お知らせ 研究会の開催と会場に参加される皆様へのお願い(2020年10月開催~)
電子情報通信学会 研究会発表申込システム
研究会 開催スケジュール
技報閲覧サービス
[ログイン]
技報アーカイブ
    [Japanese] / [English] 
研究会名/開催地/テーマ  )→
 
講演検索  検索語:  /  範囲:題目 著者 所属 抄録 キーワード )→

すべての研究会開催スケジュール  (すべての年度)

講演検索結果
 登録講演(開催プログラムが公開されているもの)  (日付・降順)
 44件中 1~20件目  /  [次ページ]  
研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
LQE, CPM, ED
(共催)
2020-11-26
11:15
ONLINE オンライン開催 エピタキシャルAlInN膜のp/n導電性制御に関する研究
中林泰希高田華果江川孝志三好実人名工大)・竹内哲也名城大ED2020-4 CPM2020-25 LQE2020-55
本研究では、有機金属気相成長法(MOCVD)によるAlInN膜成長において、Si及びMgドープによる導電性制御、ならびに... [more] ED2020-4 CPM2020-25 LQE2020-55
pp.13-16
LQE, CPM, ED
(共催)
2020-11-26
11:35
ONLINE オンライン開催 光無線給電システムに向けたGaN系受光素子の検討
山本皓介Pradip Dalapati江川孝志三好実人名工大ED2020-5 CPM2020-26 LQE2020-56
半導体発光デバイスと受光デバイスを用いた光無線給電システムが注目されている。本研究では、光無線給電システムに適用可能なエ... [more] ED2020-5 CPM2020-26 LQE2020-56
pp.17-20
LQE, CPM, ED
(共催)
2020-11-26
13:30
ONLINE オンライン開催 選択再成長オーミックコンタクトを用いた高耐圧AlGaNチャネルHFET
井上暁喜原田紘希山中瑞樹江川孝志三好実人名工大ED2020-7 CPM2020-28 LQE2020-58
四元混晶AlGaInNバリア層と選択的に再成長したn+-GaNコンタクト層を採用したAl0.19Ga0.81NチャネルM... [more] ED2020-7 CPM2020-28 LQE2020-58
pp.25-28
LQE, CPM, ED
(共催)
2020-11-26
13:50
ONLINE オンライン開催 ALDにより成膜したSiO2/Al2O3 2層絶縁膜を用いたAlGaN/GaN MIS-HEMTの電気特性評価
横井駿一久保俊晴江川孝志名工大ED2020-8 CPM2020-29 LQE2020-59
SiO2はバンドギャップが約9eVと大きいため、原子層堆積(ALD)によってAl2O3とSiO2との2層絶縁膜を形成する... [more] ED2020-8 CPM2020-29 LQE2020-59
pp.29-32
CPM, ED, SDM
(共催)
2020-05-29
13:25
愛知 名古屋工業大学
(開催中止,技報発行なし)
SLS層によるAlGaN/GaN HEMT構造の転位低減
浦田峻佑キム ヒョンス江川孝志名工大
 [more]
CPM, LQE, ED
(共催)
2019-11-21
13:55
静岡 静岡大学(浜松) ALDにより成膜したSiO2/Al2O3 2層絶縁膜を用いたAlGaN/GaN MIS-HEMTのデバイス特性評価
横井駿一古岡啓太久保俊晴江川孝志名工大ED2019-41 CPM2019-60 LQE2019-84
SiO2はバンドギャップが約9 eVと大きいため、原子層堆積(ALD)によってAl2O3とSiO2との2層絶縁膜を形成す... [more] ED2019-41 CPM2019-60 LQE2019-84
pp.37-40
CPM, LQE, ED
(共催)
2019-11-21
14:55
静岡 静岡大学(浜松) MOCVD法によるGaN、GaInN上への厚膜AlInN膜のエピタキシャル成長
