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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM, ICD (共催) ITE-IST (連催) [詳細] |
2018-08-08 13:15 |
北海道 | 北海道大学大学院情報科学研究科 M棟M151 | ［依頼講演］パスゲートトランジスタの対称性を向上した28nmHKMG 10TデュアルポートSRAMセル ○石井雄一郎・田中美紀・藪内 誠・澤田陽平・田中信二・新居浩二（ルネサス エレクトロニクス）・Tien Yu Lu・Chun Hsien Huang・Shou Sian Chen・Yu Tse Kuo・Ching Cheng Lung・Osbert Cheng（ユナイテッド・マイクロエレクトロニクス）  SDM2018-40 ICD2018-27 |
従来の8TデュアルポートSRAMセルに対して, パスゲートトランジスタの対称性を向上し, リード・ライトディスターブ状態... [more] | SDM2018-40 ICD2018-27 pp.83-88 |
| ICD | 2017-04-21 10:25 |
東京 | 機械振興会館 | ［依頼講演］16-nm FinFETを用いた6.05-Mb/mm2の高密度及び313psの高速読み出し可能なDouble Pumping型1W1R 2-port SRAM ○澤田陽平・藪内 誠・森本薫夫（ルネサス エレクトロニクス）・佐野聡明（ルネサス システムデザイン）・石井雄一郎・田中信二（ルネサス エレクトロニクス）・田中美紀（ルネサス システムデザイン）・新居浩二（ルネサス エレクトロニクス） ICD2017-12 |
[more] | ICD2017-12 pp.63-65 |
| ICD | 2016-04-14 10:10 |
東京 | 機械振興会館 | ［依頼講演］低消費電力MCU向け40-nm 4-Mb組込みSRAMを用いた効率的なスクリーニング手法 ○良田雄太（ルネサス システムデザイン）・横山佳巧・石井雄一郎（ルネサス エレクトロニクス）・稲田敏浩・田中浩司・田中美紀・辻橋良樹（ルネサス システムデザイン）・新居浩二（ルネサス エレクトロニクス） ICD2016-1 |
低消費マイコン(MCU)向けに、効率的なテストスクリーニング回路を搭載した組込みシングルポートSRAMを開発した。室温で... [more] | ICD2016-1 pp.1-6 |
| SDM | 2016-01-28 14:30 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］最先端テクノロジノードにおける2RWデュアルポートSRAM設計事例 ○新居浩二・薮内 誠（ルネサス エレクトロニクス）・横山佳巧（ルネサス システムデザイン）・石井雄一郎・岡垣 健・森本薫夫・塚本康正（ルネサス エレクトロニクス）・田中浩司・田中美紀（ルネサス システムデザイン）・田中信二（ルネサス エレクトロニクス） SDM2015-125 |
[more] | SDM2015-125 pp.21-25 |
| ICD | 2015-04-16 13:00 |
長野 | 信州大学 | ［依頼講演］20nmプロセスにおける高密度SRAMのワード線調整アシスト回路システム ○藪内 誠・塚本康正・森本薫夫・田中美紀・新居浩二（ルネサス エレクトロニクス） ICD2015-1 |
[more] | ICD2015-1 pp.1-4 |
| SDM | 2015-01-27 15:55 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］16nmノードMetal/high-k FinFETプロセスを用いたワード線オーバードライブアシスト技術による高速シングルポートSRAM ○藪内 誠・森本薫夫・塚本康正・田中信二・田中浩司・田中美紀・新居浩二（ルネサス エレクトロニクス） SDM2014-144 |
16nm High-KメタルゲートのフィンFETプロセスにおけるSRAMにワード線オーバードライブ方式のアシスト回路技術... [more] | SDM2014-144 pp.37-40 |
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