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SDM 2018-10-17
16:35
宮城 東北大学未来情報産業研究館5F [招待講演]低抵抗アモルファス相と高抵抗結晶相を有するCr2Ge2Te6を用いた相変化メモリ
畑山祥吾須藤祐司安藤大輔小池淳一東北大SDM2018-56
相変化メモリは次世代型の不揮発性メモリとして注目されている. 現在, 実用化されている相変化材料はGe-Sb-Te化合物... [more] SDM2018-56
pp.21-26
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