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 36件中 1~20件目  /  [次ページ]  
研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
MW, ED
(共催)
2017-01-26
14:00
東京 機械振興会館地下2階1号室 [依頼講演]Si基板上GaNパワーデバイス ~ スイッチング及び高周波応用 ~
上田哲三上本康裕酒井啓之田中 毅パナソニック)・上田大助京都工繊大ED2016-96 MW2016-172
GaNトランジスタはスイッチング機器で使用される、いわゆるパワーデバイスとして、その実用化に向けての研究開発が積極的に行... [more] ED2016-96 MW2016-172
pp.1-5
PRMU, MI, IE, SIP
(共催)
2015-05-15
11:10
三重 三重大学 [招待講演]ウェルネス社会の実現に向けたヘルスケア情報処理技術
伴 秀行垂水信二田中 毅長谷川泰隆三好利昇高田英克大崎高伸中川 徹日立)・棟重卓三日立健保SIP2015-21 IE2015-21 PRMU2015-21 MI2015-21
 [more] SIP2015-21 IE2015-21 PRMU2015-21 MI2015-21
pp.111-116
CPM, LQE, ED
(共催)
2013-11-29
16:40
大阪 大阪大学 吹田キャンパス GaN-HEMTスイッチング回路における不要電磁波の放射特性の評価
井手利英鍛冶良作清水三聡産総研)・水谷研治上野弘明大塚信之上田哲三田中 毅パナソニックED2013-89 CPM2013-148 LQE2013-124
GaN-HEMTを用いたスイッチングコンバータの回路から放射される不要な電磁波を電磁界プローブによる2次元平面スキャンで... [more] ED2013-89 CPM2013-148 LQE2013-124
pp.117-120
MW, ED
(共催)
2013-01-18
13:00
東京 機械振興会館 Siショットキーバリアダイオードを集積化したGaNトランジスタによるDC-DCコンバータの高効率動作
宇治田信二森田竜夫梅田英和木下雄介田村聡之按田義治上田哲三田中 毅パナソニックED2012-122 MW2012-152
低電圧DC-DCコンバータ用途として、Siショットキーバリアダイオード(SBD)を集積化したノーマリオフGaNトランジス... [more] ED2012-122 MW2012-152
pp.53-56
MW, ED
(共催)
2013-01-18
13:50
東京 機械振興会館 GaNパワーデバイスのスイッチング特性における深い準位の影響
田中健一郎石田昌宏上田哲三田中 毅パナソニックED2012-124 MW2012-154
ノーマリオフ型AlGaN/GaNヘテロ構造電界効果トランジスタにおける,高電界印加時の電流コラプスの発現メカニズムについ... [more] ED2012-124 MW2012-154
pp.63-68
ICD, SDM
(共催)
2012-08-03
10:05
北海道 札幌市男女共同参画センター [招待講演]マイクロ波駆動技術を用いた絶縁型ゲート駆動回路
永井秀一根来 昇福田健志河井康史上田哲三田中 毅大塚信之上田大助パナソニックSDM2012-79 ICD2012-47
ゲート制御信号を5.8GHzの高周波信号に変調して非接触電力伝送を行った後に信号を復元するマイクロ波駆動技術を用い、絶縁... [more] SDM2012-79 ICD2012-47
pp.89-92
SDM, ED
(共催)
(ワークショップ)
2012-06-29
08:15
沖縄 沖縄県青年会館 [招待講演]Integrated Design Platform for Power Electronics Applications with GaN Devices
Kenji MizutaniHiroaki UenoYuji KudohShuichi NagaiKaoru InoueNobuyuki OtsukaTetsuzo UedaTsuyoshi TanakaDaisuke UedaPanasonic
 [more]
ED, MW
(共催)
2012-01-12
14:30
東京 機械振興会館 P型障壁制御層を有する大電流・高耐圧GaNマルチジャンクションダイオード
柴田大輔海原一裕村田智洋山田康博森田竜夫按田義治石田昌宏石田秀俊上田哲三田中 毅上田大助パナソニックED2011-137 MW2011-160
 [more] ED2011-137 MW2011-160
pp.101-105
ED, MW
(共催)
2012-01-12
15:35
東京 機械振興会館 Si基板上AlGaN/GaN HFETの高出力・高利得化に向けたフィールドプレート設計
中澤敏志鶴見直大西嶋将明按田義治石田昌宏上田哲三田中 毅パナソニックED2011-139 MW2011-162
Si基板上AlGaN/GaN HFETの高出力化および高利得化に向けてフィールドプレート構造を適用し、小信号RF特性から... [more] ED2011-139 MW2011-162
pp.111-115
LQE, ED, CPM
(共催)
2011-11-17
16:05
京都 京都大学桂キャンパス 桂ホール GaN-GIT双方向スイッチの高精度な等価回路モデル
井手利英清水三聡沈 旭強産総研)・森田竜夫上田哲三田中 毅パナソニックED2011-84 CPM2011-133 LQE2011-107
