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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM 2018-06-25
11:20
愛知 名古屋大学 VBL3F ArまたはHe希釈リモート酸素プラズマCVDによって形成したSiO2/GaN界面の構造・特性比較
グェン スァン チュン名大)・○田岡紀之AIST-NU GaN-OIL)・大田晃生名大)・山田 永高橋言緒AIST-NU GaN-OIL)・池田弥央牧原克典名大)・清水三聡AIST-NU GaN-OIL)・宮崎誠一名大
 [more] SDM2018-17
pp.5-9
SDM 2018-06-25
11:40
愛知 名古屋大学 VBL3F 高性能GaN MOSFET実現に向けたSiO2/GaN界面制御
細井卓治山田高寛野崎幹人阪大)・高橋言諸山田 永清水三聡産総研)・吉越章隆原子力機構)・志村考功渡部平司阪大
GaN MOSFETは高耐圧・低損失スイッチング素子として期待されているが、その実現には良質な絶縁膜および絶縁膜/GaN... [more] SDM2018-18
pp.11-14
SDM 2018-06-25
15:15
愛知 名古屋大学 VBL3F リモートプラズマ支援CVDにより形成したSiO2/GaN界面の化学結合状態および熱的安定性評価
松田亮平大田晃生名大)・田岡紀之産総研)・池田弥央牧原克典名大)・清水三聡産総研)・宮崎誠一名大
n型GaN(0001)基板上に、リモートプラズマ支援CVDにより厚さ~6.2nmのSiO2を堆積し、X線光電子分光法(X... [more] SDM2018-22
pp.29-32
LQE, CPM, ED
(共催)
2017-12-01
12:30
愛知 名古屋工業大学 リモートO2プラズマ支援CVD SiO2/GaN(0001)の化学結合状態及び電気特性評価
グェンスァン チュン名大)・田岡紀之産総研)・大田晃生名大)・山田 永高橋言緒産総研)・池田弥央牧原克典名大)・清水三聡産総研)・宮崎誠一名大
SiH4とリモート酸素プラズマ用いたCVD(ROPE-CVD)によって形成したSiO2/GaN構造に対して、600から8... [more] ED2017-61 CPM2017-104 LQE2017-74
pp.61-64
SDM 2017-11-09
15:40
東京 機械振興会館 [招待講演]深いトラップを含むGaN MOSキャパシタ容量のシミュレーション
福田浩一浅井栄大服部淳一清水三聡産総研)・橋詰 保北大
深いトラップ準位を含むGaN MOSキャパシタの容量をtransientモードで解析する手法を検証し,周波数分散など各非... [more] SDM2017-66
pp.27-32
CPM, LQE, ED
(共催)
2013-11-29
16:40
大阪 大阪大学 吹田キャンパス GaN-HEMTスイッチング回路における不要電磁波の放射特性の評価
井手利英鍛冶良作清水三聡産総研)・水谷研治上野弘明大塚信之上田哲三田中 毅パナソニック
GaN-HEMTを用いたスイッチングコンバータの回路から放射される不要な電磁波を電磁界プローブによる2次元平面スキャンで... [more] ED2013-89 CPM2013-148 LQE2013-124
pp.117-120
LQE, ED, CPM
(共催)
2011-11-17
16:05
京都 京都大学桂キャンパス 桂ホール GaN-GIT双方向スイッチの高精度な等価回路モデル
井手利英清水三聡沈 旭強産総研)・森田竜夫上田哲三田中 毅パナソニック
GaN-Gate Injection Transistor(GIT) 双方向スイッチは従来のスイッチング素子と比較して低... [more] ED2011-84 CPM2011-133 LQE2011-107
pp.55-60
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