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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
MW, ED
(共催)
2019-01-17
15:00
東京 日立中研 ピットアシストオーミック技術によるInAlGaN/GaN HEMTの性能向上
熊崎祐介尾崎史朗美濃浦優一牧山剛三多木俊裕岡本直哉中村哲一富士通研ED2018-77 MW2018-144
InAlGaN/GaN HEMTのコンタクト抵抗低減を目的として,オーミック金属/InAlGaN界面にピット構造を導入す... [more] ED2018-77 MW2018-144
pp.51-54
MW, ED
(共催)
2017-01-26
14:50
東京 機械振興会館地下2階1号室 [依頼講演]ミリ波GaN HEMTの現状
牧山剛三新井田佳孝尾崎史朗多木俊裕岡本直哉美濃浦優一佐藤 優鎌田陽一常信和清渡部慶二富士通)・宮本泰幸東工大ED2016-98 MW2016-174
 [more] ED2016-98 MW2016-174
pp.13-16
ED 2016-07-23
14:00
東京 首都大学東京 南大沢キャンパス 国際交流会館 大会議室 水蒸気を用いた表面酸化制御InAlN/GaN MOS-HEMT
尾崎史朗牧山剛三多木俊裕鎌田陽一佐藤 優新井田佳孝岡本直哉常信和清富士通研ED2016-27
 [more] ED2016-27
pp.1-4
ED 2016-01-20
15:05
東京 機械振興会館 [依頼講演]テラヘルツIC用InP HEMTの高fmax化
高橋 剛川野陽一牧山剛三芝 祥一中舍安宏原 直紀富士通研ED2015-118
300GHz帯の大容量高速無線通信を実現するために、高感度のテラヘルツ受信器が要求される。高速特性に優れたInP HEM... [more] ED2015-118
pp.37-41
ED 2015-12-21
14:35
宮城 東北大通研ナノ・スピン棟 InP HEMTと集積化した300GHz受信用GaAsSbバックワードダイオードの検波特性
高橋 剛佐藤 優芝 祥一牧山剛三中舍安宏原 直紀富士通研ED2015-94
テラヘルツ波の高感度検出のために、InP HEMT低雑音増幅器とGaAaSb系バックワード高感度検波器を集積化したMMI... [more] ED2015-94
pp.19-23
ED 2015-07-24
14:05
石川 ITビジネスプラザ武蔵研修室1(金沢市武蔵町) リセスゲートAlGaN/GaN-HEMT向け低ダメージドライエッチング
美濃浦優一岡本直哉多木俊裕尾崎史朗牧山剛三鎌田陽一渡部慶二富士通研ED2015-38
 [more] ED2015-38
pp.9-13
MW, ED
(共催)
2015-01-16
10:40
東京 機械振興会館 X-Ku帯高効率GaN HEMT増幅器MMICの開発
新井田佳孝鎌田陽一多木俊裕尾崎史朗牧山剛三岡本直哉佐藤 優増田 哲渡部慶二富士通研ED2014-127 MW2014-191
 [more] ED2014-127 MW2014-191
pp.59-63
LQE, ED, CPM
(共催)
2014-11-28
13:15
大阪 大阪大学 吹田キャンパス 理工学図書館 MSQ Low-k絶縁膜を用いたミリ波帯GaN-HEMTの電流コラプス抑制
尾崎史朗牧山剛三多木俊裕鎌田陽一佐藤 優新井田佳孝岡本直哉増田 哲常信和清富士通ED2014-90 CPM2014-147 LQE2014-118
ミリ波帯GaN高電子移動度トランジスタ(High Electron Mobility Transistor:HEMT)の... [more] ED2014-90 CPM2014-147 LQE2014-118
pp.81-84
ED 2012-12-17
13:50
宮城 東北大学電通研 片平北キャンパス ナノ・スピン総合研究棟4階 カンファレンスルーム 75-nm InP HEMTを用いたF帯双方向増幅器
芝 祥一佐藤 優鈴木俊秀中舍安宏高橋 剛牧山剛三原 直紀富士通ED2012-95
短距離大容量通信システムへの適用に向け,75 nm InP HEMTを用いてF帯(90-140 GHz)で動作する電流再... [more] ED2012-95
pp.11-15
LQE, ED, CPM
(共催)
2011-11-17
16:45
京都 京都大学桂キャンパス 桂ホール ミリ波用GaN-HEMTに対するSiイオン注入技術の検討
西森理人牧山剛三多木俊裕山田敦史今西健治吉川俊英原 直紀渡部慶二富士通研ED2011-85 CPM2011-134 LQE2011-108
 [more] ED2011-85 CPM2011-134 LQE2011-108
pp.61-65
