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 53件中 1~20件目  /  [次ページ]  
研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SCE 2024-01-23
15:25
東京 機械振興会館
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
[招待講演]TCAD技術をベースとした半導体量子ビットシミュレータの開発
浅井栄大飯塚将太最上 徹服部淳一福田浩一池上 努加藤公彦岡 博史森 貴洋産総研
 [more]
SDM 2023-11-09
15:55
東京 機械振興会館 5階 5S-2 会議室
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
[招待講演]シリコン量子ビットの大規模集積化に向けた量子デバイスシミュレータの開発
浅井栄大飯塚将太最上 徹服部淳一福田浩一池上 努加藤公彦岡 博史森 貴洋産総研SDM2023-67
 [more] SDM2023-67
pp.20-25
SDM 2023-11-10
13:10
東京 機械振興会館 5階 5S-2 会議室
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
[招待講演]極低温におけるMOSFETのノイズ源
稲葉 工岡 博史浅井栄大更田裕司飯塚将太加藤公彦下方駿佑福田浩一森 貴洋産総研SDM2023-70
量子計算機に用いられる無数の量子ビットを制御する目的で極低温動作集積回路の開発が求められている。その回路設計にむけて極低... [more] SDM2023-70
p.35
SDM, ICD
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2023-08-01
15:25
北海道 北海道大学 情報教育館 3F
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
[招待講演]短チャネルバルクMOSFETsの極低温動作時に生じる低周波ノイズの起源
稲葉 工岡 博史浅井栄大更田裕司飯塚将太加藤公彦下方駿佑福田浩一森 貴洋産総研SDM2023-40 ICD2023-19
極低温動作MOSFETは量子ビット制御回路への利用が期待されている。本研究は極低温動作時の低周波ノイズの起源解明を目指す... [more] SDM2023-40 ICD2023-19
pp.22-27
ICD, SDM
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2022-08-09
11:50
ONLINE オンライン開催に変更 現地開催(北海道大学百年記念会館)は中止 極低温短チャネルMOSFETにおける閾値上昇のTCAD解析
浅井栄大稲葉 工服部淳一福田浩一岡 博史森 貴洋産総研SDM2022-47 ICD2022-15
 [more] SDM2022-47 ICD2022-15
pp.60-63
SDM 2021-11-12
11:30
ONLINE オンライン開催 [招待講演]セルオートマトン法によるGaN HEMTの移動度の温度依存のモデリング
福田浩一服部淳一浅井栄大産総研)・矢板潤也小谷淳二富士通SDM2021-62
GaN HEMTの移動度の温度依存モデリングにセルオートマトン法を適用した。分布関数をテーブルで持ち微小時間ステップごと... [more] SDM2021-62
pp.47-52
SDM, ICD
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2021-08-17
10:15
ONLINE オンライン開催 [招待講演]誤り訂正大規模量子コンピュータに実装可能な高速かつ低ばらつきなシリコンスピン量子ビット動作を実現する埋め込み型微小磁石の集積技術
飯塚将太加藤公彦八木下淳史浅井栄大上田哲也岡 博史服部淳一池上 努福田浩一森 貴洋産総研SDM2021-30 ICD2021-1
シリコンスピン量子ビットの高速操作と高い製造ばらつき耐性を同時に実現可能な埋め込み微小磁石の集積構造を提案し、TCADベ... [more] SDM2021-30 ICD2021-1
pp.1-6
SDM 2020-11-20
16:40
ONLINE オンライン開催 [招待講演]第一原理バンド計算を基盤とした原子層チャネルトンネルトランジスタのTCADシミュレーション
浅井栄大産総研)・黒田龍哉阪大)・福田浩一服部淳一池上 努産総研)・森 伸也阪大SDM2020-34
 [more] SDM2020-34
pp.58-62
LSJ
(共催)
OCS, OFT
(併催) [詳細]
2020-08-27
14:50
ONLINE オンライン開催 グレーティングカプラを用いたシリコンフォトニクス回路への簡易光結合手法の検討
喩 弘歴福田 浩千歳科技大)・小林壮一PIST)・吉本直人千歳科技大OFT2020-5
シリコンフォトニクス集積回路への表面光結合をする手段として、グレーティングカプラを用いる結合法がよく使われている。しかし... [more] OFT2020-5
pp.15-18
SDM 2019-11-08
09:30
