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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ED 2011-07-29
14:45
新潟 長岡技術科学大学マルチメディアシステムセンター AlGaN/GaN HEMTにおけるMOS界面特性と電流コラプスの評価
橋詰 保水江千帆子掘 祐臣田島正文大井幸多北大ED2011-40
 [more] ED2011-40
pp.17-20
MW, ED
(共催)
2011-01-14
09:30
東京 機械振興会館 デュアルゲート構造を用いたAlGaN/GaN HEMTの電流コラプスの表面帯電部位依存性の評価
田島正文橋詰 保北大ED2010-182 MW2010-142
我々はデュアルゲート構造を用いてゲートストレス位置がAlGaN/GaN高電子移動度トランジスタ(HEMT)の電流コラプス... [more] ED2010-182 MW2010-142
pp.41-44
ED, CPM, SDM
(共催)
2009-05-15
13:50
愛知 豊橋技科大サテライトオフィス AlGaN/GaN HEMTの動作安定性評価
田島正文橋詰 保北大ED2009-34 CPM2009-24 SDM2009-24
 [more] ED2009-34 CPM2009-24 SDM2009-24
pp.87-90
ED 2008-06-13
13:50
石川 金沢大学 角間キャンパス AlGaNの深い準位とAlGaN/GaN HEMTの動作安定性の評価
田島正文小谷淳二菅原克也橋詰 保北大ED2008-24
 [more] ED2008-24
pp.11-16
CPM, ED, LQE
(共催)
2007-10-12
11:15
福井 福井大学 AlGaN/GaNヘテロ構造表面制御とトランジスタ応用
田島正文小谷淳二田村隆博橋詰 保北大ED2007-170 CPM2007-96 LQE2007-71
AlGaN/GaN HEMTの動作安定性・信頼性を向上させることを目的として、高温でのバイアスストレス(BTストレス)評... [more] ED2007-170 CPM2007-96 LQE2007-71
pp.73-76
ED, CPM, LQE
(共催)
2006-10-05
15:20
京都 京都大学 窒化物半導体電子デバイスにおける接合制御
木村 健小谷淳二加藤寛樹田島正文小川恵理水江千帆子橋詰 保北大
 [more] ED2006-157 CPM2006-94 LQE2006-61
pp.29-34
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