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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM 2019-06-21
15:45
愛知 名古屋大学 VBL3F 超急峻スイッチングを可能にするVO2モットトランジスタの特殊な動作モード
矢嶋赳彬東大)・佐俣勇佑西村知紀鳥海 明JST
我々は超高誘電率(比誘電率~110)を持つTiO2をゲート絶縁体に用いることで、1×1014/cm2を超える大量の電子を... [more] SDM2019-32
pp.35-38
SDM 2018-01-30
15:30
東京 機械振興会館 [招待講演]Sub-nm EOT Ferroelectric HfO2 on p+Ge with Highly Reliable Field Cycling Properties
Xuan TianLun XuShigehisa ShibayamaTomonori NishimuraTakeaki YajimaUniv. of Tokyo)・Shinji MigitaAIST)・Akira ToriumiUniv. of Tokyo
5-nm-thick ferroelectric Y-doped HfO2 was intensively studie... [more] SDM2017-96
pp.21-24
SDM, ICD
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2017-08-02
10:50
北海道 北海道大学情報教育館 [招待講演]金属絶縁体転移素子を用いたキャパシタレスのニューロン回路
矢嶋赳彬西村知紀鳥海 明東大
酸化バナジウムが示す金属絶縁体転移を利用して、キャパシタレスのニューロン回路を作製した。キャパシタが電荷を積算するのとは... [more] SDM2017-44 ICD2017-32
pp.107-108
SDM 2017-01-30
15:30
東京 機械振興会館 [招待講演]General relationship for cation and anion doping effects on ferroelectric HfO2 formation
Xu LunShibayama ShigehisaIzukashi KazutakaNishimura TomonoriYajima TakeakiUniv. of Tokyo)・Migita ShinjiAIST)・Toriumi AkiraUniv. of Tokyo
 [more] SDM2016-137
pp.29-32
SDM 2017-01-30
16:00
東京 機械振興会館 [招待講演]多様化するアナログ信号処理に向けた新規機能性受動素子 ~ VO2揮発性スイッチの作製と応用 ~
矢嶋赳彬西村知紀鳥海 明東大
モノのインターネット(IoT)においては、機能を特化したハードウェアによってコストを削減し、設計を単純化することが重要で... [more] SDM2016-138
pp.33-36
SDM 2015-01-27
10:00
東京 機械振興会館 [招待講演]HfO2/SiO2/SiゲートスタックにおけるSiO2スカベンジング現象の定式化
李 秀妍矢嶋赳彬西村知紀長汐晃輔鳥海 明東大
 [more] SDM2014-135
pp.1-4
SDM 2014-06-19
15:00
愛知 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー [依頼講演]VO2単結晶薄膜中の転移応力制御による急峻な金属絶縁体転移の実現
矢嶋赳彬二宮裕磨西村知紀長汐晃輔鳥海 明東大
 [more] SDM2014-55
pp.65-67
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