東京 機械振興会館 [招待講演]強誘電体電界効果トランジスタの動的挙動のデバイスシミュレーション
服部淳一池上 努福田浩一太田裕之右田真司浅井栄大産総研SDM2019-74
ゲート・スタックに有する強誘電体膜の特性を利用する強誘電体電界効果トランジスタについて,その非定常状態における振る舞いを... [more] SDM2019-74
pp.27-32
SDM, ICD
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2019-08-07
14:15
北海道 北海道大学 情報科学院 3F A31 二次元チャネルFETの電流電圧特性におけるフリンジ電界効果のTCAD解析
浅井栄大張 文馨岡田直也福田浩一入沢寿史産総研SDM2019-37 ICD2019-2
遷移金属ダイカルコゲナイド (TMDC)に代表される層状材料を用いた二次元チャネルFET は、究極のスケーリン
グを実... [more]
SDM2019-37 ICD2019-2
pp.7-10
SDM 2019-01-29
09:30
東京 機械振興会館 [招待講演]強誘電体負性容量のマルチドメイン動力学とトランジスタ特性特性への影響
太田裕之池上 努福田浩一服部淳一浅井栄大遠藤和彦右田真司産総研)・鳥海 明東大SDM2018-81
本研究では,マルチドメイン分極を考慮した強誘電体負性容量トランジスタの動的特性を内製TCADモジュールにより明らかにした... [more] SDM2018-81
pp.1-4
LQE, OPE, SIPH
(共催)
2018-12-06
17:10
東京 慶應義塾大学 非線形モデルを用いた分布活性DFBレーザの波長切替高速化
福田浩規河野隼太久保木 猛加藤和利九大OPE2018-120 LQE2018-130 SIPH2018-36
次世代光通信システムである光バーストシステムや光パケットシステムは高速波長切替可能な光源を必要とする。その候補として分布... [more] OPE2018-120 LQE2018-130 SIPH2018-36
pp.115-119
LQE, OPE, SIPH
(共催)
2018-12-06
17:10
東京 慶應義塾大学 高速かつ高信頼な光スイッチを目指したDFBレーザの波長切替手法の検討
河野隼太福田浩規久保木 猛加藤和利九大OPE2018-121 LQE2018-131 SIPH2018-37
 [more] OPE2018-121 LQE2018-131 SIPH2018-37
pp.121-124
OCS, OPE, LQE
(共催)
2018-11-12
17:15
東京 機械振興会館 [特別招待講演]Si基板上薄膜InGaAsPマッハツェンダ変調器
開 達郎相原卓磨武田浩司藤井拓郎硴塚孝明土澤 泰福田 浩松尾慎治NTTOCS2018-67 OPE2018-96 LQE2018-85
(事前公開アブストラクト) Si基板上に薄膜InGaAsP位相シフタと水素フリーSiN導波路を集積し、マッハツェンダ変調... [more] OCS2018-67 OPE2018-96 LQE2018-85
pp.31-34
SDM 2018-11-09
14:20
東京 機械振興会館 [招待講演]強誘電体の負性容量を用いたトランジスタのデバイスシミュレーション
服部淳一池上 努福田浩一太田裕之右田真司浅井栄大産総研SDM2018-74
ゲート絶縁膜の一つに強誘電体膜を持ち,その負性容量状態を利用する負性容量トランジスタについて,その振る舞いをシミュレーシ... [more] SDM2018-74
pp.47-52
LQE, LSJ
(共催)
2018-05-25
13:50
福井 芦原温泉清風荘 8ch直接変調メンブレンレーザアレイとSiN AWGフィルタのSi基板上モノリシック集積
西 英隆藤井拓郎ディアマドプロス ニコラオス パデレイモン武田浩司菅野絵理奈硴塚孝明土澤 泰福田 浩松尾慎治NTTLQE2018-17
 [more] LQE2018-17
pp.29-32
SDM 2018-01-30
11:00
東京 機械振興会館 [招待講演]過渡解析TCADシミュレーションによる強誘電体負性容量FinFETトランジスタの考察
太田裕之右田真司池上 努服部淳一浅井栄大福田浩一産総研)・鳥海 明東大SDM2017-91
 [more] SDM2017-91
pp.1-4
OPE 2017-12-07
13:15
沖縄 まりんぴあみやこ [ポスター講演]波長可変レーザにおける発振直後の光波長高速安定化
福田浩規山口健太久保木 猛加藤和利九大OPE2017-105
将来の光パケットネットワークには高速光スイッチがキー部品となる。我々は波長可変レーザの高速波長切替を用いた高速光スイッチ... [more] OPE2017-105
pp.83-87
SDM 2017-11-09
15:40
東京 機械振興会館 [招待講演]深いトラップを含むGaN MOSキャパシタ容量のシミュレーション
福田浩一浅井栄大服部淳一清水三聡産総研)・橋詰 保北大SDM2017-66
深いトラップ準位を含むGaN MOSキャパシタの容量をtransientモードで解析する手法を検証し,周波数分散など各非... [more] SDM2017-66
pp.27-32
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