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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM 2015-10-29
16:00
宮城 東北大学未来研 原子オーダー平坦なゲート絶縁膜/シリコン界面を導入したMOSFETの電気的特性
後藤哲也黒田理人諏訪智之寺本章伸小原俊樹木本大幾須川成利東北大)・鎌田 浩熊谷勇喜渋沢勝彦ラピスセミコンダクタ宮城SDM2015-74
シリコン表面原子オーダー平坦化技術を,テクノロジーノード0.22umのshallow trench isolation ... [more] SDM2015-74
pp.17-22
SDM 2014-10-16
14:50
宮城 東北大学未来研 シリコン表面原子オーダー平坦化技術のSTIプロセス工程への導入
後藤哲也黒田理人赤川直矢諏訪智之寺本章伸李 翔小原俊樹木本大幾須川成利大見忠弘東北大)・熊谷勇喜鎌田 浩渋沢勝彦ラピスセミコンダクタ宮城SDM2014-85
シリコン表面原子オーダー平坦化技術を,テクノロジーノード0.22mのshallow trench iso... [more] SDM2014-85
pp.7-12
SDM 2011-10-20
14:45
宮城 東北大学未来研 異常Stress Induced Leakage Currentの発生・回復特性の統計的評価
稲塚卓也熊谷勇喜黒田理人寺本章伸須川成利大見忠弘東北大SDM2011-99
 [more] SDM2011-99
pp.11-16
SDM 2011-10-21
10:15
宮城 東北大学未来研 SiO2/Si界面における構造遷移層の酸化手法依存性
諏訪智之熊谷勇喜寺本章伸東北大)・木下豊彦室隆桂之高輝度光科学研究センター)・服部健雄大見忠弘東北大SDM2011-105
酸素ラジカルおよび酸素分子で形成したSiO2膜について、Si 2pからの軟X線励起角度分解光電子スペクトルを測定し、Si... [more] SDM2011-105
pp.49-52
SDM 2010-10-22
14:50
宮城 東北大学 酸素ラジカルを用いて形成したSiO2/Si界面における組成遷移と価電子帯オフセットの基板面方位依存性
諏訪智之熊谷勇喜寺本章伸大見忠弘服部健雄東北大)・木下豊彦室 隆桂之高輝度光科学研究センターSDM2010-167
Si 2pとO 1sの内殻準位および価電子帯からの軟X線励起角度分解光電子スペクトルを脱出深さを揃えて測定し、Oラジカル... [more] SDM2010-167
pp.61-65
SDM 2008-10-10
15:15
宮城 東北大学 Stress Induced Leakage CurrentとRandom Telegraph Signalノイズとの相関
熊谷勇喜寺本章伸阿部健一藤澤孝文渡部俊一諏訪智之宮本直人須川成利大見忠弘東北大SDM2008-165
絶縁膜にFowler-Noldheim(FN)電子注入ストレスを印加した際の、stress induced leakag... [more] SDM2008-165
pp.57-62
SDM 2007-06-07
15:55
広島 広島大学(学士会館) 大規模アレイTEGによるトンネル絶縁膜の微小・局所的ゲート電流の統計的評価
熊谷勇喜寺本章伸須川成利諏訪智之大見忠弘東北大SDM2007-36
 [more] SDM2007-36
pp.27-32
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