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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ED | 2011-07-29 14:45 |
新潟 | 長岡技術科学大学マルチメディアシステムセンター | AlGaN/GaN HEMTにおけるMOS界面特性と電流コラプスの評価 ○橋詰 保・水江千帆子・掘 祐臣・田島正文・大井幸多（北大）  ED2011-40 |
[more] | ED2011-40 pp.17-20 |
| MW, ED (共催) |
2011-01-14 09:30 |
東京 | 機械振興会館 | デュアルゲート構造を用いたAlGaN/GaN HEMTの電流コラプスの表面帯電部位依存性の評価 ○田島正文・橋詰 保（北大） ED2010-182 MW2010-142 |
我々はデュアルゲート構造を用いてゲートストレス位置がAlGaN/GaN高電子移動度トランジスタ（HEMT）の電流コラプス... [more] | ED2010-182 MW2010-142 pp.41-44 |
| ED, CPM, SDM (共催) |
2009-05-15 13:50 |
愛知 | 豊橋技科大サテライトオフィス | AlGaN/GaN HEMTの動作安定性評価 ○田島正文・橋詰 保（北大） ED2009-34 CPM2009-24 SDM2009-24 |
[more] | ED2009-34 CPM2009-24 SDM2009-24 pp.87-90 |
| ED | 2008-06-13 13:50 |
石川 | 金沢大学 角間キャンパス | AlGaNの深い準位とAlGaN/GaN HEMTの動作安定性の評価 ○田島正文・小谷淳二・菅原克也・橋詰 保（北大） ED2008-24 |
[more] | ED2008-24 pp.11-16 |
| CPM, ED, LQE (共催) |
2007-10-12 11:15 |
福井 | 福井大学 | AlGaN/GaNヘテロ構造表面制御とトランジスタ応用 ○田島正文・小谷淳二・田村隆博・橋詰 保（北大） ED2007-170 CPM2007-96 LQE2007-71 |
AlGaN/GaN HEMTの動作安定性・信頼性を向上させることを目的として、高温でのバイアスストレス（BTストレス）評... [more] | ED2007-170 CPM2007-96 LQE2007-71 pp.73-76 |
| ED, CPM, LQE (共催) |
2006-10-05 15:20 |
京都 | 京都大学 | 窒化物半導体電子デバイスにおける接合制御 ○木村 健・小谷淳二・加藤寛樹・田島正文・小川恵理・水江千帆子・橋詰 保（北大） |
[more] | ED2006-157 CPM2006-94 LQE2006-61 pp.29-34 |
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