電子情報通信学会 研究会発表申込システム
研究会 開催スケジュール
技報閲覧サービス
技報オンライン
‥‥ (ESS/通ソ/エレソ/ISS)
技報アーカイブ
‥‥ (エレソ/通ソ)
    [Japanese] / [English] 
研究会名/開催地/テーマ  )→
 
講演検索  検索語:  /  範囲:題目 著者 所属 抄録 キーワード )→

すべての研究会開催スケジュール  (すべての年度)

講演検索結果
 登録講演(開催プログラムが公開されているもの)  (日付・降順)
 11件中 1~11件目  /   
研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ICD 2013-04-12
11:35
茨城 産業技術総合研究所 つくばセンター [依頼講演]3次元積層ReRAM/NANDフラッシュメモリハイブリッドソリッド・ステート・ドライブ向けVset/reset(3V)、Vpgm(20V)生成回路の設計
畑中輝義中大/東大)・上口 光蜂谷尚悟竹内 健中大
 [more] ICD2013-16
pp.79-84
ICD 2012-12-17
15:55
東京 東工大蔵前会館 ロイアルブルーホール [ポスター講演]ReRAM/NANDフラッシュメモリーハイブリッド3次元積層ソリッド・ステート・ドライブ向け、単一インダクタ書き込み電圧(Vset/reset、Vpgm)同時生成回路
中島祥斗中大)・畑中輝義中大/東大)・竹内 健中大
 [more] ICD2012-93
p.29
ICD 2012-04-24
09:50
岩手 つなぎ温泉清温荘(岩手県) [依頼講演]3次元積層ソリッド・ステート・ドライブ向け4倍高速、15%低消費電力Vpass(10V)、Vpgm(20V)生成電源システム
畑中輝義竹内 健東大
 [more] ICD2012-8
pp.37-42
ICD 2011-12-15
16:10
大阪 大阪大学会館 [ポスター講演]3次元積層ソリッド・ステート・ドライブ向け4倍高速Vpass(10V)生成、15%低消費電力Vpgm(20V)生成、ワイドレンジ電圧生成システム
畑中輝義竹内 健東大
3次元積層ソリッド・ステート・ドライブ向けの電源回路として、10 V~20 Vを出力するワイドレンジ電圧生成システムを提... [more] ICD2011-117
pp.81-86
ICD 2011-04-19
14:25
兵庫 神戸大学 瀧川記念館 [依頼講演]高速・低消費電力3次元積層ソリッド・ステート・ドライブ向け書き込み電圧(20V)発生回路とTSVの検討
畑中輝義上口 光石田光一安福 正高宮 真桜井貴康竹内 健東大
3次元積層ソリッド・ステート・ドライブ(3D-SSD)向けに、書き込み電圧(20V)発生回路とTSVによる配線について議... [more] ICD2011-16
pp.87-92
ICD 2010-12-17
10:20
東京 東京大学 先端科学技術研究センター エンタープライズSSD向け低消費電力・高信頼性強誘電体NANDフラッシュメモリ
畑中輝義矢島亮児野田晋司東大)・高橋光恵酒井滋樹産総研)・竹内 健東大
低書き込み/消去電圧(6V)と高書き換え耐久性(1億回)を持つFe-NANDフラッシュメモリについて、高信頼性化技術を提... [more] ICD2010-118
pp.113-118
ICD, SDM
(共催)
2010-08-27
09:25
北海道 札幌エルプラザ内男女共同参画センター 単一セル自己昇圧法による10V動作,書き込み速度9.5GB/sec強誘電体NANDフラッシュSSD
宮地幸祐野田晋司畑中輝義東大)・高橋光恵酒井滋樹産総研)・竹内 健東大
強誘電体NANDフラッシュメモリにおける新規書き込み法として単一セル自己昇圧法(SCSB: Single-Cell Se... [more] SDM2010-139 ICD2010-54
pp.83-88
ICD, SDM
(共催)
2010-08-27
09:50
北海道 札幌エルプラザ内男女共同参画センター NANDチャネル数検出回路・インテリジェント書き込み電圧発生回路を備えた、60%高速・4.2Gbps・24チャネル、3次元ソリッド・ステート・ドライブ(SSD)
畑中輝義石田光一安福 正東大)・宮本晋示中井弘人東芝)・高宮 真桜井貴康竹内 健東大
 [more] SDM2010-140 ICD2010-55
pp.89-94
ICD 2010-04-22
11:40
神奈川 湘南工大 しきい値電圧自己調整機能による60%スタティック・ノイズ・マージン(SNM)増加, 32%アクティブ電力削減, 42%リーク電流削減の強誘電体FETを使用した6T-SRAM
田中丸周平畑中輝義矢島亮児東大)・高橋光恵酒井滋樹産総研)・竹内 健東大
強誘電体トランジスタを使用した0.5V動作の6T-SRAMが提案され,実験的に実証された.提案のSRAMはNMOSの基板... [more] ICD2010-5
pp.23-28
ICD 2010-04-23
09:30
神奈川 湘南工大 [依頼講演] データセンター用SSD向けFerroelectric(Fe)-NANDフラッシュメモリと不揮発性ページバッファ
畑中輝義矢島亮児東大)・堀内健史Shouyu WangXizhen Zhang高橋光恵酒井滋樹産総研)・竹内 健東大
データセンター用SSD向け不揮発性ページバッファを備えたFerroelectric (Fe)-NANDフラッシュメモリを... [more] ICD2010-11
pp.59-64
ICD, SDM
(共催)
2009-07-16
14:25
東京 東工大 大岡山キャンパス 国際交流会館 データセンター用SSD向け、不揮発性ページバッファを搭載したFe-NANDフラッシュメモリ
矢島亮児畑中輝義東大)・高橋光恵酒井滋樹産総研)・竹内 健東大
データセンター用SSDへの応用を目的として不揮発性ページバッファを搭載したFerroelectric(Fe)-NANDフ... [more] SDM2009-104 ICD2009-20
pp.39-44
 11件中 1~11件目  /   
ダウンロード書式の初期値を指定してください NEW!!
テキスト形式 pLaTeX形式 CSV形式 BibTeX形式


[研究会発表申込システムのトップページに戻る]

[電子情報通信学会ホームページ]


IEICE / 電子情報通信学会