光変調器... [more] LQE2018-30
pp.39-42
LQE 2018-07-13
10:40
北海道 北海道大学 [招待講演]SiハイブリッドMOS位相シフタを用いた光変調器の展望
竹中 充高木信一東大LQE2018-31
我々はシリコン導波路上に化合物半導体薄膜をゲート絶縁膜を介して貼り合わせたハイブリッドMOS構造を提唱し,その光変調器応... [more] LQE2018-31
pp.43-46
SDM 2018-01-30
11:30
東京 機械振興会館 [招待講演]Type-IIエネルギーバンド構造を有する酸化物半導体/(Si, SiGe, Ge)積層型トンネル電界効果トランジスタの提案と動作実証
加藤公彦松井裕章田畑 仁竹中 充高木信一東大SDM2017-92
本研究では,酸化物半導体とIV族半導体を組み合わせた,Type-IIエネルギーバンド構造を有する新しいトンネル電界効果ト... [more] SDM2017-92
pp.5-8
SDM 2017-01-30
10:30
東京 機械振興会館 [招待講演]Ge/III-V族半導体を用いたトンネルFET技術
高木信一安 大煥野口宗隆後藤高寛西 康一金 閔洙竹中充一東大SDM2016-131
 [more] SDM2016-131
pp.5-8
SDM 2016-01-28
10:00
東京 機械振興会館 [招待講演]極薄膜Ge-On-Insulator(GOI) p-MOSFETのキャリア輸送特性
ユウ シャオ亢 健竹中 充高木信一東大SDM2015-120
 [more] SDM2015-120
pp.1-4
SDM 2016-01-28
14:00
東京 機械振興会館 [招待講演]Si上異種半導体集積によるCMOSフォトニクス
竹中 充金 栄現韓 在勲亢 健一宮佑希程 勇鵬朴 珍權金 相賢高木信一東大SDM2015-124
本論文では,Siプラットフォーム上にSiGeやGe,III-V族半導体を集積することで光電子集積回路を実現するCMOSフ... [more] SDM2015-124
pp.17-20
SDM 2015-01-27
10:50
東京 機械振興会館 [招待講演]ゲルマニウムソース薄膜ひずみSOIトンネルFETの実現とその電気特性に与えるひずみ、MOS界面、バックバイアスの効果
金 閔洙若林勇希中根了昌横山正史竹中 充高木信一東大SDM2014-137
本論文では、ゲルマニウムソース/ひずみシリコンチャネルヘテロ接合トンネルFETの高性能動作の実証結果を示す。シリコンチャ... [more] SDM2014-137
pp.9-12
OPE, LQE
(共催)
2014-12-19
14:50
東京 機械振興会館(12/18)、NTT厚木センタ(12/19) III-V-OI基板の耐熱性向上技術および低抵抗横型PIN接合形成技術
一宮佑希竹中 充高木信一東大OPE2014-146 LQE2014-133
III-V CMOSフォトニクスは、III-V-on-Insulator (III-V-OI)基板を用いることで化合物半... [more] OPE2014-146 LQE2014-133
pp.37-40
OPE, LQE
(共催)
2014-06-20
16:40
東京 機械振興会館 III-V CMOSフォトニクスを用いた小型低クロストーク光スイッチ
一宮佑希横山正史竹中 充高木信一東大OPE2014-21 LQE2014-26
III-V CMOSフォトニクスは、基板貼り合わせによって作製したIII-V on insulator (III-V-O... [more] OPE2014-21 LQE2014-26
pp.39-42
SDM 2014-01-29
15:05
東京 機械振興会館 [招待講演]強い短チャネル効果耐性と閾値変調性を持つ極薄膜InAs-on-Insulator Tri-Gate MOSFET
金 相賢横山正史中根了昌東大)・市川 磨長田剛規秦 雅彦住友化学)・竹中 充高木信一東大SDM2013-144
 [more] SDM2013-144
pp.39-42
SDM 2013-06-18
11:15
東京 機械振興会館 InGaAs MOSゲートスタック電気特性に与えるメタルゲート電極の影響
張 志宇横山正史金 相賢東大)・市川 磨長田剛規秦 雅彦住友化学)・竹中 充高木信一東大SDM2013-50
メタルゲート電極がInGaAs MOSゲートスタックの電気特性に与える影響を評価するために、Al2O3/InGaAsとH... [more] SDM2013-50
pp.33-37
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