山中瑞樹三好実人江川孝志名工大)・岡田成仁只友一行山口大)・竹内哲也名城大ED2019-44 CPM2019-63 LQE2019-87
 [more] ED2019-44 CPM2019-63 LQE2019-87
pp.49-52
CPM, LQE, ED
(共催)
2019-11-21
15:30
静岡 静岡大学(浜松) c面GaNに格子整合する組成近傍の四元混晶AlGaInNエピタキシャル膜の成長と結晶及び光学特性評価
原田紘希三好実人江川孝志名工大)・竹内哲也名城大ED2019-45 CPM2019-64 LQE2019-88
可視光GaN系LDのクラッド層としての応用を目指し、有機金属化学気相成長法(MOCVD)により、c面GaN/サファイアテ... [more] ED2019-45 CPM2019-64 LQE2019-88
pp.53-56
ED, LQE, CPM
(共催)
2018-11-29
13:25
愛知 名古屋工業大学 c面GaN上へのエピタキシャルAlInN膜の成長ならびにその混晶組成と微細構造の関係
山中瑞樹三好実人江川孝志名工大)・竹内哲也名城大ED2018-33 CPM2018-67 LQE2018-87
 [more] ED2018-33 CPM2018-67 LQE2018-87
pp.5-8
ED, LQE, CPM
(共催)
2018-11-30
09:00
愛知 名古屋工業大学 歪み制御AlGaInNバリア層を備えた耐圧2.5kV級AlGaNチャネルHFET
細見大樹古岡啓太陳 珩斉藤早紀久保俊晴江川孝志三好実人名工大ED2018-41 CPM2018-75 LQE2018-95
新規AlGaNチャネルHFET構造として,バリア層に四元混晶AlGaInNを採用したAlGaInN/AlGaNヘテロ構造... [more] ED2018-41 CPM2018-75 LQE2018-95
pp.41-44
ED, LQE, CPM
(共催)
2018-11-30
09:25
愛知 名古屋工業大学 ALD-Al2O3/AlGaN/GaN MIS-HEMTの電気特性に及ぼすアニール雰囲気の効果
古岡啓太久保俊晴三好実人江川孝志名工大ED2018-42 CPM2018-76 LQE2018-96
AlGaN/GaN HEMT構造表面に界面準位等の電子捕獲準位の少ない絶縁膜を成膜することは難しく、ゲートリーク電流や閾... [more] ED2018-42 CPM2018-76 LQE2018-96
pp.45-48
LQE, CPM, ED
(共催)
2017-12-01
09:40
愛知 名古屋工業大学 サファイア基板ならびにAlN/サファイアテンプレート上にMOCVD成長したInGaN/GaN MQW太陽電池の特性比較
森 拓磨太田美希原田紘希加藤慎也三好実人江川孝志名工大ED2017-57 CPM2017-100 LQE2017-70
有機金属気相成長法によってサファイア基板とAlN/サファイアテンプレート(AlNテンプレート)の2種類の基板上にInGa... [more] ED2017-57 CPM2017-100 LQE2017-70
pp.39-44
LQE, CPM, ED
(共催)
2017-12-01
13:45
愛知 名古屋工業大学 XPSおよびESRを用いたAlGaN上ALD-Al2O3膜の化学状態に対する膜厚および熱処理効果の評価
久保俊晴三好実人江川孝志名工大ED2017-64 CPM2017-107 LQE2017-77
GaN系パワーデバイスのMIS構造に用いる絶縁膜として, ALDで成膜したAl2O3が多く用いられており, 成膜後熱処理... [more] ED2017-64 CPM2017-107 LQE2017-77
pp.73-76
CPM, LQE, ED
(共催)
2016-12-13
09:05
京都 京大桂キャンパス MOCVD法による凸凹表面p-GaN層の形成とInGaN/GaN MQW構造太陽電池への応用
森 拓磨三好実人江川孝志名工大ED2016-68 CPM2016-101 LQE2016-84
InGaN混晶を吸収層に用いた窒化物系太陽電池は、原理的に太陽光の大半のスペクトルを吸収することが可能であるため、有毒元... [more] ED2016-68 CPM2016-101 LQE2016-84
