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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ED, LQE, CPM
(共催)
2015-11-27
10:50
大阪 大阪市立大学・学術情報センター会議室 Interface analysis of Ti/Al-based ohmic contact on AlGaN/GaN structure grown on GaN substrate
Dariush H. ZadehTanabe ShinichiWatanabe NoriyukiMatsuzaki HideakiNTT
 [more]
LQE, ED, CPM
(共催)
2014-11-28
15:10
大阪 大阪大学 吹田キャンパス 理工学図書館 InGaN/GaN MQW太陽電池における短絡電流最大化に関する検討
渡邉則之満原 学横山春喜NTT)・梁 剣波重川直輝阪市大ED2014-94 CPM2014-151 LQE2014-122
InGaN/GaN MQW太陽電池における短絡電流に対してMQW構造がどのように影響しているか、について考察した。これま... [more] ED2014-94 CPM2014-151 LQE2014-122
pp.103-106
CPM, LQE, ED
(共催)
2013-11-28
14:20
大阪 大阪大学 吹田キャンパス InGaN/GaN MQW太陽電池におけるMQW構造最適化に関する考察
渡邉則之満原 学横山春喜NTT)・梁 剣波重川直輝阪市大ED2013-70 CPM2013-129 LQE2013-105
InGaN/GaN MQW太陽電池の短絡電流とMQW構造の相関について考察した。GaNバリア層厚が薄いほど、また、MQW... [more] ED2013-70 CPM2013-129 LQE2013-105
pp.31-34
ED, LQE, CPM
(共催)
2012-11-29
13:30
大阪 大阪市立大学 GaN/AlGaN/GaN接合を有するダイオードにおける特異なI-V特性
渡邉則之横山春喜NTT)・重川直輝阪市大ED2012-70 CPM2012-127 LQE2012-98
有機金属化学気相成長法(Metalorganic chemical vapor deposition: MOCVD)によ... [more] ED2012-70 CPM2012-127 LQE2012-98
pp.21-24
CPM 2011-10-27
10:20
福井 福井大学 産学官連携本部研修室 MOVPE法によるSi(111)基板上への中間組成InGaN膜の成長
三原章宏杉田憲一Ashraful G. Bhuiyan橋本明弘山本あき勇福井大)・渡邉則之重川直輝NTTCPM2011-120
InGaN/Siタンデム太陽電池では、InGaNのIn組成が0.45の場合、両サブセルの電流整合が実現されるとともに、n... [more] CPM2011-120
pp.55-58
CPM, ED, SDM
(共催)
2008-05-16
09:50
愛知 名古屋工業大学 AlGaN/GaNヘテロ構造におけるAl/Ti/Al系電極構造の検討
廣木正伸西村一巳NTT)・渡邉則之NTT-AT)・小田康裕小林 隆NTTED2008-11 CPM2008-19 SDM2008-31
AlGaN/GaNヘテロ構造におけるオーミック接合として,Al/Ti/Al/Ni/Au電極材料を試みた. 1x10-5&... [more] ED2008-11 CPM2008-19 SDM2008-31
pp.51-56
MW, ED
(共催)
2007-01-19
13:50
東京 機械振興会館 Si基板上にMOCVD成長した高品質InAIN/GaN HEMTエピ
渡邉則之横山春喜廣木正伸小田康裕NTT)・八木拓真NTT-AT)・小林 隆NTT
MOCVDでSi(111)基板上に高品質なInAlN/GaNヘテロ構造を成長した。成長条件の最適化により平坦な表面(rm... [more] ED2006-233 MW2006-186
pp.183-187
OCS, OPE, LQE
(共催)
2005-11-03
17:25
福岡 九州工業大学 InP HBT再成長プロセスによる100GHz受信OEIC
柏尾典秀栗島賢ニ佐野公一井田 実渡邉則之福山裕之菅原裕彦徳光雅美榎木孝知NTT
InPヘテロ接合バイポーラトランジスタ(InP HBT)の全面再成長法により、InP HBTと単一走行キャリアフォトダイ... [more] OCS2005-56 OPE2005-86 LQE2005-94
pp.43-46
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