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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ED, CPM, LQE (共催) |
2021-11-25 16:05 |
ONLINE | オンライン開催 | r面サファイア基板上への高温アニールa面AlN膜作製における基板オフ角依存性 ○渋谷康太・上杉謙次郎・肖 世玉・正直花奈子・窪谷茂幸・秋山 亨・三宅秀人（三重大）  ED2021-25 CPM2021-59 LQE2021-37 |
[more] | ED2021-25 CPM2021-59 LQE2021-37 pp.51-54 |
| ED, CPM, LQE (共催) |
2021-11-25 16:30 |
ONLINE | オンライン開催 | 高温アニールAlNテンプレートを用いた220 nm帯発光AlGaN量子井戸の成長 ○石原頌也・窪谷茂幸・正直花奈子・上杉謙次郎・肖 世玉・三宅秀人（三重大） ED2021-26 CPM2021-60 LQE2021-38 |
[more] | ED2021-26 CPM2021-60 LQE2021-38 pp.55-58 |
| ED, CPM, LQE (共催) |
2021-11-26 15:20 |
ONLINE | オンライン開催 | AlNテンプレート上へのAlGaNチャネルHEMT作製と電気的特性評価 ○森 隆一・上杉謙次郎・窪谷茂幸・正直花奈子・三宅秀人（三重大） ED2021-33 CPM2021-67 LQE2021-45 |
スパッタ法と高温アニール処理を組み合わせて作製した低転位密度のAlNテンプレート上に，MOVPE法を用いてチャネル膜厚1... [more] | ED2021-33 CPM2021-67 LQE2021-45 pp.83-86 |
| LQE, CPM, ED (共催) |
2020-11-26 15:00 |
ONLINE | オンライン開催 | 高電子移動度トランジスタのための原子層平滑なAlNテンプレート上へのGaN成長 ○白土達也・上杉謙次郎・窪谷茂幸・正直花奈子・三宅秀人（三重大） ED2020-11 CPM2020-32 LQE2020-62 |
本研究では，低転位で良好な表面平坦性を有するアニール処理スパッタAlNテンプレート上にMOVPE法を用いて膜厚10–80... [more] | ED2020-11 CPM2020-32 LQE2020-62 pp.41-44 |
| LQE, CPM, ED (共催) |
2020-11-27 15:20 |
ONLINE | オンライン開催 | ナノストライプパターン加工した低転位密度AlNテンプレート上へのMOVPE成長と結晶性評価 ○伊庭由季乃・正直花奈子・窪谷茂幸・上杉謙次郎・肖 世玉・三宅秀人（三重大） ED2020-24 CPM2020-45 LQE2020-75 |
Face-to-face配置でアニールしたスパッタAlNテンプレート（FFA Sp-AlN）に周期300 nmと深さ12... [more] | ED2020-24 CPM2020-45 LQE2020-75 pp.91-94 |
| LQE, CPM, ED (共催) |
2020-11-27 16:00 |
ONLINE | オンライン開催 | AlNテンプレート上歪み緩和AlGaN成長のためのAlN/GaN超格子層導入 ○稲森崇文・窪谷茂幸・石原頌也・白土達也・上杉謙次郎・正直花奈子・三宅秀人（三重大） ED2020-26 CPM2020-47 LQE2020-77 |
[more] | ED2020-26 CPM2020-47 LQE2020-77 pp.99-102 |
| SDM, ED, CPM (共催) |
2017-05-26 10:45 |
愛知 | 名古屋大学VBLベンチャーホール (3F) | N-polar GaN MIS-HEMTs with Flat Interface Grown by Optimized MOVPE ○Kiattiwut Prasertsuk・Tomoyuki Tanikawa・Takeshi Kimura・Shigeyuki Kuboya・Tetsuya Suemitsu・Takashi Matsuoka（Tohoku Univ.） ED2017-26 CPM2017-12 SDM2017-20 |
[more] | ED2017-26 CPM2017-12 SDM2017-20 pp.59-64 |
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