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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
CPM 2017-10-27
13:30
長野 信州大学 長野(工学)キャンパス E7棟 3階 研修室 化学気相堆積した窒化ホウ素炭素膜の形成条件の検討
小坂舞人浦上法之橋本佳男信州大CPM2017-67
ワイドバンドギャップエネルギーを有する炭素系化合物半導体の実現に向けて、化学気相堆積法によりグラファイト状窒化炭素へホウ... [more] CPM2017-67
pp.1-4
ED, CPM, SDM
(共催)
2015-05-28
15:15
愛知 豊橋技科大VBL棟 表面窒化を用いたGaAsN混晶のN組成制御
浦上法之山根啓輔関口寛人岡田 浩若原昭浩豊橋技科大ED2015-20 CPM2015-5 SDM2015-22
表面窒化による窒素添加と数原子層(ML)のGaAsで埋め込むことにより希薄窒化物混晶であるGaAsNを成長し,成長条件が... [more] ED2015-20 CPM2015-5 SDM2015-22
pp.21-26
SDM, ED, CPM
(共催)
2013-05-16
15:45
静岡 静大(浜松)創造科学技術大学院 表面窒化によるGaAsN混晶の形成
浦上法之若原昭浩関口寛人岡田 浩豊橋技科大ED2013-20 CPM2013-5 SDM2013-27
GaAsN混晶を表面窒化により量子井戸として形成し、成長様式および発光特性を評価した。窒化時のAs2分子線圧力を減少する... [more] ED2013-20 CPM2013-5 SDM2013-27
pp.23-26
ED, SDM, CPM
(共催)
2012-05-17
13:40
愛知 豊橋技術科学大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー 高温成長によるGaAsN混晶の結晶性向上
深見太志浦上法之関口寛人岡田 浩若原昭浩豊橋技科大ED2012-18 CPM2012-2 SDM2012-20
Si上発光デバイスの活性層材料としてGaAsN混晶は有望である。460°Cで成長した試料に比べ、600°Cで成長したGa... [more] ED2012-18 CPM2012-2 SDM2012-20
pp.7-10
CPM, SDM, ED
(共催)
2011-05-19
14:15
愛知 名古屋大学 VBL BGaPの分子線エピタキシー成長
浦上法之深見太志関口寛人岡田 浩若原昭浩豊橋技科大ED2011-11 CPM2011-18 SDM2011-24
Si基板上歪量子井戸レーザ用の歪補償層への応用に向けて、希薄BGaP層の分子線エピタキシャル成長を検討した。BGaP層の... [more] ED2011-11 CPM2011-18 SDM2011-24
pp.55-58
ED, CPM, SDM
(共催)
2009-05-15
10:55
愛知 豊橋技科大サテライトオフィス p-GaPNの発光機構と変調ドープGaAsN/GaPN高歪量子井戸への応用
光吉三郎梅野和行浦上法之岡田 浩古川雄三若原昭浩豊橋技科大ED2009-30 CPM2009-20 SDM2009-20
分子線エピタキシー(MBE)法により成長したMg添加p-GaPNの発光特性を検討した。正孔濃度1×1017 cm-3以上... [more] ED2009-30 CPM2009-20 SDM2009-20
pp.65-70
ED, CPM, SDM
(共催)
2009-05-15
11:20
愛知 豊橋技科大サテライトオフィス 自己形成InGaAsN/GaPN量子ドットの成長と発光特性
浦上法之野間亮佑梅野和行光吉三郎岡田 浩古川雄三若原昭浩豊橋技科大ED2009-31 CPM2009-21 SDM2009-21
Si基板上の半導体レーザの活性層への応用を目的として、直接遷移型であるInGaAsN混晶に着目し、InxGa1-xAs1... [more] ED2009-31 CPM2009-21 SDM2009-21
pp.71-76
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