ED 2010-12-17
09:30
宮城 東北大学 電気通信研究所 [招待講演]InP-HEMT MMICを用いたミリ波インパルス無線の検討
原 直紀中舍安宏牧山剛三高橋 剛富士通/富士通研ED2010-165
シンプルで小型な送受信機を構成可能なインパルス無線方式をW帯ミリ波通信に適用し、InP HEMT MMICを用いて送受信... [more] ED2010-165
pp.41-45
CPM, LQE, ED
(共催)
2010-11-11
16:50
大阪 阪大 中ノ島センター ミリ波高出力GaN-HEMT
牧山剛三多木俊裕岡本直哉金村雅仁増田 哲中舍安宏常信和清今西健治富士通/富士通研)・原 直紀尾崎史朗中村哲一富士通研)・吉川俊英富士通/富士通研ED2010-153 CPM2010-119 LQE2010-109
 [more] ED2010-153 CPM2010-119 LQE2010-109
pp.51-54
ED, MW
(共催)
2010-01-15
09:30
東京 機械振興会館 75nm InP HEMTによる20Gb/s 4.9ps短パルス発生器の開発
中舍安宏川野陽一鈴木俊秀富士通)・多木俊裕富士通研)・高橋 剛牧山剛三原 直紀富士通ED2009-190 MW2009-173
 [more] ED2009-190 MW2009-173
pp.87-92
MW 2009-09-25
15:15
東京 電通大 効率50%超C帯340W、X帯100W級GaN高出力増幅器
重松寿生井上雄介赤瀬川章彦増田 哲山田全男金村雅仁多木俊裕牧山剛三岡本直哉今西健治吉川俊英常信和清原 直紀富士通研MW2009-86
本論文では0.25 um GaN-HEMTを用いた超100 W出力のX帯高出力増幅器および0.8 um GaN-HEMT... [more] MW2009-86
pp.73-78
ED 2009-06-12
11:25
東京 東京工業大学 GaN-HEMTエピ構造最適化によるオフ電流低減
山田敦史牧山剛三多木俊裕金村雅仁常信和清今西健治富士通/富士通研)・原 直紀富士通研)・吉川俊英富士通/富士通研ED2009-48
ミリ波帯応用向けの短ゲートGaN-HEMTのピンチオフ電流の低減には、GaNチャネル層の薄層化が有効である.しかしながら... [more] ED2009-48
pp.63-67
MW, ED
(共催)
2009-01-16
09:30
東京 機械振興会館 C帯超300W、50%GaN高出力・高効率増幅器
重松寿生井上雄介増田 哲山田全男金村雅仁多木俊裕牧山剛三岡本直哉今西健治吉川俊英常信和清原 直紀富士通研ED2008-218 MW2008-183
 [more] ED2008-218 MW2008-183
pp.113-118
MW, ED
(共催)
2009-01-16
10:55
東京 機械振興会館 ミリ波向け高耐圧・高出力GaN-HEMT
牧山剛三多木俊裕金村雅仁常信和清今西健治富士通/富士通研)・原 直紀富士通研)・吉川俊英富士通/富士通研ED2008-221 MW2008-186
ミリ波(W帯)増幅器向けGaN高移動度トランジスタ(GaN-HEMT)の3端子耐圧向上技術について報告する。GaN-HE... [more] ED2008-221 MW2008-186
pp.129-133
ED 2008-12-19
15:55
宮城 東北大学電気通信研究所 W帯10Gb/sインパルス無線通信用ウェーブレット送信機の開発
中舍安宏川野陽一鈴木俊秀富士通)・多木俊裕富士通研)・高橋 剛牧山剛三富士通)・廣瀬達哉富士通研)・原 直紀富士通ED2008-189
10 Gb/sを超えるインパルス無線通信装置の実現に向け、70-100 GHzミリ波帯で動作するウェーブレット(波束)送... [more] ED2008-189
pp.27-32
LQE, ED, CPM
(共催)
2008-11-28
13:55
愛知 名古屋工業大学 100W出力AlGaN/GaN EモードHEMT増幅器
多木俊裕吉川俊英金村雅仁今西健治牧山剛三岡本直哉常信和清原 直紀富士通/富士通研ED2008-178 CPM2008-127 LQE2008-122
 [more] ED2008-178 CPM2008-127 LQE2008-122
pp.131-136
MW, EMCJ
(共催)
2008-10-24
11:25
山形 山形大学(米沢) 94GHz帯パッシブセンサ用InP-HEMT MMICの開発
佐藤 優廣瀬達哉多木俊裕高橋 剛牧山剛三原 直紀富士通)・佐藤弘康澤谷邦男水野皓司東北大EMCJ2008-72 MW2008-116
 [more] EMCJ2008-72 MW2008-116
pp.77-80
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