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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| EMD, LQE, OPE, CPM, R (共催) |
2014-08-21 16:00 |
北海道 | 小樽経済センター | ウェハ接合によるシリコン上InAs/GaAs量子ドットレーザの作製と高温動作 ○田辺克明・荒川泰彦（東大）  R2014-32 EMD2014-37 CPM2014-52 OPE2014-62 LQE2014-36 |
シリコン光電子集積回路の実現に向け、量子ドットを用いた高性能オンチップ光源の開発を進めている。今回、ウェハ接合法により作... [more] | R2014-32 EMD2014-37 CPM2014-52 OPE2014-62 LQE2014-36 pp.51-54 |
| LQE | 2012-12-13 13:50 |
東京 | 機械振興会館 | ［奨励講演］ウェハ接合によるシリコン基板上量子ドットレーザの進展 ○田辺克明・荒川泰彦（東大） LQE2012-128 |
III-V化合物半導体光源をSiチップないし導波路上に形成したハイブリッド型レーザは、光集積回路の実現に有望視されている... [more] | LQE2012-128 pp.31-33 |
| CPM, OPE, LQE, EMD (共催) |
2011-08-25 16:25 |
北海道 | 北海道大学 創成科学研究棟 ５階 大会議室 | 半導体直接融着によるSi基板上1.3 um InAs/GaAs量子ドットレーザ ○田辺克明・渡邉克之・荒川泰彦（東大） EMD2011-42 CPM2011-86 OPE2011-77 LQE2011-40 |
[more] | EMD2011-42 CPM2011-86 OPE2011-77 LQE2011-40 pp.53-58 |
| EMD, OPE, LQE, CPM (共催) |
2010-08-27 16:55 |
北海道 | 千歳アルカディアプラザ | ウェハ融着によるSi基板上1.3um InAs/GaAs量子ドットレーザ ○田辺克明・Denis Guimard・Damien Bordel・岩本 敏・荒川泰彦（東大） EMD2010-59 CPM2010-75 OPE2010-84 LQE2010-57 |
III-V化合物半導体光源をSi基板ないし導波路上に形成した一体型デバイスは、光電子集積回路の実現に有効である。特に量子... [more] | EMD2010-59 CPM2010-75 OPE2010-84 LQE2010-57 pp.153-156 |
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