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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM 2015-06-19
14:15
愛知 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー メタルソース/ドレインGe CMOS実現に向けたNiGe/Ge接合障壁変調機構の解明
岡 博史箕浦佑也淺原亮平細井卓治志村考功渡部平司阪大
Ge n-MOSFETではn型不純物の低い活性化率および高い拡散係数に加え、金属電極/Ge界面におけるフェルミレベルピニ... [more] SDM2015-48
pp.51-55
SDM 2014-06-19
09:30
愛知 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー 極薄EOT high-k/Geゲートスタックの熱安定性及び界面特性改善に向けたプロセス設計
淺原亮平細井卓治志村考功渡部平司阪大
高性能Ge-MOSFET実現には、1 nm以下のSiO2換算膜厚(Equivalent Oxide Thickness:... [more] SDM2014-43
pp.1-5
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