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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ICD 2017-04-20
13:50
東京 機械振興会館 [依頼講演]IoTローカルデバイス向けCMOSプロセスとNAND型フラッシュプロセスで構成される1.0 V動作NAND型フラッシュメモリ書き込み電圧生成回路
鶴見洸太田中誠大竹内 健中大
IoTローカルデバイスに組み込まれるデータストレージとしてNAND型フラッシュメモリが注目されている。IoTローカルデバ... [more] ICD2017-5
pp.23-28
ICD, CPSY
(共催)
2016-12-15
15:30
東京 東京工業大学 [ポスター講演]低電圧動作ReRAMの書き換え電圧昇圧回路の高速化
鈴木健太田中誠大鶴見洸太竹内 健中大
次世代不揮発性メモリとして低消費電力,高速動作可能な抵抗変化型メモリ(ReRAM)が注目されている。ReRAMは印加する... [more] ICD2016-67 CPSY2016-73
p.53
VLD, DC
(共催)
CPM, ICD, IE
(共催)
CPSY, RECONF
(併催) [詳細]
2016-11-30
14:35
大阪 立命館大学大阪いばらきキャンパス IoTデバイス向けReRAM書き込み電圧生成回路の低電圧化およびコンパレータ回路のバイアス電流最適化手法
鶴見洸太田中誠大竹内 健中大
IoT向けのメモリやデータストレージとして,高速かつ低電力動作可能なReRAMが注目されている。IoT向けデバイスは小型... [more] CPM2016-89 ICD2016-50 IE2016-84
pp.69-74
ICD 2016-04-14
13:25
東京 機械振興会館 [依頼講演]IoT向け端末に組み込まれるコンパレータ回路のバイアス電流を最適化した0.6V動作ReRAM書き込み電圧生成回路
田中誠大石井智也蜂谷尚悟寧 渉洋竹内 健中大
バッテリーレスなIoT向け端末に組み込まれるデータストレージとして,低電圧・低電力書き込み可能な抵抗変化型メモリ(ReR... [more] ICD2016-6
pp.27-32
ICD, CPSY
(共催)
2015-12-17
16:00
京都 京都工芸繊維大学 [ポスター講演]高速書き込み可能なReRAM書き込み電圧生成回路の低電圧化
鶴見洸太田中誠大石井智也竹内 健中大
 [more] ICD2015-70 CPSY2015-83
p.39
ICD, CPSY
(共催)
2014-12-01
15:15
東京 機械振興会館 [ポスター講演]低電圧動作可能なReRAM向けプログラム電圧生成回路
田中誠大石井智也蜂谷尚悟竹内 健中大
従来のNAND型フラッシュメモリを使用したソリッド・ステート・ドライブ(SSD)に低電力で高速アクセスが可能な抵抗変化型... [more] ICD2014-93 CPSY2014-105
p.65
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