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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
LQE 2010-12-17
11:35
東京 機械振興会館 低消費電流1.3μm帯AlGaInAs系25.8Gbps直接変調埋込型DFBレーザ
境野 剛瀧口 透外間洋平佐久間 仁綿谷 力柳楽 崇鈴木大輔青柳利隆石川高英石村栄太郎島 顕洋三菱電機
1.3μm帯AlGaInAs系埋込型DFBレーザにて,p-InP基板を用いたパッシブ導波路集積型短共振器構造とすることで... [more] LQE2010-119
pp.23-26
OPE, EMT, LQE, PN, IEE-EMT
(共催)
2010-01-28
16:00
京都 京大桂キャンパス、Bクラスター事務管理棟 、大会議室_A会場、桂ラウンジ_B会場 引張歪非対称量子井戸を有する1.3μm帯-25/43Gbps EA変調器付DFB-LD
斎藤 健大和屋 武森田佳道石村栄太郎綿谷 力青柳利隆石川高英三菱電機
吸収層に引張歪非対称量子井戸を適用した,1.3µm帯25 / 43G対応EA変調器付DFB-LDを開発した.+... [more] PN2009-44 OPE2009-182 LQE2009-164
pp.53-56
ED 2009-11-29
14:50
大阪 大阪科学技術センター 基本波および高調波終端負荷を最適化した低位相雑音77 GHz MMIC VCO
渡辺伸介松塚隆之天清宗山塚原良洋後藤清穀石川高英三菱電機
基本波および高調波終端負荷を最適化した77 GHz MMIC VCO を報告する。
低位相雑音VCO を実現すべく、位... [more]
ED2009-162
pp.13-18
OPE, LQE, OCS
(共催)
2009-10-23
17:20
福岡 九州大学 100Gビットイーサネット用25Gbps pin-PDの開発
竹村亮太中路雅晴佐久間 仁綿谷 力柳楽 崇鈴木大輔青柳利隆石川高英三菱電機
我々は、100Gビットイーサネット用受光素子として、大受光径を有し、広帯域・高感度を兼ね備えた表面入射型pin-PDを開... [more] OCS2009-81 OPE2009-147 LQE2009-106
pp.197-200
OPE, EMT, MW
(共催)
2009-07-30
13:25
北海道 旭川市民文化会館 マイクロ波発生用高効率デュアル・レゾナント・キャビティInGaAs pin PD
石村栄太郎中路雅晴綿谷 力太田 徹板倉成孝酒井清秀青柳利隆石川高英三菱電機
光ファイバ無線のためのマイクロ波発生用として、感度の波長依存性を大幅に低減した高効率のデュアルレゾナントキャビティ型In... [more] MW2009-35 OPE2009-35
pp.31-34
ED 2008-12-19
15:30
宮城 東北大学電気通信研究所 60GHz帯高アイソレーションSPDT MMICスイッチ
塚原良洋天清宗山後藤清毅奥 友希石川高英三菱電機
60GHz帯高アイソレーションSPDT(Single Pole Double Throw)MMICについて報告する。アイ... [more] ED2008-188
pp.21-25
OCS, LQE, OPE
(共催)
2008-10-23
09:25
福岡 九州大学 マイクロ波発生用高光電流InGaAs pin PD
石村栄太郎中路雅晴綿谷 力太田 徹青柳利隆石川高英三菱電機
マイクロ波高出力用として、放熱性改善と低容量化のためにpn接合を半絶縁性InPで埋込み、空間電荷効果抑制のために吸収層厚... [more] OCS2008-48 OPE2008-91 LQE2008-60
pp.7-10
LQE, CPM, EMD, OPE
(共催)
2008-08-29
10:55
宮城 東北大学 光通信用ガードリングフリーInAlAs APD
中路雅晴石村栄太郎柳生栄治見上洋平庵原 晋青柳利隆吉新喜市石川高英三菱電機
