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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
EA, SIP, SP
(共催)
2019-03-14
13:30
長崎 アイランド ナガサキ(長崎市) [ポスター講演]A robust algorithm of phase recovery for speech enhancement
Dongxiao WangKoichi ShinodaTokyoTech)・Hirokazu KameokaNTT
 [more] EA2018-122 SIP2018-128 SP2018-84
pp.137-142
SDM 2015-06-19
13:40
愛知 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー 低い正孔障壁を有するPtGe/Geコンタクトの作製とメタルS/D型Ge p-MOSFETへの適用
永冨雄太田中慎太郎長岡裕一山本圭介王 冬中島 寛九大
低い正孔障壁(ΦBP)を有するPtGe/Geコンタクトの作製およびその電気的パッシベーションについて調査を行った.極薄S... [more] SDM2015-47
pp.47-50
SDM 2014-06-19
09:50
愛知 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー Al2O3/GeOx/GeゲートスタックにおけるAl-PMA効果の調査
永冨雄太長岡裕一山本圭介王 冬中島 寛九大
Al2O3/GeOX/GeゲートスタックにおけるAl-PMA効果について調査を行った.Al-PMAは,SiO2/GeO2... [more] SDM2014-44
pp.7-10
SDM 2013-06-18
10:55
東京 機械振興会館 ゲートスタックへのHf導入によるメタル・ソース/ドレインGe p-MOSFETの高移動度化
山本圭介佐田隆宏王 冬中島 寛九大
高性能GeチャネルCMOS実現には、寄生抵抗を極限まで低減したメタル・ソース/ドレイン(S/D)の導入が望ましい。我々は... [more] SDM2013-49
pp.29-32
SDM 2012-06-21
17:15
愛知 名古屋大学(ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー) TiN/Geコンタクトに於けるフェルミレベルピンニング変調とMOSデバイスへの応用
山本圭介井餘田昌俊王 冬中島 寛九大
金属/Ge界面ではフェルミレベルがGeの価電子帯近傍にピンニング(FLP)され、低障壁・低抵抗な金属/Geコンタクトの形... [more] SDM2012-61
pp.97-102
SDM 2009-06-19
14:10
東京 東京大学(生産研An棟) 界面層にHfGeNおよびGeO2を有するhigh-k膜/Ge構造の形成と電気的評価 ~ Ge基板への絶縁膜形成 ~
中島 寛平山佳奈楊 海貴王 冬九大
We are searching MIS structure with good interface and insul... [more] SDM2009-35
pp.51-56
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