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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
CPM, LQE, ED
(共催)
2016-12-12
15:20
京都 京大桂キャンパス キャリア数によるGaN HEMT素子のコラプス評価
大麻浩平吉岡 啓齊藤泰伸菊地拓雄大黒達也浜本毅司杉山 亨東芝ED2016-62 CPM2016-95 LQE2016-78
GaNパワーデバイスが克服すべき課題の一つである電流コラプス現象に関して、新たな評価手法を検討した。従来の動的オン抵抗を... [more] ED2016-62 CPM2016-95 LQE2016-78
pp.27-30
ICD 2007-04-13
09:10
大分 大分県・湯布院・七色の風 Floating Body RAM技術開発及びその32nm nodeへ向けたScalability
中島博臣楠 直樹篠 智彰東芝)・東 知輝東芝マイクロエレクトロニクス)・大澤 隆藤田勝之幾見宣之松岡史宜福田 良渡辺陽二南 良博東芝)・坂本篤史東芝情報システム)・西村 潤浜本毅司仁田山晃寛東芝ICD2007-10
SOI基板上にFloating Body RAM技術の開発を行ってきたが、今回、SOI膜厚を43nmまで薄膜化し16Mb... [more] ICD2007-10
pp.53-58
SDM 2007-03-15
15:25
東京 機械振興会館 大容量Chain-FeRAM用高信頼微細キャパシタプロセス技術
山川晃司尾崎 徹金谷宏行國島 巌玖村芳典下城義朗首藤 晋日高 修山田有紀山崎壮一浜本毅司白武慎一郎高島大三郎宮川 正東芝)・大槻純人東芝マイクロエレクトロニクス
 [more] SDM2006-259
pp.27-32
ICD 2006-04-13
11:35
大分 大分大学 90nm node CMOSプロセスによる128Mb-FBC(Floating Body Cell)メモリの技術開発
中島博臣南 良博篠 智彰東芝)・坂本篤史東芝情報システム)・東 知輝東芝マイクロエレクトロニクス)・楠 直樹藤田勝之初田幸輔大澤 隆青木伸俊谷本弘吉森門六月生井納和美浜本毅司仁田山晃寛東芝
SOI基板上にFBC(Floating Body Cell)とよぶメモリセルを用いて90nmCMOSコンパチの128Mb... [more] ICD2006-5
pp.25-30
ICD 2005-04-14
11:40
福岡 福岡システムLSI 総合開発センター SOI上の1Tゲインセル(FBC)を用いた128MビットDRAM
大澤 隆藤田勝之初田幸輔東芝)・東 知輝東芝マイクロエレクトロニクス)・森門六月生南 良博篠 智彰中島博臣井納和美浜本毅司渡辺重佳東芝
SOI上のキャパシタレスDRAMセル、あるいはFloating Body Cell(FBC)と呼ばれているセルを使った1... [more] ICD2005-5
pp.23-28
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