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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM 2019-10-24
15:40
宮城 東北大学未来情報産業研究館5F 高SN比CMOS吸光イメージセンサによる半導体プロセスチャンバー内ガス濃度分布計測
髙橋圭吾Yhang Ricardo Sipauba Carvalho da Silva黒田理人藤原康行村田真麻石井秀和森本達郎諏訪智之寺本章伸須川成利東北大SDM2019-66
70 dB超の信号対雑音比(SN比)と紫外波長帯域において高感度・高耐光性を有する横型オーバーフロー蓄積トレンチ容量(L... [more] SDM2019-66
pp.65-68
SDM 2017-10-26
10:20
宮城 東北大学未来研 紫外吸光とチャージアンプ回路を用いた高感度・小型リアルタイムガス濃度計
石井秀和東北大)・永瀬正明池田信一フジキン)・志波良信白井泰雪黒田理人須川成利東北大SDM2017-56
半導体,パワーデバイス,LED,ディスプレイ等の電子デバイス製造プロセスにおいて,濃度制御製が困難な有機金属ガスが使用さ... [more] SDM2017-56
pp.35-38
SDM 2016-10-27
10:00
宮城 東北大学未来研 原子層堆積法で成膜したAl2O3膜界面に及ぼす酸化種の影響
齋藤雅也諏訪智之寺本章伸黒田理人幸田安真杉田久哉石井秀和志波良信白井泰雪須川成利東北大)・林 真里恵土本淳一キヤノンアネルバSDM2016-73
Al2O3はパワー半導体のゲート絶縁膜やMIM(Metal-Insulator-Metal)キャパシタへの応用が期待され... [more] SDM2016-73
pp.27-30
SDM 2015-10-30
14:30
宮城 東北大学未来研 窒素添加LaB6ターゲットによる低仕事関数LaB6スパッタ薄膜の形成
石井秀和東北大)・高橋健太郎住友大阪セメント)・後藤哲也須川成利大見忠弘東北大SDM2015-81
LaB6薄膜をマグネトロンスパッタ法で形成し,その仕事関数を評価した.LaB6薄膜の仕事関数は,LaB6ターゲット中の窒... [more] SDM2015-81
pp.53-56
SDM 2015-10-30
15:30
宮城 東北大学未来研 高精度ガス制御器を用いたAl2O3のALD成膜におけるプロセス温度の検討
杉田久哉幸田安真諏訪智之黒田理人後藤哲也石井秀和東北大)・山下 哲フジキン)・寺本章伸須川成利大見忠弘東北大SDM2015-83
 [more] SDM2015-83
pp.63-68
SDM 2011-10-21
15:25
宮城 東北大学未来研 高純度有機金属ガス供給システムに関する研究
山下 哲石井秀和志波良信北野真史白井泰雪須川成利大見忠弘東北大SDM2011-112
半導体製造プロセスにおいてプロセスガスの流量制御は基板表面におけるガス組成やチャンバ圧力を決定する重要なファクターである... [more] SDM2011-112
pp.85-90
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