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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
LQE, OPE, EMD, R, CPM
(共催)
2016-08-25
14:25
北海道 函館ロワジールホテル [招待講演]紫外域AlGaNレーザーダイオードの進展
吉田治正武富浩幸青木優太高木康文杉山厚志桑原正和山下陽滋大河原 悟前田純也浜松ホトニクスR2016-26 EMD2016-30 CPM2016-39 OPE2016-60 LQE2016-35
紫外レーザーダイオード(LD)のワットクラスの高出力化と発振波長326nmへの短波長化など最近の成果について報告する.ま... [more] R2016-26 EMD2016-30 CPM2016-39 OPE2016-60 LQE2016-35
pp.35-40
ED, SDM
(共催)
2010-07-02
10:50
東京 東工大 大岡山キャンパス Characterization of deep electron levels of AlGaN grown by MOVPE
Kimihito OoyamaHokkaido Univ./SMM)・Katsuya SugawaraHokkaido Univ.)・Hiroyuki TaketomiHideto MiyakeKazumasa HiramatsuMie Univ.)・Tamotsu HashizumeHokkaido Univ./JSTED2010-107 SDM2010-108
 [more] ED2010-107 SDM2010-108
pp.249-252
ED, LQE, CPM
(共催)
2009-11-19
09:50
徳島 徳島大学(常三島キャンパス・工業会館) AlN/sapphire上のAlGaNのMOVPE成長と発光特性
島原佑樹武富浩幸三宅秀人平松和政三重大)・福世文嗣岡田知幸高岡秀嗣吉田治正浜松ホトニクスED2009-130 CPM2009-104 LQE2009-109
減圧MOVPE法によりAlN/sapphire基板を下地としたAlGaN膜の成長を,反射光を用いたその場観察によって成長... [more] ED2009-130 CPM2009-104 LQE2009-109
pp.9-12
ED, LQE, CPM
(共催)
2009-11-20
11:45
徳島 徳島大学(常三島キャンパス・工業会館) 高Al組成AlGaNの表面特性と深い電子準位
菅原克也久保俊晴北大)・武富浩幸三宅秀人平松和政三重大)・橋詰 保北大ED2009-152 CPM2009-126 LQE2009-131
 [more] ED2009-152 CPM2009-126 LQE2009-131
pp.115-118
ED, CPM, SDM
(共催)
2009-05-15
13:00
愛知 豊橋技科大サテライトオフィス AlN/sapphire上のAlGaNのMOVPE成長と電子線励起による深紫外発光
武富浩幸三宅秀人平松和政三重大)・福世文嗣岡田知幸高岡秀嗣吉田治正浜松ホトニクスED2009-32 CPM2009-22 SDM2009-22
発光素子,受光素子などの短波長化にともない高Alモル分率AlGaNの高品質化,発光効率の向上が求められている.本研究では... [more] ED2009-32 CPM2009-22 SDM2009-22
pp.77-81
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