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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ED, SDM, CPM (共催) |
2024-05-24 11:55 |
北海道 | 北海道大学クラーク会館（札幌キャンパス） （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
層状窒化炭素膜の電荷輸送制御 ○浦上法之・橘 昌希・橋本佳男（信州大） |
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| CPM | 2021-10-27 14:00 |
ONLINE | オンライン開催 | 層状構造を有する窒化炭素膜の化学気相堆積 ○浦上法之・高島健介・橋本佳男（信州大）  CPM2021-28 |
グラファイト状窒化炭素(g-C3N4)は層状構造で半導体性質を示し、貴金属を用いない機能性材料の候補として有望である。本... [more] | CPM2021-28 pp.31-35 |
| CPM | 2017-10-27 13:30 |
長野 | 信州大学 長野(工学)キャンパス Ｅ７棟 3階 研修室 | 化学気相堆積した窒化ホウ素炭素膜の形成条件の検討 ○小坂舞人・浦上法之・橋本佳男（信州大） CPM2017-67 |
ワイドバンドギャップエネルギーを有する炭素系化合物半導体の実現に向けて、化学気相堆積法によりグラファイト状窒化炭素へホウ... [more] | CPM2017-67 pp.1-4 |
| ED, CPM, SDM (共催) |
2015-05-28 15:15 |
愛知 | 豊橋技科大VBL棟 | 表面窒化を用いたGaAsN混晶のN組成制御 ○浦上法之・山根啓輔・関口寛人・岡田 浩・若原昭浩（豊橋技科大） ED2015-20 CPM2015-5 SDM2015-22 |
表面窒化による窒素添加と数原子層(ML)のGaAsで埋め込むことにより希薄窒化物混晶であるGaAsNを成長し，成長条件が... [more] | ED2015-20 CPM2015-5 SDM2015-22 pp.21-26 |
| SDM, ED, CPM (共催) |
2013-05-16 15:45 |
静岡 | 静大（浜松）創造科学技術大学院 | 表面窒化によるGaAsN混晶の形成 ○浦上法之・若原昭浩・関口寛人・岡田 浩（豊橋技科大） ED2013-20 CPM2013-5 SDM2013-27 |
GaAsN混晶を表面窒化により量子井戸として形成し、成長様式および発光特性を評価した。窒化時のAs2分子線圧力を減少する... [more] | ED2013-20 CPM2013-5 SDM2013-27 pp.23-26 |
| ED, SDM, CPM (共催) |
2012-05-17 13:40 |
愛知 | 豊橋技術科学大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー | 高温成長によるGaAsN混晶の結晶性向上 ○深見太志・浦上法之・関口寛人・岡田 浩・若原昭浩（豊橋技科大） ED2012-18 CPM2012-2 SDM2012-20 |
Si上発光デバイスの活性層材料としてGaAsN混晶は有望である。460°Cで成長した試料に比べ、600°Cで成長したGa... [more] | ED2012-18 CPM2012-2 SDM2012-20 pp.7-10 |
| CPM, SDM, ED (共催) |
2011-05-19 14:15 |
愛知 | 名古屋大学 ＶＢＬ | BGaPの分子線エピタキシー成長 ○浦上法之・深見太志・関口寛人・岡田 浩・若原昭浩（豊橋技科大） ED2011-11 CPM2011-18 SDM2011-24 |
Si基板上歪量子井戸レーザ用の歪補償層への応用に向けて、希薄BGaP層の分子線エピタキシャル成長を検討した。BGaP層の... [more] | ED2011-11 CPM2011-18 SDM2011-24 pp.55-58 |
| ED, CPM, SDM (共催) |
2009-05-15 10:55 |
愛知 | 豊橋技科大サテライトオフィス | p-GaPNの発光機構と変調ドープGaAsN/GaPN高歪量子井戸への応用 ○光吉三郎・梅野和行・浦上法之・岡田 浩・古川雄三・若原昭浩（豊橋技科大） ED2009-30 CPM2009-20 SDM2009-20 |
分子線エピタキシー(MBE)法により成長したMg添加p-GaPNの発光特性を検討した。正孔濃度1×1017 cm-3以上... [more] | ED2009-30 CPM2009-20 SDM2009-20 pp.65-70 |
| ED, CPM, SDM (共催) |
2009-05-15 11:20 |
愛知 | 豊橋技科大サテライトオフィス | 自己形成InGaAsN/GaPN量子ドットの成長と発光特性 ○浦上法之・野間亮佑・梅野和行・光吉三郎・岡田 浩・古川雄三・若原昭浩（豊橋技科大） ED2009-31 CPM2009-21 SDM2009-21 |
Si基板上の半導体レーザの活性層への応用を目的として、直接遷移型であるInGaAsN混晶に着目し、InxGa1-xAs1... [more] | ED2009-31 CPM2009-21 SDM2009-21 pp.71-76 |
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