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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ED, MW
(共催)
2014-01-17
09:30
東京 機械振興会館 低転位GaN基板上縦型ショットキバリアダイオードとHFETの特性評価
吉本 晋石原邦亮岡田政也住吉和英平野英則三橋史典善積祐介石塚貴司木山 誠上野昌紀住友電工ED2013-124 MW2013-189
窒化ガリウム(GaN)パワーデバイスは、GaN基板を用いた縦型構造を採用することで、コラプス抑制や低オン抵抗、また高い面... [more] ED2013-124 MW2013-189
pp.79-84
LQE, CPM, EMD, OPE, R
(共催)
2012-08-23
16:30
宮城 東北大学電気通信研究所 Optical properties of InGaAs/GaAsSb Type-II quantum well light emitting diodes
Sundararajan Balasekaran・○Hiroshi InadaYasuhiro IguchiMichio MurataTsukuru KatsuyamaKei FujiiTakashi IshizukaKatsushi AkitaSumitomo ElectricR2012-32 EMD2012-38 CPM2012-63 OPE2012-70 LQE2012-36
 [more] R2012-32 EMD2012-38 CPM2012-63 OPE2012-70 LQE2012-36
pp.57-60
CPM, LQE, OPE, EMD
(共催)
2007-08-24
09:00
北海道 北海道大学 25-100℃、無温調GaInNAs系EA/DFBレーザ
小山健二橋本順一石塚貴司住友電工/光協会)・辻 幸洋住友電工)・山田隆史住友電工/光協会)・福田智恵大西 裕藤井康祐住友電工)・勝山 造住友電工/光協会EMD2007-42 CPM2007-63 OPE2007-80 LQE2007-43
 [more] EMD2007-42 CPM2007-63 OPE2007-80 LQE2007-43
pp.71-75
LQE 2006-12-08
15:50
東京 機械振興会館 GaAs回折格子を有するGaInNAs系DFBレーザ
橋本順一小山健二石塚貴司住友電工/光協会)・辻 幸洋藤井康祐住友電工)・山田隆史住友電工/光協会)・福田智恵住友電工)・勝山 造住友電工/光協会
 [more] LQE2006-115
pp.67-71
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