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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM 2019-11-08
13:30
東京 機械振興会館 [招待講演]トレンチゲート型Si-IGBTの3次元精密TCADシミュレーション
渡辺正裕執行直之星井拓也古川和由角嶋邦之東工大)・佐藤克己三菱電機)・末代知子東芝デバイス&ストレージ)・更屋拓哉高倉俊彦伊藤一夫福井宗利鈴木慎一竹内 潔東大)・宗田伊里也若林 整東工大)・中島 昭産総研)・西澤伸一九大)・筒井一生東工大)・平本俊郎東大)・大橋弘通岩井 洋東工大
 [more] SDM2019-77
pp.45-48
SDM, ICD
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2019-08-08
10:25
北海道 北海道大学 情報科学院 3F A31 [依頼講演]5Vゲート駆動による3300VスケーリングIGBTのスイッチング動作
平本俊郎更屋拓哉伊藤一夫高倉俊彦福井宗利鈴木慎一竹内 潔東大)・附田正則北九州市環境エレクトロニクス研)・沼沢陽一郎明大)・佐藤克己三菱電機)・末代知子東芝デバイス&ストレージ)・齋藤 渉九大)・角嶋邦之星井拓也古川和由渡辺正裕執行直之若林 整筒井一生岩井 洋東工大)・小椋厚志明大)・西澤伸一九大)・大村一郎九工大)・大橋弘通東工大
 [more] SDM2019-42 ICD2019-7
pp.31-34
SDM 2019-01-29
15:40
東京 機械振興会館 [招待講演]5Vゲート駆動1200V級スケーリングIGBTの動作実証とスイッチング損失の低減
更屋拓哉伊藤一夫高倉俊彦福井宗利鈴木慎一竹内 潔東大)・附田正則北九州市環境エレクトロニクス研)・沼沢陽一郎明大)・佐藤克己三菱電機)・末代知子齋藤 渉東芝)・角嶋邦之星井拓也古川和由渡辺正裕執行直之筒井一生岩井 洋東工大)・小椋厚志明大)・西澤伸一九大)・大村一郎九工大)・大橋弘通東工大)・平本俊郎東大
スケーリング原理に基づく5Vゲート駆動1200V耐圧を有するSi-IGBT (Insulated Gate Bipola... [more] SDM2018-90
pp.39-44
ED 2016-07-24
10:20
東京 首都大学東京 南大沢キャンパス 国際交流会館 大会議室 CaF2/Si/CaF2共鳴トンネルダイオードの室温微分負性抵抗特性
田辺直之島中智史須田慶太渡辺正裕東工大
 [more] ED2016-34
pp.35-39
SDM, ED
(共催)
2007-02-01
15:25
北海道 北海道大学 百年記念会館 Si基板上弗化物系サブバンド間遷移レーザの理論解析
自念圭輔内田 薫小平新志東工大)・渡辺正裕浅田雅洋東工大/JST-SORST
 [more] ED2006-244 SDM2006-232
pp.23-28
ED, SDM
(共催)
2006-01-27
09:25
北海道 北海道大学 百年記念会館 大会議室 Si基板上(CdF2/CaF2)サブバンド間遷移レーザ構造のEL発光特性
自念圭輔菊池 毅内田 薫小平新志東工大)・渡辺正裕東工大/JST)・浅田雅洋東工大
 [more] ED2005-232 SDM2005-244
pp.7-10
ED, SDM
(共催)
2006-01-27
09:50
北海道 北海道大学 百年記念会館 大会議室 ナノ領域成長を用いたSi(100)基板上弗化物系共鳴トンネルダイオード
金澤 徹諸澤篤史藤井 諒和田宇史東工大)・渡辺正裕東工大/JST)・浅田雅洋東工大
 [more] ED2005-233 SDM2005-245
pp.11-14
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