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ICD 2016-04-14
14:50
東京 機械振興会館 [依頼講演]A Triple-Protection Structured COB FRAM with 1.2-V Operation and 1E17-Cycle Endurance
齋藤 仁中村 亘小澤聡一郎佐次田直也三原 智彦坂幸信王 文生堀 智之高井一章中澤光晴小杉 騰濱田 誠川嶋将一郎恵下 隆松宮正人FSLICD2016-9
我々は低電圧1.2 V動作, 書き換え回数1E17 サイクルの強誘電体RAM(FRAM)を開発した。我々が新たに開発した... [more] ICD2016-9
pp.45-49
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