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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ICD | 2014-04-18 10:30 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］7nsのアクセスタイム、27fA/bの待機時電流、25μW/MHzの動作時電力を達成した低電力MCU向け65nm 128kb SRAMの開発 ○福田寿一・小原弘治・堂坂利彰・武山泰久・緑川 剛（東芝）・橋本健二・脇山一郎（TOSMEC）・宮野信治・北城岳彦（東芝）  ICD2014-12 |
65nmテクノロジーで128kbの低リークSRAMを開発し保持モードの待機時電流3.5nA（27fA/b）を達成した。q... [more] | ICD2014-12 pp.59-64 |
| ICD | 2014-04-18 11:20 |
東京 | 機械振興会館 | ［依頼講演］27%動作電力削減と85%リーク削減を実現する2電源SRAM用ビット線電力計算回路およびデジタル制御リテンション回路 ○櫛田桂一・橘 文彦・平林 修・武山泰久・川澄 篤・鈴木 東・仁木祐介・静野観椰子・佐々木慎一・矢部友章・畝川康夫（東芝） ICD2014-13 |
2電源SRAMの動作電力およびリーク電力を低減するビット線電力計算回路およびデジタル制御リテンション回路を提案した。ビッ... [more] | ICD2014-13 pp.65-70 |
| ICD | 2013-04-12 13:30 |
茨城 | 産業技術総合研究所 つくばセンター | ［招待講演］統計手法を利用した極低電圧SRAM向けセンスアンプタイミング生成回路 ○川澄 篤・武山泰久・平林 修・櫛田桂一・橘 文彦・仁木祐介・佐々木慎一・矢部友章（東芝） ICD2013-18 |
SRAMの消費電力を低減させるためには，低電圧動作が有効である．低電圧化に伴ってトランジスタのランダムばらつきの影響が大... [more] | ICD2013-18 pp.91-96 |
| ICD | 2013-04-12 14:20 |
茨城 | 産業技術総合研究所 つくばセンター | ［依頼講演］ビット線電力計算回路とデジタルLDOを使用した2電源SRAMの消費電力削減スキーム ○静野観椰子・橘 文彦・平林 修・武山泰久・川澄 篤・櫛田桂一・鈴木 東・仁木祐介・佐々木慎一・矢部友章・畝川康夫（東芝） ICD2013-19 |
動作条件に応じてSRAMの消費電力低減を実現するビット線電力計算器とデジタル制御リテンション回路を提案した。ビット線電力... [more] | ICD2013-19 pp.97-102 |
| ICD | 2011-04-19 09:55 |
兵庫 | 神戸大学 瀧川記念館 | [依頼講演]デジタル化したレプリカビット線遅延を用いたランダムばらつきに強いSRAMセンスアンプタイミング生成回路 ○仁木祐介・川澄 篤・鈴木 東・武山泰久・平林 修・櫛田桂一・橘 文彦・藤村勇樹・矢部友章（東芝） ICD2011-9 |
SRAMの消費電力を低減させるためには，低電圧で動作させることが有効である．しかしながら，低電圧化に伴ってトランジスタの... [more] | ICD2011-9 pp.49-54 |
| ICD | 2010-04-22 09:00 |
神奈川 | 湘南工大 | ［招待講演］SRAMの技術動向と定負電位書込み回路を用いた32nm 0.149μm2セル低電圧コンフィギュラブルSRAM ○藤村勇樹・平林 修・佐々木貴彦・鈴木 東・川澄 篤・武山泰久・櫛田桂一・深野 剛・片山 明・仁木祐介・矢部友章（東芝） ICD2010-1 |
本稿では、32nm High-k Metal Gate CMOSプロセスにて0.149μm2セルを用い開発した低電圧コン... [more] | ICD2010-1 pp.1-6 |
| ICD | 2009-04-14 10:15 |
宮城 | 大観荘（宮城県松島町） | [依頼講演]レベル可変ワード線ドライバを用いてプロセスばらつき耐性を向上した40nmCMOSプロセス0.179μm2セル2電源SRAM ○藤村勇樹・平林 修・川澄 篤・鈴木 東・武山泰久・櫛田桂一・佐々木貴彦・片山 明・深野 剛・中里高明・志津木 康・串山夏樹・矢部友章（東芝） ICD2009-5 |
デバイススケーリングによる素子特性ばらつき増大への対策として，ロジック電源より200mV高いメモリセル専用電源を導入し，... [more] | ICD2009-5 pp.21-26 |
| ICD | 2008-04-17 09:25 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］非対称ユニットβレシオセルを用いた0.7V,1GHz動作45nm SRAMマクロ ○佐々木貴彦・川澄 篤・矢部友章・武山泰久・平林 修・櫛田桂一（東芝）・東畑晃史（東芝マイクロエレクトロニクス）・片山 明・深野 剛・藤村勇樹・大塚伸朗（東芝） ICD2008-1 |
$0.7V$単一電源により$1GHz$動作する$64kB$SRAMマクロを開発した [1] 。$45nm$テクノロジーを... [more] | ICD2008-1 pp.1-6 |
| SIP, ICD, IE, IPSJ-SLDM (共催) |
2005-10-20 15:50 |
宮城 | 作並温泉一の坊 | ECC内蔵メモリマクロにおけるDFT技術 ○櫛田桂一・大塚伸朗・平林 修・武山泰久（東芝） |
ECC回路を内蔵したメモリマクロにおいて、ECC搭載に伴うテストコスト増加を回避するDFT技術を開発した。新しい方式では... [more] | SIP2005-111 ICD2005-130 IE2005-75 pp.95-100 |
| ICD, SDM (共催) |
2005-08-18 15:45 |
北海道 | 函館国際ホテル | レプリカセルバイアス技術を用いた低リークSRAMマクロ ○平林 修・武山泰久・大竹博之・櫛田桂一・大塚伸朗（東芝） |
(事前公開アブストラクト) モバイル用SoCの消費電力削減には、スタンドバイ時のSRAMリーク電流削減が重要であり、その... [more] | SDM2005-141 ICD2005-80 pp.79-84 |
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