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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
LQE 2009-12-11
11:25
東京 機械振興会館 地下3階2号室 OBICモニタを使ったInAs/InP MQW-DFBレーザの安定動作の解析
竹下達也佐藤具就満原 学近藤康洋大橋弘美NTTLQE2009-143
2.3$\micron$m波長InAs/InP-MQW-DFBレーザで推定寿命$10^5$h以上(@45℃3mW)の長期... [more] LQE2009-143
pp.25-30
OPE, CPM, R
(共催)
2008-04-18
14:05
東京 機械振興会館 光励起電流モニタを使ったRu添加SIBH-InGaAsP-DFBレーザの摩耗劣化の解析
竹下達也伊賀龍三須郷 満近藤康洋NTTR2008-3 CPM2008-3 OPE2008-3
光励起電流測定法を用い、高温におけるInGaAsP-DFBレーザの劣化姿態が研究された。Ru添加InP SIBHを導入し... [more] R2008-3 CPM2008-3 OPE2008-3
pp.11-16
OPE, LQE, OCS
(共催)
2006-10-13
15:20
福岡 九大 筑紫キャンパス 高信頼SIBH構造1.5μmDFBレーザ
竹下達也田所貴志伊賀龍三東盛裕一NTT)・山本ミツ夫NEL)・須郷 満NTTOCS2006-58 OPE2006-111 LQE2006-100
95℃で1000FITs以下の信頼度をもち、さらに、-20℃から100℃の温度範囲でエラーフリー・2.5Gbps・80k... [more] OCS2006-58 OPE2006-111 LQE2006-100
pp.91-95
OPE, LQE
(共催)
2006-06-30
10:10
東京 機械振興会館 高抵抗RuドープInP埋込み構造を用いた1.3μm帯InGaAsP DFBレーザの100℃,10Gb/s動作
伊賀龍三近藤康洋竹下達也岸 健志湯田正宏NTT
Ruthenium(Ru)をドープした高抵抗InP膜で埋込んだ構造の1.3ミクロン帯InGaAsP系MQW DFBレーザ... [more] OPE2006-16 LQE2006-20
pp.7-10
LQE 2004-12-03
16:30
東京 機械振興会館 InGaAs/GaAs歪量子井戸レーザの突発故障解析
竹下達也須郷 満佐々木 徹東盛裕一NTT
AR(Antireflection)端面からOBIC強度(Optical-Beam Induced Current)をモ... [more] LQE2004-129
pp.59-64
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