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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2013-12-13 09:00 |
奈良 | 奈良先端科学技術大学院大学 | パルス電圧ストレス下における酸化物TFTの発熱劣化解析 ○木瀬香保利（奈良先端大）・苫井重和（出光興産）・上岡義弘・山崎はるか・浦川 哲（奈良先端大）・矢野公規（出光興産）・Dapeng Wang・古田 守（高知工科大）・堀田昌宏・石河泰明・浦岡行治（奈良先端大）  SDM2013-116 |
近年，a-InGaZnOに代表される高移動度の透明アモルファス酸化物半導体(TAOS)が報告され，薄膜トランジスタのチャ... [more] | SDM2013-116 pp.1-5 |
| SDM | 2010-12-17 17:25 |
京都 | 京都大学(桂) | 高圧水蒸気熱処理によるa-In2Ga2Zn1O7 TFTの特性改善効果 ○丸山智己・藤井茉美（奈良先端大）・笠見雅司・矢野公規（出光興産）・堀田昌宏・石河泰明（奈良先端大）・浦岡行治（奈良先端大/JST） SDM2010-203 |
非晶質酸化物半導体(a-IGZO)は，透明フレキシブル薄膜トランジスタ(TFT)を実現する上で，有用な材料である．a-I... [more] | SDM2010-203 pp.99-102 |
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