pp.55-59
ED, LQE, CPM
(共催)
2015-11-27
11:15
大阪 大阪市立大学・学術情報センター会議室 ALDにより成膜したHfO2を用いたAlGaN/GaN MIS-HEMTの界面準位とデバイス特性
西野剛介久保俊晴江川孝志名工大ED2015-82 CPM2015-117 LQE2015-114
AlGaN/GaN HEMTのゲートリーク電流を抑えるためには、ゲート部分を金属/絶縁膜/半導体(MIS)とした構造が有... [more] ED2015-82 CPM2015-117 LQE2015-114
pp.73-76
ED, LQE, CPM
(共催)
2015-11-27
11:40
大阪 大阪市立大学・学術情報センター会議室 Si基板上AlGaN/GaN HEMT構造における縦方向リーク電流の初期AlN層依存性
山岡優哉大陽日酸)・伊藤和宏名工大)・生方映徳田渕俊也松本 功大陽日酸)・江川孝志名工大ED2015-83 CPM2015-118 LQE2015-115
本調査では、成長条件が異なる2種類のSi基板上AlNを製作し、scanning electron microscope(... [more] ED2015-83 CPM2015-118 LQE2015-115
pp.77-80
ED, LQE, CPM
(共催)
2015-11-27
14:35
大阪 大阪市立大学・学術情報センター会議室 表面保護膜形成によるInGaN系太陽電池の特性改善
加畑智基堤 達哉三好実人江川孝志名工大ED2015-87 CPM2015-122 LQE2015-119
InGaN混晶半導体は、そのバンドギャップ制御により太陽光スペクトルの広範囲をカバーできることから、新たな太陽電池用材料... [more] ED2015-87 CPM2015-122 LQE2015-119
pp.95-99
LQE, ED, CPM
(共催)
2014-11-28
14:30
大阪 大阪大学 吹田キャンパス 理工学図書館 格子整合系InAlN/AlGaN 2DEGヘテロ構造のMOCVD成長と特性評価
藤田 周三好実人江川孝志名工大ED2014-93 CPM2014-150 LQE2014-121
InAlN/AlGaNヘテロ構造は、高耐圧特性と高濃度の二次元電子ガス(2DEG)生成という二つの特長を併せ持つことが期... [more] ED2014-93 CPM2014-150 LQE2014-121
pp.97-102
ED, LQE, CPM
(共催)
2012-11-29
14:20
大阪 大阪市立大学 Si基板上GaN系HEMTにおける光照射時の過渡電流評価
常家卓也分島彰男江川孝志名工大ED2012-72 CPM2012-129 LQE2012-100
Si基板上にAlGaN/GaN HEMTを作製し、電流コラプスを調査するために光照射時においてドレイン電流(Id(t))... [more] ED2012-72 CPM2012-129 LQE2012-100
pp.29-32
ED, LQE, CPM
(共催)
2012-11-29
14:45
大阪 大阪市立大学 GaN上にALD成膜したAl2O3を用いたMISダイオードの電気的特性
岩田康宏久保俊晴江川孝志名工大ED2012-73 CPM2012-130 LQE2012-101
MIS構造に用いる絶縁体としてAl2O3に着目し、GaN上にALDで成膜したAl2O3を用いたMISダイオードを作製して... [more] ED2012-73 CPM2012-130 LQE2012-101
pp.33-36
 44件中 1~20件目  /  [次ページ]  
ダウンロード書式の初期値を指定してください NEW!!
テキスト形式 pLaTeX形式 CSV形式 BibTeX形式
著作権について : 以上の論文すべての著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)


[研究会発表申込システムのトップページに戻る]

[電子情報通信学会ホームページ]


IEICE / 電子情報通信学会