GaN-Gate Injection Transistor(GIT) 双方向スイッチは従来のスイッチング素子と比較して低... [more] ED2011-84 CPM2011-133 LQE2011-107
pp.55-60
LOIS 2011-03-04
13:30
沖縄 石垣市IT事業支援センター(沖縄県) ウェアラブルセンサ向けセキュリティ技術とクラウド型行動解析システムの開発
田中 毅河本 健愛木 清栗山裕之日立LOIS2010-90
 [more] LOIS2010-90
pp.149-154
MW, ED
(共催)
2011-01-14
10:35
東京 機械振興会館 耐圧ブースト構造によるSi基板上GaNトランジスタの高耐圧化
梅田英和鈴木朝実良按田義治石田昌宏上田哲三田中 毅上田大助パナソニックED2010-184 MW2010-144
Si基板に空乏層を形成することで,同基板上GaNパワートランジスタの高耐圧化を実現する,いわゆる耐圧ブースト技術を開発し... [more] ED2010-184 MW2010-144
pp.51-54
MW, ED
(共催)
2011-01-14
14:55
東京 機械振興会館 IMSL線路を用いたミリ波CMOS WLCSP技術
河井康史宇治田信二福田健志酒井啓之上田哲三田中 毅パナソニックED2010-191 MW2010-151
ミリ波CMOS向けに、インバーテッドマイクロストリップライン(IMSL)を用いた新しいウェハレベルチップサイズパッケージ... [more] ED2010-191 MW2010-151
pp.87-90
ED 2010-12-17
10:35
宮城 東北大学 電気通信研究所 [招待講演]準ミリ波長距離伝送に向けた低コスト基板上GaNデバイス
酒井啓之黒田正行根来 昇村田智洋永井秀一西嶋将明按田義治上田哲三田中 毅パナソニックED2010-167
準ミリ波帯での長距離通信向けの低コスト基板上GaN送受信デバイスを開発した。受信用には高周波特性に優れたサファイア基板を... [more] ED2010-167
pp.53-58
IE, LOIS
(共催)
ITE-ME, IEE-CMN
(連催)
(連催) [詳細]
2010-09-21
14:20
高知 高知工科大学 腕時計型センサの記録行動と継続性の分析
田中 毅栗山裕之河本 健新谷隆彦鈴木 敬日立LOIS2010-20 IE2010-62
携帯電話や活動量計等の健康機器による人の行動や生体情報の常時計測は,日常的な健康管理や生活習慣病の予防へ活用するニーズが... [more] LOIS2010-20 IE2010-62
pp.13-18
IE, LOIS
(共催)
ITE-ME, IEE-CMN
(連催)
(連催) [詳細]
2010-09-21
14:45
高知 高知工科大学 典型日遷移列に基づく生活モデルの提案
河本 健栗山裕之田中 毅新谷隆彦鈴木 敬日立LOIS2010-21 IE2010-63
医療やマーケティング等,様々な分野で生活パターンを定量的に測る事は有効である.しかし従来は起床時刻の平均値や分散等の指標... [more] LOIS2010-21 IE2010-63
pp.19-24
MW, ED
(共催)
2009-01-14
15:25
東京 機械振興会館 GaNナチュラルスーパージャンクションダイオード
石田秀俊柴田大輔松尾尚慶柳原 学上本康裕上田哲三田中 毅上田大助パナソニックED2008-202 MW2008-167
GaNをはじめとする分極を有する窒化物系半導体材料により、高耐圧特性と低オン抵抗特性を両立できる新しい半導体接合を実現で... [more] ED2008-202 MW2008-167
pp.23-27
MW, ED
(共催)
2009-01-16
10:20
東京 機械振興会館 In-situ SiNをゲート絶縁膜に用いたAlGaN/GaN MIS-HFET
黒田正行村田智洋中澤敏志瀧澤俊幸西嶋将明柳原 学上田哲三田中 毅パナソニックED2008-220 MW2008-185
GaN系化合物半導体は大きな絶縁破壊電界と飽和電子速度を有するため、高周波高出力トランジスタとして有望である。AlGaN... [more] ED2008-220 MW2008-185
pp.125-128
MW 2008-08-28
14:20
大阪 大阪大学(豊中) サファイア基板上準ミリ波帯AlGaN/GaN MMIC
村田智洋黒田正行松下電器)・永井秀一Panasonic Boston Lab.)・西嶋将明石田秀俊柳原 学上田哲三酒井啓之田中 毅松下電器)・Ming LiPanasonic Boston Lab.MW2008-85
サファイア基板上にAlGaN/GaN HFETとマイクロストリップ線路からなる整合回路を集積化した準ミリ波帯増幅器MMI... [more] MW2008-85
pp.37-40
SDM, ED
(共催)
2008-07-11
10:50
北海道 かでる2・7(札幌) AlNパッシベーションを用いた10400V耐圧AlGaN/GaN HFET
柴田大輔松尾尚慶松下電器)・永井秀一Ming LiPanasonic Boston Lab)・鶴見直大石田秀俊柳原 学上本康裕上田哲三田中 毅上田大助松下電器ED2008-73 SDM2008-92
 [more] ED2008-73 SDM2008-92
pp.177-181
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