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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM 2009-06-19
15:10
東京 東京大学(生産研An棟) 低しきい値pMISFETに向けたAl2O3を堆積させたHfO2ゲート絶縁膜のアニールプロセスの検討
諸岡 哲松木武雄三瀬信行神山 聡生田目俊秀栄森貴尚奈良安雄由上二郎池田和人大路 譲半導体先端テクノロジーズSDM2009-38
Al2O3/HfO2/SiON構造ゲート絶縁膜を形成するためのアニールプロセスとVfb, EOT及びVtバラツキとの関係... [more] SDM2009-38
pp.67-70
SDM 2006-06-21
14:55
広島 広島大学, 学士会館 低速陽電子ビームを用いたhigh-kゲート絶縁膜の空隙の評価
上殿明良大塚 崇伊東健一白石賢二山部紀久夫筑波大)・宮崎誠一広島大)・梅澤直人知京豊裕物質・材料研究機構)・大平俊行鈴木良一産総研)・犬宮誠治神山 聡半導体先端テクノロジーズ)・赤坂泰志東京エレクトロン)・奈良安雄半導体先端テクノロジーズ)・山田啓作早大
 [more] SDM2006-46
pp.25-30
SDM 2006-06-22
13:10
広島 広島大学, 学士会館 酸素雰囲気アニール中のHfO2/SiO2/Si(001)界面反応の高分解能RBS観察
趙 明・○中嶋 薫鈴木基史木村健二京大)・植松真司NTT)・鳥居和功神山 聡奈良安雄半導体先端テクノロジーズ)・山田啓作早大
 [more] SDM2006-59
pp.99-102
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