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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| OME | 2016-03-03 13:30 |
東京 | 東工大南3号館S322講義室 | マスター電極を用いた静電塗布法によるマスクレスパターニング ○田中 光・山内 博・酒井正俊・岡田悠吾・飯塚正明・工藤一浩（千葉大）  OME2015-86 |
静電塗布法によるRoll to Rollプロセスの実現を目指して、パターン形成されたマスター電極を用いたフレキシブル基板... [more] | OME2015-86 pp.1-4 |
| ED, SDM (共催) |
2010-07-02 10:10 |
東京 | 東工大 大岡山キャンパス | ［招待講演］InAlN/GaN HEMT Structures on 4-in Silicon Grown by MOCVD ○Makoto Miyoshi・Shigeaki Sumiya・Mikiya Ichimura・Tomohiko Sugiyama・Sota Maehara・Mitsuhiro Tanaka（NGK）・Takashi Egawa（Nagoya Inst. of Tech.） ED2010-105 SDM2010-106 |
[more] | ED2010-105 SDM2010-106 pp.241-244 |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2009-11-20 10:20 |
徳島 | 徳島大学（常三島キャンパス・工業会館） | 4inch径Si基板上に作製した四元混晶InAlGaN/GaN HEMTエピ構造の特性評価 ○市村幹也・三好実人・田中光浩（日本ガイシ）・江川孝志（名工大） ED2009-149 CPM2009-123 LQE2009-128 |
格子長とバンドギャップの独立制御が可能な四元混晶を障壁層とするInAlGaN/GaN HEMT構造のMOCVD成長および... [more] | ED2009-149 CPM2009-123 LQE2009-128 pp.99-103 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2005-10-14 10:30 |
滋賀 | 立命館大学 | 研磨AlN基板を用いたAlGaNの成長と評価 ○増田規宏・石賀 章・劉 玉懐・三宅秀人・平松和政（三重大）・柴田智彦・田中光浩（日本ガイシ）・原口雅也・桑野範之（九大） |
[more] | ED2005-143 CPM2005-130 LQE2005-70 pp.17-22 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2005-10-14 10:50 |
滋賀 | 立命館大学 | 高Alモル分率AlGaNへのSiドーピングによる影響 ○勝野琢弥・大西 孝・劉 玉懐・黎 大兵（三重大）・柴田智彦・田中光浩（日本ガイシ）・三宅秀人・平松和政（三重大） |
[more] | ED2005-144 CPM2005-131 LQE2005-71 pp.23-28 |
| MW, ED (共催) |
2005-01-18 11:35 |
東京 | 機械振興会館 | 100mm径エピタキシャルAlN/サファイアテンプレート上に作製したリセスオーミックAlGaN/AlN/GaN HEMT ○三好実人（名工大/日本ガイシ）・今西 敦・石川博康・江川孝志（名工大）・浅井圭一郎・柴田智彦・田中光浩・小田 修（日本ガイシ） |
100mm径エピタキシャルAlN/サファイア上へのAl0.26Ga0.74N/AlN/GaNヘテロ構造のMOVPE成長を... [more] | ED2004-217 MW2004-224 pp.31-35 |
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