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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SIP, CAS, VLD
(共催)
2009-07-02
13:50
北海道 釧路市生涯学習センター 非対称LDDを用いた高耐圧SOI-CMOSプロセスにおけるMOSFET・横型BJT並列動作特性の実測評価
濱畑 孝近畿大)・秋濃(小池) 俊昭ハーバード大)・秋濃俊郎江藤剛治近畿大
本論文は,ドレイン側に長いLDDと厚いゲート酸化膜を有する高耐圧MOSFET構造を持ったX-FABの0.6μm SOI-... [more] CAS2009-19 VLD2009-24 SIP2009-36
pp.103-108
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