我々は、過剰雑音が少なく、信頼性に優れた10Gbps光通信用及び2.5Gbps光通信用ガードリングフリーInAlAs-A... [more] EMD2008-49 CPM2008-64 OPE2008-79 LQE2008-48
pp.89-92
MW 2008-08-29
14:00
大阪 大阪大学(豊中) 高調波負荷を最適化したW帯2倍波高出力発振器
松塚隆之渡辺伸介天清宗山後藤清毅奥 友希石川高英中山正敏吉田直人三菱電機
高調波負荷を最適化することで高出力化を図ったW帯2倍波発振器を報告する。エミッタサイズ160μm2のInGaP HBTを... [more] MW2008-98
pp.107-112
ED 2007-11-27
16:05
宮城 東北大学 電気通信研究所 高調波負荷を最適化したKa帯2倍波発振器
渡辺伸介松塚隆之天清宗山井上 晃奥 友希石川高英三菱電機
高調波負荷を最適化したKa 帯2 倍波発振器を報告する。
エミッタサイズ80um2 のInGaP HBT を使用した2... [more]
ED2007-192
pp.29-32
LQE, OPE, OCS
(共催)
2007-11-01
10:50
福岡 九州工業大学 高信頼ガードリングフリー・プレーナ型InAlAsアバランシェ・フォトダイオード
石村栄太郎柳生栄治中路雅晴庵原 晋吉新喜市青柳利隆徳田安紀石川高英三菱電機
最表面のPN接合に印加される電圧が低いという特徴を持つ10Gbps用ガードリングフリー・プレーナ型InAlAsアバランシ... [more] OCS2007-43 OPE2007-98 LQE2007-84
pp.19-22
ED 2007-06-15
13:25
富山 富山大学 ミリ波帯高出力・高耐圧pHEMT ~ 非線形ドレイン抵抗低減による出力・耐圧の両立 ~
天清宗山井上 晃後藤清毅國井徹郎山本佳嗣奥 友希石川高英三菱電機
ミリ波帯増幅器の出力低下の要因である非線形ドレイン抵抗を低減するため、新たに「ステップリセス構造」を採用したGaAs p... [more] ED2007-32
pp.7-11
OPE, EMT, LQE, PN
(共催)
2007-01-29
13:50
大阪 阪大コンベンションセンター 40Gbps光通信用導波路型PD
中路雅晴石村栄太郎綿谷 力青柳利隆石川高英三菱電機
 [more] PN2006-55 OPE2006-137 LQE2006-126
pp.45-48
MW, ED
(共催)
2007-01-19
10:35
東京 機械振興会館 GaAsオンチップに高調波処理回路を一体化した3.5GHz低歪高出力FET
後藤清毅國井徹郎井上 晃三菱電機)・大植利和Wave Technology)・河野正基奥 友希石川高英三菱電機
ブロードバンド無線通信基地局に用いる高出力増幅器を低歪化することを目的として、GaAs 基板上に高調波処理回路を一体化し... [more] ED2006-228 MW2006-181
pp.155-160
MW, ED
(共催)
2007-01-19
11:10
東京 機械振興会館 高出力ミリ波帯HEMTの非線形ドレイン抵抗モデル
井上 晃天清宗山後藤清毅國井徹郎奥 友希石川高英三菱電機
非線形ドレイン抵抗を考慮したミリ波帯高出力PHEMTモデルを提案する.高出力ミリ波帯HEMTでは動作電圧を高くするために... [more] ED2006-229 MW2006-182
pp.161-166
MW, ED
(共催)
2005-11-17
14:00
佐賀 佐賀大学 Ka帯用 高耐湿・高出力 TaN/AuゲートpHEMT
天清宗山後藤清毅志賀俊彦戸塚正裕佐々木 肇國井徹郎山本佳嗣井上 晃奥 友希石川高英三菱電機
ミリ波帯HPAの低コスト化に有効な非気密パッケージを実現するためには、チップの高耐湿化が必須である。今回我々はミリ波帯p... [more] ED2005-166 MW2005-121
pp.45-49
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