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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
LQE, OPE
(共催)
2013-06-21
10:35
東京 機械振興会館 300 mm基板上にArF液侵リソグラフィーを用いて作製したシリコンフォトニクスデバイス
北 智洋田主裕一朗奈良匡樹平野 秀東北大)・外山宗博関 三好越野圭二横山信幸大塚 実杉山曜宣石塚栄一佐野 作堀川 剛産総研)・山田博仁東北大
ArF液侵リソグラフィー技術を用いて300 mm SOIウェハ上にチャネル型シリコン細線導波路,方向性結合器,リング共振... [more] OPE2013-7 LQE2013-17
pp.1-5
SDM 2009-10-29
16:45
宮城 東北大学 SOI基板を用いたSi-MESFETの電流電圧特性
阿部俊幸田主裕一朗黒木伸一郎小谷光司伊藤隆司東北大
微細Si-MESFETについてシミュレーションを行い、新しいゲート構造によるゲートリーク電流の低減と、ダブルゲート構造に... [more] SDM2009-122
pp.27-30
SDM 2009-10-30
11:30
宮城 東北大学 ヒートガスアニールによるガラス基板上の非晶質シリコン薄膜の結晶化
田主裕一朗河野陽輔黒木伸一郎小谷光司東北大)・村 直美山上公久古村雄二フィルテック)・伊藤隆司東北大
ガラス基板上の非晶質シリコン薄膜の結晶化のための新たな手法としてヒートガスアニール法を提案し実証した。ヒートガスアニール... [more] SDM2009-128
pp.47-50
OPE 2007-12-14
16:30
東京 機械振興会館 シリコンリング共振器を用いた電界駆動光変調素子
徳永智大田主裕一朗雨宮嘉照横山 新広島大
SOIウエハを用い直径20umのマルチモードシリコンリング共振器(共振波長1500nm付近)を製作した。導波路幅は0.6... [more] OPE2007-143
pp.41-46
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