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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ED, CPM, SDM
(共催)
2018-05-24
16:15
愛知 豊橋技科大VBL トンネル状空隙の導入によるSi上Ge層の貫通転位密度低減
八子基樹東大)・石川靖彦豊橋技科大)・和田一実マサチューセッツ工科大
 [more] ED2018-20 CPM2018-7 SDM2018-15
pp.29-32
LQE 2018-02-23
10:35
神奈川 古河電工横浜事業所 [特別招待講演]Si上へのGeのエピタキシャル成長と受光素子応用
石川靖彦豊橋技科大
Si上へのGe層のエピタキシャル成長および光通信波長域(1.3–1.6 µm)の受光素子への応用について紹介する。Siと... [more] LQE2017-152
pp.7-10
OPE
(共催)
OFT, OCS
(併催) [詳細]
2016-02-19
09:00
沖縄 沖縄大学 Si上Ge層を用いた近赤外受光器の高性能化
石川靖彦宮坂祐司伊藤和貴永友 翔和田一実東大
超高真空化学気相堆積法によりSi上へエピタキシャル成長したGe層を用い、シリコンフォトニクス 用近赤外受光器を作製した。... [more] OCS2015-107 OFT2015-62 OPE2015-227
pp.39-42(OCS), pp.39-42(OFT), pp.65-68(OPE)
MWP, EMT, PN, LQE, OPE, EST
(共催)
IEE-EMT
(連催) [詳細]
2014-01-23
17:40
京都 同志社大学(烏丸キャンパス) Si-Ge-石英系モノリシック光集積プラットフォームとWDMレシーバへの適用
西 英隆開 達郎土澤 泰高 磊武田浩太郎NTT)・石川靖彦和田一実東大)・福田 浩山田浩治山本 剛NTT
 [more] PN2013-60 OPE2013-174 LQE2013-160 EST2013-109 MWP2013-80
pp.141-146
OPE 2013-12-20
14:00
東京 機械振興会館 高電圧駆動時におけるWG型ゲルマニウムPDの挙動とその解析
武田浩太郎開 達郎土澤 泰西 英隆高 磊福田 浩山本 剛NTT)・石川靖彦和田一実東大)・山田浩治NTT
本研究ではシリコン基板上に構築したゲルマニウムフォトダイオード(Ge-PD)を高電圧条件下で駆動し、光通信Cバンド、Lバ... [more] OPE2013-140
pp.13-18
LQE, CPM, EMD, OPE, R
(共催)
2012-08-24
13:10
宮城 東北大学電気通信研究所 ワンチップWDMレシーバに向けた石英系AWGとGePDのSiプラットフォーム上モノリシック集積
西 英隆土澤 泰高 磊開 達郎福田 浩NTT)・石川靖彦和田一実東大)・山田浩治NTT
 [more] R2012-43 EMD2012-49 CPM2012-74 OPE2012-81 LQE2012-47
pp.107-110
OPE, EMT, LQE, PN
(共催)
IEE-EMT
(連催) [詳細]
2011-01-27
15:45
大阪 大阪大学 Fast Optical Power Stabilization using a Germanium Photodiode and a Silicon Variable Optical Attenuator Integrated on a Silicon Photonic Platform
Koji YamadaTai TsuchizawaToshifumi WatanabeHiroyuki ShinojimaHidetaka NishiRai KouSungbong ParkNTT)・Yasuhiko IshikawaKazumi WadaUniv. of Tokyo)・Seiichi ItabashiNTT
シリコンプラットフォーム上にモノリシックに集積したゲルマニウムフォトダイオードとシリコン可変減衰器を用いた、光強度の高速... [more] PN2010-36 OPE2010-149 LQE2010-134
pp.53-56
VLD, DC, IPSJ-SLDM
(連催)
ICD, CPM
(共催)
CPSY, RECONF
(併催) [詳細]
2010-11-30
17:15
福岡 九州大学医学部百年講堂 [招待講演]シリコンをベースにした光電気融合技術 ~ シリコンフォトニクスによる光回路と電子回路の集積 ~
板橋聖一土澤 泰山田浩治渡辺俊文篠島弘幸西 英隆高橋 礼NTT)・和田一実石川靖彦東大
シリコンという稀有な材料をベースにした光電気融合の試みについて述べる。特に近年注目されている、シリコン超小型光回路と、シ... [more] VLD2010-71 DC2010-38
pp.105-106
OPE 2009-12-18
16:40
東京 機械振興会館 モノリシクに集積したシリコン可変光減衰器とゲルマニウムフォトダイオードの同期動作
朴 成鳳土澤 泰渡辺俊文篠島弘幸西 英隆山田浩治NTT)・石川靖彦和田一美東大)・板橋聖一NTT
モノリシクに集積したGe p-i-nフォトダイオード(PD)とSi可変光減衰器(VOA)に関する研究を行った。Ge PD... [more] OPE2009-169
pp.47-52
PN, OPE, EMT, LQE
(共催)
2009-01-29
09:20
京都 京都工芸繊維大学(松ヶ崎キャンパス) Reverse current reduction of Ge pin photodiodes on Si without post-growth annealing
Sungbong ParkShinya TakitaYasuhiko IshikawaJiro OsakaKazumi WadaUniv. of Tokyo
 [more] PN2008-44 OPE2008-147 LQE2008-144
pp.11-15
OPE 2008-12-19
13:50
東京 機械振興会館 熱酸化を用いたSi量子井戸とエルビウム添加
大崎龍介石川靖彦東大)・山下善文上浦洋一岡山大)・和田一実東大
希土類元素であるErをドープしたSiは、光通信波長の1.5μm帯で発光するため、シリコンフォトニクスにおける発光材料とし... [more] OPE2008-138
pp.11-16
OPE 2007-12-14
15:40
東京 機械振興会館 Siリング共振器のPL評価
林 世云小林洋介石川靖彦和田一実東大
The photoluminescence enhancements in isolated Si microring ... [more] OPE2007-141
pp.31-35
OPE 2007-12-14
16:55
東京 機械振興会館 選択成長を用いたSOI基板上Ge pin フォトダイオ-ドのレスポンシビティスペクトラム
朴 成鳳石川靖彦和田一実東大)・土澤 泰渡辺俊文山田浩治板橋聖一NTT
 [more] OPE2007-144
pp.47-51
ED, SDM
(共催)
2006-01-26
13:30
北海道 北海道大学 百年記念会館 大会議室 人工転位網を内包したSOI構造を用いたシリコンナノデバイス
石川靖彦山本智寛田部道晴静岡大
 [more] ED2005-224 SDM2005-236
pp.1-6
ED, SDM
(共催)
2006-01-26
16:35
北海道 北海道大学 百年記念会館 大会議室 Si多重ドット構造における単一フォトン誘起ランダム・テレグラフ・シグナル
ラトノ ヌルヤディ石川靖彦田部道晴静岡大
 [more] ED2005-230 SDM2005-242
pp.35-38
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