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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
OCS, OPE, LQE
(共催)
2014-10-30
15:05
長崎 長崎歴史文化博物館 偏光双安定VCSELを用いた全光型2ビットヘッダ識別による光パケットスイッチング
林 大介仲尾一也片山健夫河口仁司奈良先端大OCS2014-62 OPE2014-106 LQE2014-80
並列に配置した2つの1.55 $mu$m帯偏光双安定VCSELを用い、全光型2ビットヘッダ識別による光パケットスイッチン... [more] OCS2014-62 OPE2014-106 LQE2014-80
pp.107-112
OPE, LQE, CPM, EMD, R
(共催)
2013-08-30
14:20
北海道 サンリフレ函館 偏光双安定VCSELを用いた全光型ヘッダ識別による光パケットスイッチング
片山健夫河口仁司奈良先端大R2013-57 EMD2013-63 CPM2013-82 OPE2013-86 LQE2013-56
1.55 μm帯偏光双安定VCSELを用い全光型パケットのヘッダ識別による光パケットスイッチングを検討した。本システムで... [more] R2013-57 EMD2013-63 CPM2013-82 OPE2013-86 LQE2013-56
pp.143-146
PN, EMT, LQE, OPE, MWP, EST
(共催)
IEE-EMT
(連催) [詳細]
2013-01-24
09:00
大阪 大阪大学吹田キャンパス 光導波路結合型HCG-VCSELにおける光出力特性の解析
常深義博横田信英池田和浩河口仁司奈良先端大PN2012-37 OPE2012-146 LQE2012-138 EST2012-73 MWP2012-55
高屈折率差サブ波長回折格子(High-Index-Contrast Subwavelength Grating: HCG... [more] PN2012-37 OPE2012-146 LQE2012-138 EST2012-73 MWP2012-55
pp.19-24
LQE 2011-12-16
14:50
東京 機械振興会館 金属ナノワイヤ上の表面プラズモンを用いたナノレーザ
池田和浩河口仁司奈良先端大LQE2011-130
近年、金属による光閉じ込めを用いたナノレーザの研究が活発に進められている。金属を光デバイスに用いる場合、金属中の自由電子... [more] LQE2011-130
pp.33-38
LQE, LSJ
(共催)
2011-05-20
11:55
石川 金沢大学 角間キャンパス 酸化狭窄構造を持つ偏光双安定VCSELの全光フリップ・フロップ動作
片山健夫矢内彰雄湯川浩平服部聡史池田和浩黄 晋二河口仁司奈良先端大LQE2011-6
 [more] LQE2011-6
pp.23-26
EMD, OPE, LQE, CPM
(共催)
2010-08-26
15:50
北海道 千歳アルカディアプラザ 偏光双安定VCSELを用いた光メモリの高速動作
片山健夫坂口 淳河口仁司奈良先端大EMD2010-37 CPM2010-53 OPE2010-62 LQE2010-35
偏光双安定VCSELの発振偏光状態として情報を記録する光バッファメモリの高速動作について評価した。バッファメモリの高速動... [more] EMD2010-37 CPM2010-53 OPE2010-62 LQE2010-35
pp.53-56
LQE 2009-12-11
15:40
東京 機械振興会館 地下3階2号室 偏光双安定VCSELを用いた光メモリの高速動作に向けた検討
坂口 淳片山健夫河口仁司奈良先端大LQE2009-150
面発光半導体レーザ(VCSEL)の偏光双安定性を用いた光バッファメモリの高速動作のためには、制御入力光の周波数離調及び強... [more] LQE2009-150
pp.61-66
OPE, LQE, OCS
(共催)
2009-10-22
10:15
福岡 九州大学 GaAs(110)基板上に作製したスピン面発光半導体レーザの発振円偏光スイッチング
池田和浩黄 晋二片山健夫河口仁司奈良先端大OCS2009-44 OPE2009-110 LQE2009-69
スピン面発光半導体レーザ(Spin VCSEL)は、活性層中の光学遷移選択則を介して電子のスピン偏極に依存した発振偏光が... [more] OCS2009-44 OPE2009-110 LQE2009-69
pp.15-20
OPE, EMD, CPM, LQE
(共催)
2009-08-20
17:05
宮城 東北大学 GaAs(110)基板上に作製したスピン面発光半導体レーザの光励起円偏光発振
黄 晋二藤野寛之河口仁司奈良先端大EMD2009-42 CPM2009-66 OPE2009-90 LQE2009-49
半導体レーザの活性層において電子スピン偏極を生じさせることにより、光学遷移選択則を介した円偏光レーザ発振が可能となる。G... [more] EMD2009-42 CPM2009-66 OPE2009-90 LQE2009-49
pp.83-88
LQE 2009-05-22
13:05
富山 金沢大学角間キャンパス、自然科学研究科棟 G15会議室 GaAs(110)上のGaAs/AlGaAs量子井戸の結晶成長と電子スピン緩和時間の評価
揖場 聡黄 晋二河口仁司奈良先端大LQE2009-9
(110)基板上のIII–V族化合物半導体量子井戸は、非常に長い電子スピン緩和時間を示すことから、スピンデバ... [more] LQE2009-9
pp.43-48
PN 2007-03-06
15:30
鹿児島 屋久島環境文化村センター(屋久島) [フェロー記念講演]半導体光非線形機能デバイスの発展
河口仁司奈良先端大PN2006-93
半導体光非線形機能デバイス、特に光双安定素子の発展について、著者の研究を中心に紹介する。面発光半導体レーザ(VCSEL)... [more] PN2006-93
pp.49-52
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