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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM 2023-06-26
14:50
広島 広島大学 ナノデバイス研究所 [招待講演]加熱その場高分解能TEMを用いた薄膜Si固相結晶化過程の原子スケールリアルタイム観察 ~ 多結晶Siチャネル高性能化に向けて ~
手面 学浅野孝典高石理一郎富田充裕齋藤真澄田中洋毅キオクシアSDM2023-34
加熱その場高分解能TEMを用いて,多結晶Siチャネルを模した薄膜Si内で微結晶Siと結晶化していないアモルファス領域の局... [more] SDM2023-34
pp.28-30
LQE, OPE, CPM, EMD, R
(共催)
2019-08-22
16:45
宮城 東北大学 電気通信研究 本館オープンセミナールーム(M153) [招待講演]3Dフラッシュメモリセルの信頼性とその課題
三谷祐一郎関 春海浅野孝典中崎 靖東芝メモリR2019-26 EMD2019-24 CPM2019-25 OPE2019-53 LQE2019-31
膨大な情報量を保存するためにフラッシュメモリの大容量化がすすめられており、現在はメモリセルが縦方向に積層され3次元化され... [more] R2019-26 EMD2019-24 CPM2019-25 OPE2019-53 LQE2019-31
pp.35-38
SDM 2015-06-19
14:55
愛知 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー Ge1-xSnxエピタキシャル層中の欠陥へ及ぼす熱処理の効果
浅野孝典柴山茂久竹内和歌奈坂下満男中塚 理財満鎭明名大SDM2015-50
Ge1-xSnx半導体のキャリア密度の制御のためには、禁制帯中にacceptor-likeな準位を形成する欠陥の理解と制... [more] SDM2015-50
pp.63-68
SDM 2014-06-19
11:05
愛知 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー Ge1-xSnxエピタキシャル成長における積層欠陥構造の制御
浅野孝典名大)・田岡紀之IHP Microelectronics)・中塚 理財満鎭明名大SDM2014-47
立体ゲート構造を有するGe MOS型トランジスタに向けて、Ge(110)表面を有するGeまたはGe1-xSnx薄膜が注目... [more] SDM2014-47
pp.21-25
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