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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM, ICD
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2018-08-09
12:45
北海道 北海道大学大学院情報科学研究科 M棟M151 10nm FinFETプロセスにおける回復効果を含むBTIのスタンダードセルのレイアウト形状依存性に関する研究
五十嵐満彦内田優希高沢義生塚本康正澁谷宏治新居浩二ルネサス エレクトロニクスSDM2018-47 ICD2018-34
 [more] SDM2018-47 ICD2018-34
pp.109-113
SDM, ICD
(共催)
2013-08-02
10:50
石川 金沢大学 角間キャンパス 28nmHKMGテクノロジにおけるEM耐性を強化した1.8V I/O NMOS電源スイッチによる123uWスタンバイ電力技術
福岡一樹森 涼加藤 章五十嵐満彦澁谷宏治山木貴志新居浩二森田貞幸小池貴夫ルネサス エレクトロニクス)・阪本憲成ルネサス モバイルSDM2013-78 ICD2013-60
 [more] SDM2013-78 ICD2013-60
pp.65-69
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