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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM 2019-10-24
13:00
宮城 東北大学未来情報産業研究館5F [招待講演]ナノ人工物メトリクスを実現するランダムナノ構造形成と電気的読出技術
葛西誠也呂 任鵬清水克真殷 翔北大)・上羽陽介石川幹雄北村 満大日本印刷)・法元盛久産総研)・成瀬 誠東大)・松本 勉横浜国大SDM2019-62
ナノスケールのランダム構造を用いた安全性が高い認証技術であるナノ人工物メトリクスのコンセプト,そしてこれを実現するための... [more] SDM2019-62
pp.45-50
SDM, ED, CPM
(共催)
2019-05-17
11:10
静岡 静岡大学(浜松) ナノ人工物メトリクスのための2次元ランダム構造形成プロセス最適化と電気的読出しの実験的検討
呂 任鵬清水克真殷 翔北大)・上羽陽介石川幹雄北村 満大日本印刷)・○葛西誠也北大ED2019-24 CPM2019-15 SDM2019-22
レジスト倒壊現象を利用したナノ人工物メトリクスのために,レジスト倒壊のランダム性を高める電子線リソグラフィ条件の最適化と... [more] ED2019-24 CPM2019-15 SDM2019-22
pp.67-70
ED, SDM
(共催)
2016-03-03
16:45
北海道 北海道大学百年記念会館 グラフェン3分岐接合の非線形特性とその制御
殷 翔北大)・劉 柏麟田中啓文九工大)・前元利彦阪工大)・葛西誠也北大ED2015-126 SDM2015-133
 [more] ED2015-126 SDM2015-133
pp.27-32
CPM, ED, SDM
(共催)
2014-05-29
10:55
愛知 名古屋大学VBL3階 絶縁ゲートGaAsナノワイヤFETのヒステリシス特性の評価と解析
黒田亮太殷 翔佐藤将来葛西誠也北大ED2014-36 CPM2014-19 SDM2014-34
SiNおよびAl2O3をゲート絶縁膜として絶縁ゲート型GaAsエッチングナノワイヤFETのヒステリシス特性とダイナミック... [more] ED2014-36 CPM2014-19 SDM2014-34
pp.91-96
SDM, ED
(共催)
2013-02-27
16:30
北海道 北海道大学(百年記念会館) グラフェン3分岐接合デバイスの試作と論理回路応用の検討
殷 翔葛西誠也北大ED2012-134 SDM2012-163
グラフェン3分岐接合デバイス(TBJ)は特異な非線形伝達特性を示し,電界効果による伝導型制御との組合せによりANDゲート... [more] ED2012-134 SDM2012-163
pp.35-38
SDM, ED
(共催)
(ワークショップ)
2012-06-27
15:45
沖縄 沖縄県青年会館 [招待講演]Nonlinear Three Branch Nano-Junction Devices and Their Application to Logic Circuits
Seiya KasaiHokkaido Univ.)・Shaharin Fadzli Abd RahmanUTM/Hokkaido Univ.)・Masaki SatoXiang YinHokkaido Univ.)・Toshihiko MaemotoOsaka Inst. Tech.
A nanometer-scale semiconductor three-branch junction (TBJ) ... [more]
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