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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM 2018-11-09
10:20
東京 機械振興会館 [招待講演]4H-SiC MOS反転層における電子輸送のモデリング
田中 一森 伸也阪大SDM2018-71
4H-SiC MOS界面における電子散乱過程を定式化し,モンテカルロシミュレーションにより電子移動度の計算を行った.フォ... [more] SDM2018-71
pp.35-40
SDM 2017-11-10
13:30
東京 機械振興会館 [招待講演]極微細トランジスタの量子輸送シミュレーション
森 伸也美里劫夏南阪大)・岩田潤一押山 淳東大SDM2017-69
ナノワイヤトランジスタなどの極めて微細なデバイスの電気特性をシミュレーションするため,実空間密度汎関数法と非平衡グリーン... [more] SDM2017-69
pp.43-46
SDM 2015-11-05
11:25
東京 機械振興会館 モンテカルロ法による超高速イメージセンサの解析
南谷夏海阪大)・Vu Truon Son Dao下ノ村和弘江藤剛治立命館大)・鎌倉良成森 伸也阪大SDM2015-86
裏面照射型CCDを用いた超高速撮像素子を想定した基礎的なシミュレーション解析を行った。光電変換層で生成した光電子がコレク... [more] SDM2015-86
pp.13-17
SDM 2015-01-27
11:40
東京 機械振興会館 [招待講演]電子・フォノン統合モンテカルロシミュレータによる微細トランジスタの自己発熱析
鎌倉良成インドラ ヌル アディスシロ久木田健太郎脇村 豪阪大)・木場隼介土屋英昭神戸大)・森 伸也阪大SDM2014-139
 [more] SDM2014-139
pp.17-20
SDM 2014-11-07
11:15
東京 機械振興会館 モンテカルロ法を用いたSiダブルゲート構造MOSFETの準バリスティック輸送係数の抽出
土屋英昭石田良馬神戸大)・鎌倉良成森 伸也阪大)・宇野重康立命館大)・小川真人神戸大SDM2014-105
本稿では、モンテカルロシミュレーションを用いてSiダブルゲート構造MOSFETの準バリスティック輸送係数を抽出し、物理的... [more] SDM2014-105
pp.53-58
SDM 2013-11-14
10:05
東京 機械振興会館 [招待講演]2013 SISPADレビュー ~ 輸送,信頼性 ~
森 伸也阪大SDM2013-99
2013年9月3日から5日にかけて,イギリスのグラスゴーで開催された2013年半導体のプロセス,デバイスのシミュレーショ... [more] SDM2013-99
pp.1-4
SDM 2013-11-15
13:25
東京 機械振興会館 ウィグナーモンテカルロ法を用いた極微細III-V MOSFETの量子輸送解析
大森正規木場隼介前川容佑神戸大)・土屋英昭神戸大/JST)・鎌倉良成森 伸也阪大/JST)・小川真人神戸大SDM2013-111
本稿では、ウィグナーモンテカルロシミュレーションを用いて、III-V MOSFETにおけるソース・ドレイン(SD)直接ト... [more] SDM2013-111
pp.65-70
SDM 2012-11-16
11:15
東京 機械振興会館 離散不純物がナノワイヤトランジスタの電流電圧特性に及ぼす影響 ~ KMCとNEGFによる研究 ~
森 伸也阪大)・植松真司慶大)・三成英樹ミリニコフ ゲナディ阪大)・伊藤公平慶大SDM2012-107
離散不純物がナノワイヤトランジスタの電流電圧に及ぼす影響について,動的モンテカルロ(KMC)法と非平衡グリーン関数(NE... [more] SDM2012-107
pp.43-46
SDM 2010-11-12
15:05
東京 機械振興会館 シリコンナノワイヤにおけるホール電流のひずみ依存性
三成英樹阪大/JST)・北山達郎山本将央阪大)・森 伸也阪大/JSTSDM2010-183
直径が1.5 nmと2.5 nmのひずみシリコンナノワイヤトランジスタについて,強結合近似法を導入した非平衡グリーン関数... [more] SDM2010-183
pp.65-69
SDM 2009-11-13
10:00
東京 機械振興会館 自己発熱効果がナノスケールトランジスタの電気特性に与える影響
鎌倉良成森 伸也阪大/JST)・谷口研二阪大SDM2009-142
ナノスケールSi-MOSFET 内部における非平衡光学フォノンの発生とそれが電気特性に与える影響を数値シミュレーションを... [more] SDM2009-142
pp.39-44
SDM 2009-11-13
10:25
東京 機械振興会館 原子論モデルにおけるR行列量子輸送シミュレーション
ミリニコフ ゲナディ・○森 伸也鎌倉良成阪大/JSTSDM2009-143
原子論に基づく量子輸送計算のための離散版R行列法を定式化した.開発した手法を用いることにより,デバイスシミュレーションに... [more] SDM2009-143
pp.45-48
SDM [詳細] 2008-11-14
15:00
東京 機械振興会館 ナノスケールMOSFETチャネル中の引力型イオンがデバイス電気特性に与える影響
鎌倉良成ミリニコフ ゲナディ森 伸也阪大)・江崎達也広島大SDM2008-179
非平衡グリーン関数法に基づく3次元デバイスシミュレータを用いて,無ドープのチャネル中に存在する単一の引力型イオン(ドナー... [more] SDM2008-179
pp.61-66
SDM [詳細] 2008-11-14
15:25
東京 機械振興会館 極微細MOSFETにおけるゲートトンネル電流の3次元NEGFシミュレーション
三成英樹西谷大祐森 伸也阪大SDM2008-180
非平衡グリーン関数法を用いた3 次元量子輸送シミュレーションを極微細MOSFET について行った.シミュレーションの結果... [more] SDM2008-180
pp.67-70
SDM, VLD
(共催)
2007-10-30
10:50
東京 機械振興会館 粗視化手法を用いた極微細MOSFETの量子輸送シミュレーション
ミリニコフ ゲナディ・○森 伸也鎌倉良成阪大)・江崎達也広島大VLD2007-52 SDM2007-196
 [more] VLD2007-52 SDM2007-196
pp.11-14
SDM, VLD
(共催)
2007-10-30
11:15
東京 機械振興会館 極微細マルチゲートデバイスにおける面方位依存性の検討
三成英樹西谷大祐森 伸也阪大VLD2007-53 SDM2007-197
非平衡グリーン関数法と強結合近似法を用いることにより,原子論的手法に基づく量子輸送シミュレーションを結晶方位の異なる4種... [more] VLD2007-53 SDM2007-197
pp.15-18
SDM, VLD
(共催)
2006-09-26
15:25
東京 機械振興会館 歪領域を含むシリコンナノ構造におけるバリスティック電流の計算
三成英樹森 伸也阪大
非平衡グリーン関数法に半経験的な sp3d5s* 強結合近似法を導入した量子輸送シミュレータを用いて1次元シリコンナノ構... [more] VLD2006-48 SDM2006-169
pp.55-58
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