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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM, ED, CPM
(共催)
2019-05-16
16:15
静岡 静岡大学(浜松) CuとTaを上部電極に用いたTa2O5-δ多値抵抗変化メモリの特性評価
李 遠霖福地 厚有田正志北大)・森江 隆九工大)・高橋庸夫北大
抵抗変化型メモリ(Resistive Random Access Memory: ReRAM)は,人工シナプスを実現可能... [more] ED2019-16 CPM2019-7 SDM2019-14
pp.29-34
ED, SDM
(共催)
2018-02-28
10:00
北海道 北海道大学百年記念会館 単層Fe-MgF2グラニュラー薄膜を用いた単電子トランジスタの電気特性
浅井佑基本庄周作瘧師貴幸福地 厚有田正志高橋庸夫北大
単電子トランジスタ(Single-Electron Transistor: SET)は,低消費電力・高機能性が実現可能な... [more] ED2017-104 SDM2017-104
pp.1-6
ED, SDM
(共催)
2017-02-24
10:00
北海道 北海道大学百年記念会館 コンパクトなシリコン三重量子ドットの作製と評価
内田貴史福地 厚有田正志北大)・藤原 聡NTT)・高橋庸夫北大
高集積シリコンマルチ量子ドットは量子ビットへの応用が期待されている. 我々は, シリコン細線をパターン依存酸化することで... [more] ED2016-130 SDM2016-147
pp.1-6
MBE, NC
(併催)
2016-03-22
11:00
東京 玉川大学 Si MOSFET上に作製したCu-MoOx-Al抵抗変化型メモリを用いたSTDP制御回路とその評価
富崎和正森江 隆安藤秀幸九工大)・福地 厚有田正志高橋庸夫北大
ニューラルネットワークでの深層学習の実用化の進展に伴い,高速・低電力で学習を実行するニューラルハードウェア(集積回路)が... [more] NC2015-70
pp.7-12
SDM, ED
(共催)
2015-02-05
15:05
北海道 北海道大学(百年記念会館) 多入力・多出力高機能デバイスを念頭においた3端子ナノドットアレイの高機能特性
吉岡 勇佐藤 光内田貴史福地 厚有田正志北大)・藤原 聡NTT)・高橋庸夫北大
ナノドットアレイ単電子デバイスは多入力・多出力であり、単一デバイスでこれまでのCMOSにはない高機能性を実現できる。この... [more] ED2014-141 SDM2014-150
pp.17-22
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