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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ED, LQE, CPM
(共催)
2015-11-26
14:25
大阪 大阪市立大学・学術情報センター会議室 1.6kV大電流GaNトレンチ型ハイブリッドジャンクションダイオードの開発
梶谷 亮半田浩之宇治田信二柴田大輔小川雅弘田中健一郎石田秀俊田村聡之石田昌宏上田哲三パナソニックED2015-75 CPM2015-110 LQE2015-107
低立ち上がり電圧・大電流を有するGaNトレンチ型ハイブリッドジャンクションダイオード(THD: Trench Hybri... [more] ED2015-75 CPM2015-110 LQE2015-107
pp.39-42
SDM 2015-11-06
13:30
東京 機械振興会館 [招待講演]Si基板上GaNパワーデバイスと電力変換機器への応用
石田秀俊石田昌宏上田哲三パナソニックSDM2015-90
従来のSiパワーデバイスと比較して低損失化と高速化が可能となり、DC/DCコンバータをはじめとする電力変換機器の高効率化... [more] SDM2015-90
pp.35-38
MW, ED
(共催)
2013-01-18
13:50
東京 機械振興会館 GaNパワーデバイスのスイッチング特性における深い準位の影響
田中健一郎石田昌宏上田哲三田中 毅パナソニックED2012-124 MW2012-154
ノーマリオフ型AlGaN/GaNヘテロ構造電界効果トランジスタにおける,高電界印加時の電流コラプスの発現メカニズムについ... [more] ED2012-124 MW2012-154
pp.63-68
ED, MW
(共催)
2012-01-12
14:30
東京 機械振興会館 P型障壁制御層を有する大電流・高耐圧GaNマルチジャンクションダイオード
柴田大輔海原一裕村田智洋山田康博森田竜夫按田義治石田昌宏石田秀俊上田哲三田中 毅上田大助パナソニックED2011-137 MW2011-160
 [more] ED2011-137 MW2011-160
pp.101-105
ED, MW
(共催)
2012-01-12
15:35
東京 機械振興会館 Si基板上AlGaN/GaN HFETの高出力・高利得化に向けたフィールドプレート設計
中澤敏志鶴見直大西嶋将明按田義治石田昌宏上田哲三田中 毅パナソニックED2011-139 MW2011-162
Si基板上AlGaN/GaN HFETの高出力化および高利得化に向けてフィールドプレート構造を適用し、小信号RF特性から... [more] ED2011-139 MW2011-162
pp.111-115
CPM, SDM, ED
(共催)
2011-05-19
15:40
愛知 名古屋大学 VBL グラファイト基板上へのGaNのMOCVD成長
好田慎一瀧澤俊幸長尾宣明石田昌宏上田哲三パナソニックED2011-14 CPM2011-21 SDM2011-27
グラファイトは軽量かつ熱伝導性に優れており、窒化物半導体の下地基板に用いると様々なデバイス応用が期待できることから、近年... [more] ED2011-14 CPM2011-21 SDM2011-27
pp.67-70
MW, ED
(共催)
2011-01-14
10:35
東京 機械振興会館 耐圧ブースト構造によるSi基板上GaNトランジスタの高耐圧化
梅田英和鈴木朝実良按田義治石田昌宏上田哲三田中 毅上田大助パナソニックED2010-184 MW2010-144
Si基板に空乏層を形成することで,同基板上GaNパワートランジスタの高耐圧化を実現する,いわゆる耐圧ブースト技術を開発し... [more] ED2010-184 MW2010-144
pp.51-54
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